Novel chemical route for atomic layer deposition of MoS2 thin film on SiO2/Si substrate

Nanoscale

Volumn 6, Issue 23, 2014, Pages 14453-14458

  Jin, Zhenyu ^a   Shin, Seokhee ^a   Kwon, Do Hyun ^a   Han, Seung Joo ^a   Min, Yo Sep ^a  

^a Konkuk University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL MODIFICATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; LAYERED SEMICONDUCTORS; MOLYBDENUM COMPOUNDS; MOLYBDENUM METALLOGRAPHY; SILICA; SILICON; SUBSTRATES; THIN FILMS; X RAY POWDER DIFFRACTION;

AS-GROWN FILMS; BASAL PLANES; CHEMICAL ROUTES; DIMETHYL DISULFIDES; EMERGING MATERIALS; LAYER BY LAYER; MOLYBDENUM HEXACARBONYL; TWO-DIMENSIONAL LAYERED STRUCTURES;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84908868640     PISSN: 20403364     EISSN: 20403372     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c4nr04816d     Document Type: Article

References (47)

1. A. K. Geim, Science, 2009, 324, 1530.
2. S. Z. Butler, et al., ACS Nano, 2013, 7, 2898.
3. M. Chhowalla, H. S. Shin, G. Eda, L. J. Li, K. P. Loh and H. Zhang, Nat. Chem., 2013, 5, 263.
4. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol., 2012, 7, 699.
5. J. Yang and H. S. Shin, J. Mater. Chem. A, 2014, 2, 5979.
6. K. F. Mak, C. Lees, J. Hone, J. Shan and T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett., 2010, 105, 136805.
7. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov and A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A., 2005, 102, 10451.
8. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti and A. Kis, Nat. Nanotechnol., 2011, 6, 147.
9. S. Das, H. Y. Chen, A. V. Penumatcha and J. Appenzeller, Nano Lett. , 2013, 13, 100.
10. T. F. Jaramillo, K. P. Jorgensen, J. Bonde, J. H. Nielsen, S. Horch and I. Chorkendorff, Science, 2007, 317, 100.
11. Y. Li, H. Wang, W. L. Xie, Y. Liang, G. Hong and H. Dai, J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7296.
12. F. Schwierz, Proc. IEEE, 2013, 101, 1567.
13. Y. H. Lee, X. Q. Zhang, W. Zhang, M. T. Chang, C. T. Lin, K. D. Chang, Y. C. Yu, J. T. W. Wang, C. S. Chang, L. J. Li and T. W. Lin, Adv. Mater., 2012, 24, 2320.
14. Y. Zhan, Z. Liu, S. Najmaei, P. M. Ajayan and J. Lou, Small, 2012, 8, 966.
15. X. Wang, H. Feng, Y. Wu and L. Jiao, J. Am. Chem. Soc., 2013, 135, 5304.
16. Y. Yu, C. Li, Y. Liu, L. Su, Y. Zhang and L. Cao, Sci. Rep., 2013, 3, 1866.
17. B. Meyer, Chem. Rev., 1976, 76, 367.
18. S. M. George, Chem. Rev., 2010, 110, 111.
19. M. Diskus, O. Nilsen and H. Fjellvag, J. Mater. Chem., 2011, 21, 705.
20. D. Seghete, G. B. Rayner Jr., A. S. Cavanagh, V. R. Anderson and S. M. George, Chem. Mater., 2011, 23, 1668.
21. H. Wang, Z. Lu, S. Xu, D. Kong, J. J. Cha, G. Zheng, P. C. Hsu, K. Yan, D. Bradshaw, F. B. Prinz and Y. Cui, Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A., 2013, 110, 19701.
22. L. K. Tan, B. Liu, J. H. Teng, S. Guo, H. Y. Low and K. P. Loh, Nanoscale, 2014, 6, 10584.
23. C. Yim, M. O'Brien, N. McEvoy, S. Winters, I. Mirza, J. G. Lunney and G. S. Duesberg, Appl. Phys. Lett., 2014, 104, 103114.
24. T. Ohta, F. Cicoira, P. Doppelt, L. Beitone and P. Hoffmann, Chem. Vap. Deposition, 2001, 7, 33.
25. R. Chellappa and D. Chandra, J. Chem. Thermodyn., 2005, 37, 377.
26. J. S. Cross and G. L. Schrader, Thin Solid Films, 1995, 259, 5.
27. K. A. Gesheva and T. Ivanova, Chem. Vap. Deposition, 2006, 12, 231.
28. K. Reddy and T. L. Brown, J. Am. Chem. Soc., 1995, 117, 2845.
29. H. H. Huang, C. S. Sreekanth, C. S. Seet, X. Jiang and G. Q. Xu, Surf. Sci., 1996, 365, 769.
30. Z. Jiang, L. Xu and X. Huang, J. Mol. Catal. A: Chem., 2009, 304, 16.
31. P. Kruger, M. Petukhov, B. Domenichini, A. Berko and S. Bourgeois, J. Phys. Chem. C, 2012, 116, 10617.
32. R. G. Nuzzo, B. R. Zegarski and L. H. Dubois, J. Am. Chem. Soc., 1987, 109, 733.
33. B. C. Wiegand and C. M. Friend, Chem. Rev., 1992, 92, 491.
34. B. Halevi and J. M. Vohs, Surf. Sci. , 2008, 602, 198.
35. M. G. Roper and R. G. Jones, Phys. Chem. Chem. Phys., 2008, 10, 1336.
36. F. P. Cometto, V. A. Macagno, P. Parcedes-Olivera, E. M. Patrito, H. Ascolani and G. Zampieri, J. Phys. Chem. C, 2010, 114, 10183.
37. D. M. VonNiederhausern, G. M. Wilson and N. F. Giles, J. Chem. Eng. Data, 2006, 51, 1990.
38. N. T. McDevitt, J. E. Bultman and J. S. Zabinski, Appl. Spectrosc., 1998, 52, 1160.
39. J. L. Verble and T. J. Wieting, Phys. Rev. Lett., 1970, 25, 362.
40. C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone and S. Ryu, ACS Nano, 2010, 4, 2695.
41. G. L. Frey, R. Tenne, M. J. Matthews, M. S. Dresselhaus and G. Dresselhaus, Phys. Rev. B: Condens. Matter, 1999, 60, 2883.
42. A. P. S. Gaur, S. Sahoo, M. Ahmadi, M. J. F. Guinel, S. K. Gupta, R. Pandey, S. K. Dey and R. S. Katiyar, J. Phys. Chem. C, 2013, 117, 26262.
43. Y. S. Min, E. J. Bae, B. S. Oh, D. Kang and W. Park, J. Am. Chem. Soc., 2005, 127, 12498.
44. E. J. Bae, Y. S. Min, J. H. Ko, D. Kang and W. Park, Chem. Mater., 2005, 17, 5141.
45. N. T. McDevitt, J. S. Zabinski, M. S. Donley and J. E. Bultman, Appl. Spectrosc., 1994, 48, 733.
46. D. Merki, S. Fierro, H. Vrubel and X. Hu, Chem. Sci., 2011, 2, 1262.
47. B. Schonfeld, J. J. Huang and S. C. Moss, Acta Crystallogr., Sect.B: Struct. Sci., 1983, 39, 404.