Formation mechanisms of gan nanowires grown by selective area growth homoepitaxy

Nano Letters

Volumn 15, Issue 2, 2015, Pages 1117-1121

  Gačević, Žarko ^a   Gómez Sánchez, Daniel ^a   Calleja, Enrique ^a  

^a UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

formation mechanism; GaN nanowires; molecular beam epitaxy; morphological evolution; selective area growth

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOCRYSTALS; NANOWIRES; SAPPHIRE;

EXPERIMENTAL EVIDENCE; FORMATION MECHANISM; FREE SURFACE ENERGY; GAN NANOWIRES; MORPHOLOGICAL EVOLUTION; SELECTIVE AREA GROWTH; SINGLE NANOCRYSTALS; THERMODYNAMICALLY STABLE;

GROWTH KINETICS;

EID: 84922695154     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl504099s     Document Type: Article

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