The effect of threading dislocations, Mg doping, and etching on the spectral responsivity in GaN-based ultraviolet detectors

Journal of Applied Physics

Volumn 86, Issue 8, 1999, Pages 4588-4593

  Torvik, J T ^a   Pankove, J I ^a   Nakamura, S ^b   Grzegory, I ^c   Porowski, S ^c  

^a Astralux Inc   (United States)

^b NICHIA CORPORATION   (Japan)

^c INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001390996     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371407     Document Type: Article

References (32)

1. M. S. Shur and M. A. Khan, in Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1999), Vol. 57.
2. Semiconductors and Semimetals, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, New York, 1998), Vol. 50.
3. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
4. See, for example, S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981), p. 748.
5. G. Y. Xu, A. Salvador, W. Kim, Z. Fan, C. Lu, H. Tang, H. Morkoc, G. Smith, M. Estes, B. Goldenberg, W. Yang, and S. Krishnankutty, Appl. Phys. Lett. 71, 2154 (1997).
6. J. M. Van Hove, R. Hickman, J. J. Klaassen, P. P. Chow, and P. P. Ruden, Appl. Phys. Lett. 70, 2282 (1997).
7. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
8. J. T. Torvik, J. I. Pankove, and B. Van Zeghbroeck, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1326 (1999).
9. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
10. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
11. M. A. L. Johnson, Z. Yu, T. McNulty, J. D. Brown, J. W. Cook, and J. F. Schetzina, Abstract B3, p. 3, 40th Electronic Materials Conference, Charlottesville, VA, June 24-26, 1998.
12. J. T. Torvik, J. I. Pankove, E. Iliopoulos, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 244 (1998).
13. D. Kapolnek, S. Keller, R. Ventury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
14. S. Nakamura, Mater. Res. Bull. 23, 37 (1998).
15. See, for example, S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
16. I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, M. Wróblewski, S. Krukowski, J. Weyher, G. Nowak, T. Suski, M. Leszczynski, H. Teisseyre, E. Litwin-Staszewska, and S. Porowski, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 15 (1998).
17. S. Porowski, M. Bockowski, B. Lucznik, I. Grzegory, M. Wróblewski, H. Teisseyre, M. Leszczynski, E. Litwin-Staszewska, T. Suski, P. Trautman, K. Pakula, and J. Barabowski, Acta Phys. Pol. A 92, 958 (1997).
18. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 2014 (1998).
19. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L309 (1998).
20. C. H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M. W. Leksono, and J. I. Pankove, Appl. Phys. Lett. 66, 2712 (1995).
21. B. Monemar, J. P. Bergman, and I. Y. Buyanova, in Optical Properties of Semiconductors and Superlattices, edited by S. Pearton (Gordon and Breach, Amsterdam, 1997), Vol. 2, p. 90.
22. J. I. Pankove, J. T. Torvik, C.-H. Qiu, I. Grzegory, S. Porowski, P. Quigley, and B. Martin, Appl. Phys. Lett. 74, 416 (1999).
23. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
24. J. I. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971), p. 46.
25. V. S. Vavilov, Sov. Phys. Usp. 4, 761 (1962).
26. P. Perlin, T. Suski, M. Leszczynski, and H. Teisseyre, in Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, edited by M. O. Manasreh (Gordon and Breach, Amsterdam, 1997), Vol. 2, p. 318.
27. V. A. Dmitriev, K. G. Irvine, C. H. Carter, Jr., N. I. Kuznetsov, and E. V. Kalinina, Appl. Phys. Lett. 68, 229 (1996).
28. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 72, 3276 (1998).
29. W. Yang, T. Nohava, S. Krishnankutty, R. Torreano, S. McPherson, and H. Marsh, Appl. Phys. Lett. 73, 978 (1998).
30. Z. Z. Bandic, P. M. Bridger, E. C. Piquette, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 72, 3166 (1998).
31. F. A. Kish, F. M. Steranka, D. C. DeFevere, D. A. Vanderwater, K. G. Park, C. P. Kuo, T. D. Osentowski, M. J. Peanasky, J. G. Yu, R. M. Fletcher, D. A. Steigerwald, M. G. Craford, and V. M. Robbins, Appl. Phys. Lett. 64, 2839 (1994).
32. E. T. Yu, G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, C. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).