Single domain Bi2Se3 films grown on InP(111)A by molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 102, Issue 15, 2013, Pages

  Guo, X ^a   Xu, Z J ^a   Liu, H C ^b   Zhao, B ^c   Dai, X Q ^c,d   He, H T ^b,e   Wang, J N ^b   Liu, H J ^a   Ho, W K ^a   Xie, M H ^a  

^a UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Hong Kong)

^c HENAN NORMAL UNIVERSITY   (China)

^d ZHENGZHOU NORMAL UNIVERSITY   (China)

^e SOUTHERN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL INTERACTIONS; CRYSTALLINE FILMS; EHRLICH-SCHWOEBEL BARRIER; HETERO INTERFACES; LANDAU QUANTIZATION; MAGNETORESISTANCE MEASUREMENTS; STEP-FLOW GROWTH; VAN DER WAALS EPITAXY;

EPITAXIAL FILMS; EPITAXIAL GROWTH; FILM GROWTH; MOLECULAR BEAMS; VAN DER WAALS FORCES;

SEMICONDUCTING SELENIUM COMPOUNDS;

EID: 84877100743     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4802797     Document Type: Article

References (29)

1. Y. Xia, D. Qian, D. Hsieh, L. Wray, A. Pal, H. Lin, A. Bansil, D. Grauer, Y. S. Hor, R. J. Cava, and M. Z. Hasan, Nat. Phys. 5, 398 (2009). 10.1038/nphys1274
2. H. J. Zhang, C. X. Liu, X. L. Qi, X. Dai, Z. Fang, and S. C. Zhang, Nat. Phys. 5, 438 (2009). 10.1038/nphys1270
3. G. H. Zhang, H. J. Qin, J. Teng, J. D. Guo, Q. L. Guo, X. Dai, Z. Fang, and K. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 95, 053114 (2009). 10.1063/1.3200237
4. H. D. Li, Z. Y. Wang, X. Kan, X. Guo, H. T. He, Z. Wang, J. N. Wang, T. L. Wong, N. Wang, and M. H. Xie, New J. Phys. 12, 103038 (2010). 10.1088/1367-2630/12/10/103038
5. A. Richardella, D. M. Zhang, J. S. Lee, A. Koser, D. W. Rench, A. L. Yeats, B. B. Buckley, D. D. Awschalom, and N. Samarth, Appl. Phys. Lett. 97, 262104 (2010). 10.1063/1.3532845
6. X. F. Kou, L. He, F. X. Xiu, M. R. Lang, Z. M. Liao, Y. Wang, A. V. Fedorov, X. X. Yu, J. S. Tang, G. Huang, X. W. Jiang, J. F. Zhu, J. Zou, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 98, 242102 (2011). 10.1063/1.3599540
7. C. L. Song, Y. L. Wang, Y. P. Jiang, Y. Zhang, C. Z. Chang, L. L. Wang, K. He, X. Chen, J. F. Jia, Y. Y. Wang, Z. Fang, X. Dai, X. C. Xie, X. L. Qi, S. C. Zhang, Q. K. Xue, and X. C. Ma, Appl. Phys. Lett. 97, 143118 (2010). 10.1063/1.3494595
8. J. Chen, H. J. Qin, F. Yang, J. Liu, T. Guan, F. M. Qu, G. H. Zhang, J. R. Shi, X. C. Xie, C. L. Yang, K. H. Wu, Y. Q. Li, and L. Lu, Phys. Rev. Lett. 105, 176602 (2010). 10.1103/PhysRevLett.105.176602
9. G. H. Zhang, H. J. Qin, J. Chen, X. Y. He, L. Lu, Y. Q. Li, and K. H. Wu, Adv. Funct. Mater. 21, 2351 (2011). 10.1002/adfm.201002667
10. P. Tabor, C. Keenan, S. Urazdhin, and D. Lederman, Appl. Phys. Lett. 99, 013111 (2011). 10.1063/1.3609326
11. M. H. Liu, C. Z. Chang, Z. C. Zhang, Y. Zhang, W. Ruan, K. He, L. L. Wang, X. Chen, J. F. Jia, S. C. Zhang, Q. K. Xue, X. C. Ma, and Y. Y. Wang, Phys. Rev. B 83, 165440 (2011). 10.1103/PhysRevB.83.165440
12. Z. Y. Wang, H. D. Li, X. Guo, W. K. Ho, and M. H. Xie, J. Cryst. Growth 334, 96 (2011). 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.029
13. Y. Takagaki and B. Jenichen, Semicond. Sci. Technol. 27, 035015 (2012). 10.1088/0268-1242/27/3/035015
14. N. V. Tarakina, S. Schreyeck, T. Borzenko, C. Schumacher, G. Karczewski, K. Brunner, C. Gould, H. Buhmann, and L. W. Molenkamp, Cryst. Growth Des. 12, 1913 (2012). 10.1021/cg201636g
15. S. Schreyeck, N. V. Tarakina, G. Karczewski, C. Schumacher, T. Borzenko, C. Brüne, H. Buhmann, C. Gould, K. Brunner, and L. W. Molenkamp, Appl. Phys. Lett. 102, 041914 (2013). 10.1063/1.4789775
16. A. Koma, K. Sunouchi, and T. Miyajima, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 724 (1985). 10.1116/1.583125
17. A. Koma, J. Cryst. Growth 201, 236 (1999) 10.1016/S0022-0248(98)01329-3.
18. M. H. Xie, S. M. Seutter, W. K. Zhu, L. X. Zheng, H. S. Wu, and S. Y. Tong, Phys. Rev. Lett. 82, 2749 (1999). 10.1103/PhysRevLett.82.2749
19. Y. Liu, M. Weinert, and L. Li, Phys. Rev. Lett. 108, 115501 (2012). 10.1103/PhysRevLett.108.115501
20. W. K. Burton, N. Cabrera, and F. C. Frank, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 243, 299 (1951) 10.1098/rsta.1951.0006.
21. M. D. Johnson, C. Orme, A. W. Hunt, D. Graff, J. Sudijono, L. M. Sander, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 72, 116 (1994). 10.1103/PhysRevLett.72.116
22. J. A. Stroscio, D. T. Pierce, M. D. Stiles, A. Zangwill, and L. M. Sander, Phys. Rev. Lett. 75, 4246 (1995). 10.1103/PhysRevLett.75.4246
23. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996). 10.1103/PhysRevB.54.11169
24. E. Bauer and J. H. Vandermerwe, Phys. Rev. B 33, 3657 (1986). 10.1103/PhysRevB.33.3657
25. H. T. He, B. K. Li, H. C. Liu, X. Guo, Z. Y. Wang, M. H. Xie, and J. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 100, 032105 (2012). 10.1063/1.3677669
26. K. Eto, Z. Ren, A. A. Taskin, K. Segawa, and Y. Ando, Phys. Rev. B 81, 195309 (2010). 10.1103/PhysRevB.81.195309
27. K. Kuroda, M. Arita, K. Miyamoto, M. Ye, J. Jiang, A. Kimura, E. E. Krasovskii, E. V. Chulkov, H. Iwasawa, T. Okuda, K. Shimada, Y. Ueda, H. Namatame, and M. Taniguchi, Phys. Rev. Lett. 105, 076802 (2010). 10.1103/PhysRevLett.105.076802
28. M. Bianchi, D. D. Guan, S. N. Bao, J. L. Mi, B. B. Iversen, P. D. C. King, and P. Hofmann, Nat. Commun. 1, 128 (2010). 10.1038/ncomms1131
29. 3 grown on vicinal and rough substrates, and the Hall data measured at low-temperature but varying B-fields.