Suppressing Twin Formation in Bi2Se3 Thin Films

Advanced Materials Interfaces

Volumn 1, Issue 5, 2014, Pages

  Tarakina, N V ^a   Schreyeck, S ^a   Luysberg, M ^b   Grauer, S ^a   Schumacher, C ^a   Karczewski, G ^a,c   Brunner, K ^a   Gould, C ^a   Buhmann, H ^a   Dunin Borkowski, R E ^b   Molenkamp, L W ^a  

^a UNIVERSITY OF WÜRZBURG   (Germany)

^b FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

^c INSTITUTE OF PHYSICS   (Poland)

Author keywords

microstructure; thin films; topological insulators; twins

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; BISMUTH COMPOUNDS; ELECTRIC INSULATORS; HIGH RESOLUTION TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; III-V SEMICONDUCTORS; INDIUM PHOSPHIDE; INTERFACES (MATERIALS); MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SELENIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SUBSTRATES; SURFACE ROUGHNESS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION;

ANTIPHASE DOMAIN BOUNDARY; SCANNING TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; STRUCTURAL DEFECT; SUBSTRATE SURFACE; TOPOLOGICAL INSULATORS; TWIN-FREE FILMS; TWINS; X RAY REFLECTIVITY;

THIN FILMS;

EID: 84930231564     PISSN: None     EISSN: 21967350     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/admi.201400134     Document Type: Article

References (34)

