Electric field distribution in strained p-i-n GaN/InGaN multiple quantum well structures

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research

Volumn 4, Issue , 1999, Pages

  Cartwright, A N ^a   Sweeney, Paul M ^a   Prunty, Thomas ^a   Bour, David P ^b   Kneissl, Michael ^b  

^a UNIVERSITY AT BUFFALO   (United States)

^b PALO ALTO RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC FIELD EFFECTS; OPTOELECTRONIC DEVICES; OSCILLATORS (ELECTRONIC); PERMITTIVITY; PHOTOLUMINESCENCE; PIEZOELECTRICITY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

CARRIER DYNAMICS; ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION; PIEZOELECTRIC FIELDS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0004170478     PISSN: 10925783     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1557/S1092578300000685     Document Type: Article

References (31)

1. S. Nakamura, J. Cryst. Growth 170, 11-15 (1997).
2. D. P. Bour, M. Kneissl, L. T. Romano, M. D. McCluskey, C. C. Van deWalle, B. S. Krusor, R. M. Donaldson, J. Walker, C. J. Dunnrowicz, N. M. Johnson, IEEE J. Selected Topics Quantum Electron. 4, 498 (1998).
3. S Nakamura, M Senoh, S Nagahama, N Iwasa, T Yamada, T Matsushita, H Kiyoku, Y Sugimoto, T Kozaki, H Umemoto, M Sano, K Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L309(1998).
4. S. Nakamura, Mater. Res. Bull. 23, 37 (1998).
5. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L627 (1998).
6. S. Nakamura, IEEE J. Quantum Electron. 4, 483 (1998).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
8. T. Deguchi, A. Shikanai, K. Torii, T. Sota, S. Chichibu, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 72, 3329 (1998).
9. W. Liu, K. L. Teo, M. F. Li, S. J. Chua, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, K. Matsumoto, J. Cryst. Growth 190, 648 (1998).
10. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleischer, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldren, S. P. DenBaars, T. Sota, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
11. Andreas Hangleiter , Jin Seo Im, H. Kollmer, S. Heppel, J. Off, Ferdinand Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 15 (1998).
12. J. L. Sanchezrojas, A. Sacedon, A. Sanzhervas, E. Calleja, E. Munoz, E. J. Abril, M. Aguilar, M. Lopez, Semicond. Sci. Technol. 10, 1173 (1995).
13. J. L. Sanchezrojas, A. Sacedon, F. Calle, E. Calleja, E. Munoz, Appl. Phys. Lett. 65, 2214 (1994).
14. X. R. Huang, D. R. Harken, A. N. Cartwright, A. L. Smirl, J. L. Sanchezrojas, A. Sacedon, E. Calleja, E. Munoz, Appl. Phys. Lett. 67, 950 (1995).
15. G. Bastard, E. E. Mendez, L. L. Chang, L. Esaki, Phys. Rev. B 26, 1974 (1982).
16. W. Chow, M. Kira, S. W. Koch, Phys. Rev. B 68, 1947 (1999).
17. W. W. Chow, H. Amano, T. Takeuchi, J. Han, Appl. Phys. Lett. 75, 244 (1999).
18. A. S. Pabla, J. L. Sanchezrojas, J. Woodhead, R. Grey, J. P. R. David, G. J. Rees, G. Hill, M. A. Pate, P. N. Robson, R. A. Hogg, T. A. Fisher, A. R. K. Willcox, D. M. Whittaker, M. S. Skolnick, D. J. Mowbray, Appl. Phys. Lett. 63, 752 (1993).
19. Christian Wetzel, Shugo Nitta, Tetsuya Takeuchi, Shigeo Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 31 (1998).
20. A. N. Cartwright, D. S. McCallum, T. F. Boggess, A. L. Smirl, T. S. Moise, L. J. Guido, R. C. Barker, B. S. Wherrett, J. Appl. Phys. 73, 7767 (1993).
21. X. R. Huang, D. R. Harken, A. N. Cartwright, D. S. McCallum, A. L. Smirl, J. L. Sanchezrojas, A. Sacedon, F. Gonzalezsanz, E. Calleja, E. Munoz, J. Appl. Phys. 76, 7870 (1994).
22. X. R. Huang, A. N. Cartwright, D. R. Harken, D. S. McCallum, A. L. Smirl, J. L. SanchezRojas, A. Sacedon, E. Calleja, E. Munoz, J. Appl. Phys. 79, 417 (1996).
23. J. Allegre, P. Lefebvre, W. Knap, J. Camassel, Q. Chen, M. A. Khan, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 34 (1997).
24. C. K. Sun, T. L. Chiu, S. Keller, G. Wang, M. S. Minsky, S. P. DenBaars, J. E. Bowers, Appl. Phys. Lett. 71, 425 (1997).
25. W Li, P Bergman, B Monemar, H Amano, I Akasaki, J. Appl. Phys. 81, 1005-1007 (1997).
26. CK Sun, S Keller, G Wang, MS Minsky, JE Bowers, SP DenBaars, Appl. Phys. Lett. 69, 1936-1938 (1996).
27. T. Wang, D. Nakagawa, J. Wang, T. Sugahara, S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 73, 3571 (1998).
28. A. N. Cartwright, "Nonlinear optical properties of hetero n-i-p-i device structures", Thesis in Electrical and Computer Engineering. Iowa City: University of Iowa, (1995)
29. M. Livingstone, I. Galbraith, B. S. Wherrett, Appl. Phys. Lett. 65, 2771 (1994).
30. M. Livingstone, I. Galbraith, B. S. Wherrett, Nuov. Cim. D 17, 1595 (1995).
31. A. N. Cartwright, X. R. Huang, A. L. Smirl, IEEE J. Quantum Electron. 31, 1726 (1995).