Graphene nanoribbons under mechanical strain

Advanced Materials

Volumn 27, Issue 2, 2015, Pages 303-309

  Chen, Changxin ^a,b   Wu, Justin Zachary ^a   Lam, Kai Tak ^c   Hong, Guosong ^a   Gong, Ming ^a   Zhang, Bo ^a   Lu, Yang ^c   Antaris, Alexander L ^a   Diao, Shuo ^a   Guo, Jing ^c   Dai, Hongjie ^a  

^a STANFORD UNIVERSITY   (United States)

^b SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY   (China)

^c University of Florida   (United States)

Author keywords

Bandgap modulation; Graphene nanoribbon field effect transistors (gnrfets); Graphene nanoribbons; Mechanical strain; Raman spectroscopy

Indexed keywords

ENERGY GAP; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; RAMAN SPECTROSCOPY; STRAIN;

BANDGAP MODULATION; GRAPHENE NANO-RIBBON; GRAPHENE NANORIBBONS; GRAPHENE NANORIBBONS (GNRS); MECHANICAL STRAIN; PHOTONICS APPLICATIONS; RAMAN SPECTROSCOPIC; STRAIN ENGINEERING;

NANORIBBONS;

EID: 84920728807     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201403750     Document Type: Article

References (51)

1. A. K. Geim, Science 2009, 324, 1530.
2. O. V. Yazyev, Acc. Chem. Res. 2013, 46, 2319.
3. A. N. Chaika, O. V. Molodtsova, A. A. Zakharov, D. Marchenko, J. Sánchez-Barriga, A. Varykhalov, I. V. Shvets, V. Y. Aristov, Nano Res. 2013, 6, 562.
4. N. Rouhi, S. Capdevila, D. Jain, K. Zand, Y. Y. Wang, E. Brown, L. Jofre, P. Burke, Nano Res. 2012, 5, 667.
5. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, A. K. Geim, Rev. Mod. Phys. 2009, 81, 109.
6. S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak, A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602.
7. A. K. Geim, Bull. Am. Phys. Soc. 55, abstr. J21.0004, March, 2010; http://meetings.aps.org/link/BAPS.2010.MAR.J21.4, accessed: October 2014.
8. A. A. Balandin, S. Ghosh, W. Z. Bao, I. Calizo, D. Teweldebrhan, F. Miao, C. N. Lau, Nano Lett. 2008, 8, 902.
9. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, J. Hone, Science 2008, 321, 385.
10. P. Avouris, Nano Lett. 2010, 10, 4285.
11. A. S. Mayorov, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, L. Britnell, R. Jalil, L. A. Ponomarenko, P. Blake, K. S. Novoselov, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. K. Geim, Nano Lett. 2011, 11, 2396.
12. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487.
13. L. Y. Jiao, L. M. Xie, H. J. Dai, Nano Res. 2012, 5, 292.
14. Y. W. Son, M. L. Cohen, S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 216803.
15. X. R. Wang, H. J. Dai, Nat. Chem. 2010, 2, 661.
16. L. M. Xie, L. Y. Jiao, H. J. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 14751.
17. L. Yang, M. P. Anantram, J. Han, J. P. Lu, Phys. Rev. B 1999, 60, 13874.
18. E. D. Minot, Y. Yaish, V. Sazonova, J. Y. Park, M. Brink, P. L. McEuen, Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 156401.
19. M. Y. Huang, Y. Wu, B. Chandra, H. Yan, Y. Shan, T. F. Heinz, J. Hone, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 136803.
20. Z. H. Ni, H. M. Wang, Y. Ma, J. Kasim, Y. H. Wu, Z. X. Shen, ACS Nano 2008, 2, 1033.
