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Volumn 2, Issue , 2001, Pages 1217-1219

Effect of dislocations in photoelectrochemical etching process of N-type GaN

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EID: 84964501701     PISSN: None     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/ICSICT.2001.982119     Document Type: Conference Paper
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References (14)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.