Redistribution and activation of implanted S, Se, Te, Be, Mg, and C in GaN

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1226-1229

  Wilson, R G ^a   Zavada, J M ^b   Cao, X A ^c   Singh, R K ^c   Pearton, S J ^c   Quo, H J ^d   Pennycook, S J ^d   Fu, M ^e   Sekhar, J A ^e   Scarvepalli, V ^e   Shu, R J ^f   Han, J ^f   Rieger, D J ^f   Zolper, J C ^g   Abernathy, C R ^c  

^a Research Office ^*

^b U S ARMY RESEARCH OFFICE   (United States)

^c University of Florida   (United States)

^d OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^e Micropyretics Heaters International (MHI)   (United States)

^f SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^g OFFICE OF NAVAL RESEARCH   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0005306582     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581800     Document Type: Article

References (24)

1. J. C. Zolper, J. Cryst. Growth 178, 175 (1997).
2. J. C. Zolper, in GaN and Related Materials, Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices (Gordon and Breach, New York, 1997) Vol. 2.
3. R. G. Wilson, Proc. Electrochem. Soc. 95-21, 152 (1995).
4. H. P. Maruska, M. Liouhtchenko, T. G. Tetreault, M. Osinski, S. J. Pearton, M. Schurman, R. Vaudo, S. Sakai, Q. Chen, and R. J. Shul, Mater. Rev. Soc. Symp. 483, 345 (1998).
5. J. C. Zolper, H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, M. H. Crawford, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 70, 2729 (1997).
6. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Keiner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Wickenden, J. Appl. Phys. 78, 3008 (1995).
7. C. Liu, B. Mensching, M. Zeitler, K. Volz, and B. Rauschenbach, Phys. Rev. B 57, 2530 (1998).
8. C. Ronning, N. Dalmer, M. Deicher, M. Restle, M. D. Brenser, R. F. Davis, and H. Hofsass, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 468, 407 (1997).
9. H. Kobayashi and W. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 73, 1406 (1998).
10. T. Suski, J. Jun, M. Leszczynski, H. Teisseyre, I. Grzegopy, S. Porowski, J. M. Baranowski, A. Rockett, S. Strite, A. Stanert, A. Turos, H. H. Tan, J. S. Williams, and C. Jagadish Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 703 (1998).
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
12. J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
13. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
14. J. C. Zolper, J. Han, S. B. Van Deusen, R. M. Biefeld, M. H. Crawford, J. Han, T. Suski, J. M. Baranowski, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 609 (1998).
15. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2364 (1996).
16. J. Burm, K. Chu, W. A. Davis, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and T. J. Eustis, Appl. Phys. Lett. 70, 464 (1997).
17. J. C. Zolper, J. Han, R. M. Biefeld, S. B. Van Deusen, W. R. Wampler, D. J. Reiger, S. J. Pearton, J. S. Williams, H. H. Tan, and R. Stall, J. Electron. Mater. 27, 179 (1998).
18. J. C. Zolper, D. J. Reiger, A. G. Baca, S. J. Pearton, J. W. Lee, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 538 (1996).
19. M. Fu, V. Sarvepalli, R. K. Singh, C. R. Abernathy, X. A. Cao, S. J. Pearton, and J. A. Sekhar, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 345 (1998).
20. X. A. Cao, C. R. Abernathy, R. K. Singh, S. J. Pearton, M. Fu, V. Sarvepalli, J. A. Sekhar, J. C. Zolper, D. J. Rieger, J. Han, T. J. Drummond, R. J. Shul, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 73, 229 (1998).
21. M. S. Feng, J. D. Guo, and G. C. Chi, Proc. Electrochem. Soc. 95-21, 43 (1995).
22. C. C. Yi and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 69, 3026 (1996).
23. P. Bogulawski, E. L. Briggs, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995).
24. C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, S. J. Pearton, and W. S. Hobson, Appl. Phys. Lett. 66, 1969 (1995).