InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with cleaved facets grown on GaN substrates

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 832-834

  Nakamura, Shuji ^a   Senoh, Masayuki ^a   Nagahama, Shin Ichi ^a   Iwasa, Naruhito ^a   Yamada, Takao ^a   Matsushita, Toshio ^a   Kiyoku, Hiroyuki ^a   Sugimoto, Yasunobu ^a   Kozaki, Tokuya ^a   Umemoto, Hitoshi ^a   Sano, Masahiko ^a   Chocho, Kazuyuki ^a  

^a NICHIA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0344670488     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122016     Document Type: Article

References (9)

1. For a review, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 1997).
2. K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L1315 (1996).
3. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzena, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
4. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997) (available from http://nsr.mij.mrs.org/2/41/).
5. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1130 (1997).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mat- sushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
7. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
8. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
9. D. Hofstetter, D. P. Bour, R. L. Thornton, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 70, 1650 (1997).