1. F. Rosi, B. Abeles, R. Jensen, J. Phys. Chem. Sol. 1959, 10, 191.
2. A. Al Bayaz, A. Giani, M. Al Khalfioui, A. Foucaran, F. Pascal-Delannoy, A. Boyer, J. Cryst. Growth 2003, 258, 135.
3. X. Qiu, L. N. Austin, P. A. Muscarella, J. S. Dyck, C. Burda, Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45, 5656.
4. X. L. Qi, S. C. Zhang, Phys. Today 2010, 63, 33.
5. M. Z. Hasan, C. L. Kane, Rev. Mod. Phys. 2010, 82, 3045.
6. H. Zhang, C.-X. Liu, X.-L. Qi, X. Dai, Z. Fang, S.-C. Zhang, Nat. Phys. 2009, 5, 438.
7. D. Hsieh, Y. Xia, D. Qian, L. Wray, J. H. Dil, F. Meier, J. Osterwalder, L. Patthey, J. G. Checkelsky, N. P. Ong, A. V. Fedorov, H. Lin, A. Bansil, D. Grauer, Y. S. Hor, R. J. Cava, M. Z. Hasan, Nature 2009, 460, 1101.
8. D. Kim, S. Cho, N. P. Butch, P. Syers, K. Kirshenbaum, S. Adam, J. Paglione, M. S. Fuhrer, Nat. Phys. 2012, 8, 459.
9. Y. S. Hor, A. Richardella, P. Roushan, Y. Xia, J. G. Checkelsky, A. Yazdani, M. Z. Hasan, N. P. Ong, R. J. Cava, Phys. Rev. B 2009, 79, 195208.
10. Y. Zhang, C.-Z. Chang, K. He, L.-L. Wang, X. Chen, J.-F. Jia, X.-C. Ma, Q.-K. Xue, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 194102.
11. C.-L. Song, Y.-L. Wang, Y.-P. Jiang, Y. Zhang, C.-Z. Chang, L. Wang, K. He, X. Chen, J.-F. Jia, Y. Wang, Z. Fang, X. Dai, X.-C. Xie, X.-L. Qi, S.-C. Zhang, Q.-K. Xue, X. Ma, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 143118.
12. H. Beidenkopf, P. Roushan, J. Seo, L. Gorman, I. Drozdov, Y. S. Hor, R. J. Cava, A. Yazdani, Nat. Phys. 2011, 7, 939.
13. H. D. Li, Z. Y. Wang, X. Kan, X. Guo, H. T. He, Z. Wang, J. N. Wang, T. L. Wong, N. Wang, M. H. Xie, New J. Phys. 2010, 12, 103038.
14. L. He, F. Xiu, Y. Wang, A. V. Fedorov, G. Huang, X. Kou, M. Lang, W. P. Beyermann, J. Zou, K. L. Wang, J. Appl. Phys. 2011, 109, 103702.
15. N. Bansal, Y. S. Kim, E. Edrey, M. Brahlek, Y. Horibe, K. Iida, M. Tanimura, G.-H. Li, T. Feng, H.-D. Lee, T. Gustafsson, E. Andrei, S. Oh, Thin Solid Films 2011, 520, 224.
16. Z. Y. Wang, H. D. Li, X. Guo, W. K. Ho, M. H. Xie, J. Cryst. Growth 2011, 334, 96.
17. A. Richardella, D. M. Zhang, J. S. Lee, A. Koser, D. W. Rench, A. L. Yeats, B. B. Buckley, D. D. Awschalom, N. Samarth, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 262104.
18. P. Tabor, C. Keenan, S. Urazdhin, D. Lederman, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 013111.
19. S. Schreyeck, N. V. Tarakina, G. Karczewski, C. Schumacher, T. Borzenko, C. Brüne, H. Buhmann, C. Gould, K. Brunner, L. W. Molenkamp, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 041914.
20. N. V. Tarakina, S. Schreyeck, T. Borzenko, C. Schumacher, G. Karczewski, K. Brunner, C. Gould, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, Cryst. Growth Des. 2012, 12, 1913.
21. X. Guo, Z. J. Xu, H. C. Liu, B. Zhao, X. Q. Dai, H. T. He, J. N. Wang, H. J. Liu, W. K. Ho, M. H. Xie, Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 151604.
22. Z. Xu, X. Guo, M. Y. Lao, H. T. He, L. Miao, L. Jiao, H. C. Liu, J. H. Wang, D. Qian, J. F. Jia, W. K. Ho, M. H. Xie, Adv. Mater. 2013, 25, 1557.
23. J. Chen, H. J. Qin, F. Yang, J. Liu, T. Guan, F. M. Qu, G. H. Zhang, J. R. Shi, X. C. Xie, C. L. Yang, K. H. Wu, Y. Q. Li, L. Lu, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 176602.
24. G. Zhang, H. Qui, J. Chen, X. He, L. Lu, Y. Li, K. Wu, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2351.
25. Y. Takagaki, B. Jenichen, J. Tominaga, Phys. Rev. B 2013, 87, 245302.
26. N. Frangis, S. Kuypers, C. Manolikas, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, S. Amelinckx, J. Solid State Chem. 1990, 84, 314.
27. N. Frangis, S. Kuypers, C. Manolikas, J. Van Landuyt, S. Amelinckx, Solid State Commun. 1989, 69, 817-819.
28. Y. Jiang, Y. Wang, J. Sadendorf, D. West, X.-F. Kou, X. Wei, L. He, K. L. Wang, S. Zang, Z. Zang, Nano Lett. 2013, 13, 2851.
29. S. Nakajima, J. Phys. Chem. Solids 1963, 24, 479-485.
30. L. Seixas, L. B. Abdalla, T. M. Schmidt, A. Fazzio, R. H. Miwa, J. Appl. Phys. 2013, 113, 023705.
31. A. Authier, International Tables of Crystallography: Volume D, International Union of Crystallography, Chester, UK 2003, p. 394.
32. S. Borisova, J. Krumrain, M. Luysberg, G. Mussler, D. Grützmacher, Cryst. Growth Des. 2012, 12, 6098.
33. Y. Liu, Y. Y. Li, D. Gilks, V. K. Lazarov, M. Weinert, L. Li, Phys. Rev. Lett. 2013, 110, 186804.
34. P. A. Stadelmann, Ultramicroscopy 1987, 22, 131.