Low dielectric constant SiO2:C,F films prepared from Si(OC2H5)4/C4F8/Ar by plasma-enhanced CVD

Chemical Vapor Deposition

Volumn 7, Issue 4, 2001, Pages 142-146

  Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a   Wang, Ji Tao ^a   Lee, Wei William ^b  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

^b TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001059695     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/1521-3862(200107)7:4<142::AID-CVDE142>3.0.CO;2-C     Document Type: Article

References (28)

1. W. W. Lee, P. S. Ho, MRS Bulletin 1997, 22, 19.
2. T. Homma, Mater. Sci. Eng. 1998, R23, 243.
3. V. F. Dorfman, Thin Solid Films 1992, 272, 267.
4. J. Z. Wan, F. H. Pollak, B. F. Dorfman, J. Appl. Phys. 1997, 81, 6407.
5. P. Asokakumar, B. F. Dorfman, M. G. Abraizov, D. Yan, F. H. Pollak, J. Vac. Sci. Technol. A 1995, 13, 1044.
6. Z. Y. Rong, M. Abraizov, B. Dorfman, M. Strongin, X.-O. Yang, D. Yan, F. H. Pollak, Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 1379.
7. Y. Z. Zhou, S. Qin, C. Chan, P. K. Chu, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998, 511, 63.
8. J. Lubguban Jr., A. Saitoh, Y. Kurata, T. Inokuma, S. Hasegawa, Thin Solid Films 1999, 337, 67.
9. A. M. Wrobel, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, S. Wickramanayaka, Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 2866.
10. S.-M. Yun, H.-Y. Chang, M.-S. Kang, C-K. Choi, Thin Solid Films 1999, 341, 109.
11. A. M. Wrobel, A. Walkiewicz-Pietrzykowska, M. Stasiak, J. Kulpinski, Chem. Vap. Deposition 1996, 2, 285.
12. S.-J. Ding, P.-F. Wang, D. W. Zhang, J.-T. Wang, W. W. Lee, J. Phys. D: Appl. Phys. 2001, 34, 155.
13. G. Lucovsky, J. Yang, S. S. Chao, J. E. Tyler, W. Czubatyj, Phys. Rev. B: Condens. Matter 1983, 28, 3225.
14. L. He, T. Inokuma, Y. Kurata, S. Hasegawa, J. Non-Cryst. Solids 1995, 185, 249.
15. G. Lucovsky, C. K. Wong, W. B. Pollard, J. Non-Cryst. Solids 1983, 59-60, 839.
16. A. Vanhulsel, E. Dekempeneer, J. Smeets, J.-P. Cells, J Vac. Sci. Technol. A 1999, 17, 378.
17. J. Seth, S. V. Babu, Thin Solid Films 1993, 230, 90.
18. H. Wieder, M. Cardona, C. R. Guarnieri, Phys. Status Solidi B 1979, 92, 99.
19. M. Yoshimaru, S. Koizumi, K. Shimokawa, Y. Mori, H. Fukuda, N. Matsuki, J. Vac. Sci. Technol. A 1999, 17, 425.
20. S. F. Durrant, S. G. C. Castro, L. E. Bolívar-Marinez, D. S. Galvão, M. A. B. Moraes, Thin Solid Films 1997, 304, 149.
21. S. Agraharam, D. W. Hess, P. A. Kohl, S. A. B. Allen, J. Vac. Sci. Technol. A 1999, 17, 3265.
22. J. Tanaka, C. F. Abrams, D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 2000, 18, 938.
23. W. S. Cho, Y. S. Oh, C. S. Kim, M. Osada, M. Kakihana, D. S. Lim, D. S. Cheong, J. Alloys Compd. 1999, 285, 255.
24. A. Kakanakova-Georgieva, T. Marinova, O. Noblanc, C. Arnodo, S. Cassette, C. Brylinski, Thin Solid Films 1999, 337, 180.
25. G. Lucovsky, M. J. Manitini, J. K. Srivastava, J. P. Celis, J. Vac. Sci. Technol. B 1987, 5, 530.
26. Y. Nakasaki, H. Miyajima, R. Katsumata, N. Hayasaka, Jpn. J. Appl. Phys. 1997, 36, 2545.
27. K. Yamamoto, M. Tsuji, K. Washio, H. Kasahara, K. Abe, J. Appl. Phys. 1983, 52, 925.
28. S. E. Alexandrov, M. L. Hitchman, Chem. Vap. Deposition 1997, 3, 111.