21. H. Tomori, A. Kanda, H. Goto, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi, S. Moriyama, E. Watanabe, D. Tsuya, Appl. Phys. Exp. 2011, 4, 075102.
22. R. Rasuli, H. Rafii-Tabar, A. Iraji zad, Phys. Rev. B 2010, 81, 125409.
23. M. Topsakal, V. M. K. Bagci, S. Ciraci, Phys. Rev. B 2010, 81, 205437.
24. V. M. Pereira, A. H. C. Neto, N. M. R. Peres, Phys. Rev. B 2009, 80, 045401.
25. S. M. Choi, S. H. Jhi, Y. W. Son, Phys. Rev. B 2010, 81, 081407.
26. M. Mohr, K. Papagelis, J. Maultzsch, C. Thomsen, Phys. Rev. B 2009, 80, 205410.
27. L. Y. Jiao, X. R. Wang, G. Diankov, H. L. Wang, H. J. Dai, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 321.
28. L. M. Xie, H. L. Wang, C. H. Jin, X. R. Wang, L. Y. Jiao, K. Suenaga, H. J. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 10394.
29. C. G. Tao, L. Y. Jiao, O. V. Yazyev, Y. C. Chen, J. J. Feng, X. W. Zhang, R. B. Capaz, J. M. Tour, A. Zettl, S. G. Louie, H. J. Dai, M. F. Crommie, Nat. Phys. 2011, 7, 616.
30. M. Topsakal, S. Ciraci, Phys. Rev. B 2010, 81, 024107.
31. H. Son, G. G. Samsonidze, J. Kong, Y. Y. Zhang, X. J. Duan, J. Zhang, Z. F. Liu, M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 253113.
32. F. Ding, H. X. Ji, Y. H. Chen, A. Herklotz, K. Dorr, Y. F. Mei, A. Rastelli, O. G. Schmidt, Nano Lett. 2010, 10, 3453.
33. C. W. Huang, R. J. Shiue, H. C. Chui, W. H. Wang, J. K. Wang, Y. H. Tzeng, C. Y. Liu, Nanoscale 2013, 5, 9626.
34. L. M. Malard, M. A. Pimenta, G. Dresselhaus, M. S. Dresselhaus, Phys. Rep. 2009, 473, 51.
35. O. Frank, G. Tsoukleri, I. Riaz, K. Papagelis, J. Parthenios, A. C. Ferrari, A. K. Geim, K. S. Novoselov, C. Galiotis, Nat. Commun. 2011, 2, 255.
36. S. Piscanec, M. Lazzeri, F. Mauri, A. C. Ferrari, Eur. Phys. J. Special Topics 2007, 148, 159.
37. R. J. Nemanich, S. A. Solin, Phys. Rev. B 1979, 20, 392.
38. G. Kresse, J. Furthmüller, Phys. Rev. B 1996, 54, 11169.
39. G. Kresse, J. Furthmüller, Comput. Mater. Sci. 1996, 6, 15.
40. K. Nakada, M. Fujita, G. Dresselhaus, M. Dresselhaus, Phys. Rev. B 1996, 54, 17954.
41. X. L. Li, X. R. Wang, L. Zhang, S. Lee, H. J. Dai, Science 2008, 319, 1229.
42. X. R. Wang, Y. J. Ouyang, X. L. Li, H. L. Wang, J. Guo, H. J. Dai, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 206803.
43. The International Technology Roadmap for Semiconductors, Semiconductor Industry Association, 2009: http://www.itrs.net/Links/2009ITRS/Home2009.htm, accessed: October 2014.
44. T. Fang, A. Konar, H. Xing, D. Jena, Phys. Rev. B 2008, 78, 205403.
45. D. Basu, M. J. Gilbert, L. F. Register, S. K. Banerjee, A. H. MacDonald, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 042114.
46. A. Togo, F. Oba, I. Tanaka, Phys. Rev. B 2008, 78, 134106.
47. J. P. Perdew, A. Zunger, Phys. Rev. B 1981, 23, 5048.
48. G. Kresse, D. Joubert, Phys. Rev. B 1999, 59, 1758.
49. J. Guo, Nanoscale 2012, 4, 5538.
50. Y. W. Son, M. L. Cohen, S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 216803.
51. C. T. White, J. Li, D. Gunlycke, J. W. Mintmire, Nano Lett. 2007, 7, 825.