Nanoscale selective-area epitaxial growth of Si using an ultrathin SiO2/Si3Ni4 mask patterned by an atomic force microscope

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 24, 2000, Pages 3917-3919

  Yasuda, T ^a   Yamasaki, S ^a   Gwo, S ^b  

^a JT RES CENTER FOR ATOM TECHNOLOGY   (Japan)

^b NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001043171     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1331078     Document Type: Article

References (24)

1. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, and J. Bennet, Appl. Phys. Lett. 56, 2001 (1990); J. A. Dagata, Science 270, 1625 (1995), and references therein.
2. J. A. Dagata, J. Schneir, H. H. Harary, C. J. Evans, M. T. Postek, and J. Bennet, Appl. Phys. Lett. 56, 2001 (1990); J. A. Dagata, Science 270, 1625 (1995), and references therein.
3. T.-C. Shen, C. Wang, G. A. Abeln, J. R. Tucker, J. W. Lyding, Ph. Avouris, and R. E. Walkup, Science 268, 1590 (1995).
4. E. S. Snow and P. M. Campbell, Science 270, 1639 (1995).
5. M. Despont, J. Brugger, U. Drechsler, U. Duerig, J. Rothuizen, R. Stutz, H. Rohrer, G. Binnig, and P. Vettiger, Tech., Dig. IEEE Micro. Electro. Mech. Syst. 12, 564 (1999).
6. Ph. Avouris, T. Hertel, and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997).
7. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and J. Yokoyama, J. Appl. Phys. 84, 6891 (1998).
8. E. B. Cooper, S. R. Manalis, H. Fang, H. Dai, K. Matsumoto, S. C. Minne, T. Hunt, and C. Quate, Appl. Phys. Lett. 75, 3566 (1999).
9. S. Gwo, C.-L. Yeh, P.-F. Chen, Y.-C. Chou, T. T. Chen, T. S. Chao, S.-F. Hu, and T.-Y. Huang, Appl. Phys. Lett. 74, 1090 (1999).
10. F. S.-S. Chien, J.-W. Chang, S.-W. Lin, S. Gwo, Y.-C. Chou, T. T. Chen. T.-S. Chao, and W. F. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 76, 360 (2000).
11. For example, Proceedings of the 7th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, Yokohama, Japan, 1994, edited by Y. Horikoshi and S. Minagawa [J. Cryst. Growth 145, 237 (1994)].
12. T. Yasuda, D. S. Hwang, J. W. Park, K. Ikuta, S. Yamasaki, and K. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 74, 653 (1999).
13. D.-S. Hwang, T. Yasuda, K. Ikuta, S. Yamasaki, and K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4204 (1998); Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1087 (1998).
14. D.-S. Hwang, T. Yasuda, K. Ikuta, S. Yamasaki, and K. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 4204 (1998); Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1087 (1998).
15. T. Yasuda, M. Nishizawa, S. Yamasaki, and K. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1752 (2000); Appl. Phys. Lett. 76, 3203 (2000).
16. T. Yasuda, M. Nishizawa, S. Yamasaki, and K. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1752 (2000); Appl. Phys. Lett. 76, 3203 (2000).
17. G. P. Kennedy, O. Buiu, and S. Taylor, J. Appl. Phys. 85, 3319 (1999).
18. R. Tromp, G. W. Rubloff, P. Balk, F. K. LeGoues, and E. J. van Loenen, Phys. Rev. Lett. 55, 2332 (1985).
19. L. E. Davis, N. C. MacDonald, P. W. Palmberg, G. E. Riach, and R. E. Weber, Handbook of Auger Electron Apectroscopy (Physical Electronics Industries, Eden Prairie, MN, 1976).
20. B. S. Mayerson, Appl. Phys. Lett. 48, 79-7 (1986).
21. T. Tatsumi, K. Akegawa, M. Hiroin, and J. Sakai, J. Cryst. Growth 120, 275 (1992).
22. Y. Kobayashi and K. Sugii, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2308 (1992).
23. For example, E. Cartier, J. H. Stathis, and D. A. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 63, 1510 (1993).
24. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. R. Brueck, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett. 76, 858 (2000).