Oxidation of silicon nitride films in an oxygen plasma

Journal of Applied Physics

Volumn 85, Issue 6, 1999, Pages 3319-3326

  Kennedy, G P ^a   Buiu, O ^a   Taylor, S ^a  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0008567595     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.369678     Document Type: Article

References (32)

1. R. Ditchfield and E. G. Seebauer, J. Electrochem. Soc. 144, 1842 (1997).
2. Y. M. Lin, S. M. Jang, C. H. Yu, T. F. Lei, and J. Y. Chen, J. Electrochem. Soc. 144, 2525 (1997).
3. S. Taylor, K. J. Barlow, W. Eccleston, and A. Kiermasz, IEE Electron. Lett. 23, 309 (1987).
4. S. Taylor, W. Eccleston, J. Ringnalda, D. M. Maher, D. J. Eaglesham, and C. J. Humphries, J. de Physique C4, 393 (1988).
5. S. Taylor, J. F. Zhang, and W. Eccleston, Semicond. Sci. Technol. 8, 1426 (1993).
6. G. P. Kennedy, S. Taylor, W. Eccleston, and M. J. Uren, Microelectron. J. 25, 485 (1994).
7. S. Taylor, G. Kennedy, and W. Eccleston, Vacuum 38, 643 (1988).
8. N. Griffin, D. J. Paul, M. Pepper, S. Taylor, W. Eccleston, J. M. Fernandez, and B. A. Joyce, Microelectron. Eng. 35, 309 (1997).
9. D. C. Chappel, S. Taylor, J. P. Smith, W. Eccleston, M. Das, and J. Cooper Melloch, IEE Electron. Lett. 33, 97 (1997).
10. J. F. Zhang, S. Taylor, W. Eccleston, M. E. Law, and D. W. E. Allsop, IEE Coll. Digest 3, 1 (1990).
11. M. Y. Hao, W. M. Chen, K. Lai, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 66, 1126 (1995).
12. S. B. Yang, S. Kim, J. Byun, and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 65, 2448 (1994).
13. Z. Ma, Z. H. Liu, J. T. Krick, H. J. Huang, Y. C. Cheng, C. Hu, and P. K. Ko. IEEE Electron Device Lett. 41, 1364 (1994).
14. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
15. Z. Q. Yau, H. B. Harrison, S. Dimitrijev, D. Swearman, and Y. T. Yeow, Appl. Phys. Lett. 64, 3584 (1994).
16. O. Buiu, G. P. Kennedy, M. Gartner, and S. Taylor, IEEE Trans. Plasma Sci. (in press).
17. R. Goswami, J. B. Butcher, R. Ginige, J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, Electron. Lett. 24, 1269 (1988).
18. G. P. Kennedy, S. Taylor, W. Eccleston, W. M. Arnoldbik, and F. H. P. M. Habracken, Microelectron. Eng. 28, 141 (1995).
19. B. L. Yang, H. Wong, and Y. C. Cheng, Solid-State Electron. 37, 481 (1994).
20. G. Lukovsky, Y. Ma, S. V. Hattangady, D. R. Lee, Z. Lu, V. Misra, J. J. Wortman, Z. Jing, and J. L. Whitten, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 7061 (1994).
21. S. R. Kaluri and D. W. Hess, J. Electrochem. Soc. 145, 662 (1998).
22. S. R. Kaluri and D. W. Hess, J. Electrochem. Soc. 144, 2200 (1997).
23. M. Kuhn, Solid-State Electron. 13, 873 (1970).
24. W. A. Pliskin, J. Electrochem. Soc. 134, 2819 (1987).
25. J. Frenkel, Phys. Rev. 36, 1604 (1938).
26. S. M. Sze, J. Appl. Phys. 38, 2951 (1967).
27. M. Lenzlinger and E. H. Snow, J. Appl. Phys. 40, 278 (1969).
28. Z. A. Weinberg, J. Appl. Phys. 53, 5052 (1982).
29. J. F. Zhang, S. Taylor, and W. Eccleston, J. Appl. Phys. 71, 5989 (1992).
30. M. Tao, D. Park, S. N. Mohammad, D. Li, A. E. Botchkerav, and H. Morkoç, Philos. Mag. B 73, 723 (1996).
31. J. Robertson, Philos. Mag. B 69, 307 (1994).
32. J. Robertson, Philos. Mag. B 63, 47 (1991).