Large-area vapor-phase growth and characterization of MoS 2 atomic layers on a SiO 2 substrate

Small

Volumn 8, Issue 7, 2012, Pages 966-971

  Zhan, Yongjie ^a   Liu, Zheng ^a   Najmaei, Sina ^a   Ajayan, Pulickel M ^a   Lou, Jun ^a  

^a Rice University   (United States)

Author keywords

2D crystals; atomic layers; chemical vapor deposition; molybdenum disulphide

Indexed keywords

2-D CRYSTALS; ATOMIC LAYER; CHEMICAL VAPOR; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS; DEVICE FABRICATIONS; DIELECTRIC LAYER; HEXAGONAL BORON NITRIDE (H-BN); LARGE SCALE SYNTHESIS; MOLYBDENUM DISULPHIDE; VAPOR PHASE GROWTH;

ATOMS; BORON NITRIDE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; DIELECTRIC MATERIALS; GRAPHENE; MOLYBDENUM; MOLYBDENUM COMPOUNDS; SILICON COMPOUNDS; SUBSTRATES;

VAPORS;

EID: 84859577778     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201102654     Document Type: Article

References (41)

1. a) H. Hadouda, J. Pouzet, J. C. Bernede, A. Barreau, Mater. Chem. Phys. 1995, 42, 291
2. b) H. S. S. Ramakrishna Matte, A. Gomathi, A. K. Manna, D. J. Late, R. Datta, S. K. Pati, C. N. R. Rao, Angew. Chem. 2010, 49, 4153
3. Angew. Chem., Int. Ed. 2010, 49, 4059
4. c) A. Albu-Yaron, M. Levy, R. Tenne, R. Popovitz-Biro, M. Weidenbach, M. Bar-Sadan, L. Houben, A. N. Enyashin, G. Seifert, D. Feuermann, E. A. Katz, J. M. Gordon, Angew. Chem. 2011, 123, 1850
5. Angew. Chem., Int. Ed. 2011, 50, 1810
6. d) L. P. Hansen, Q. M. Ramasse, C. Kisielowski, M. Brorson, E. Johnson, H. Topse, S. Helveg, Angew. Chem. 2011, 123, 10335
7. Angew. Chem., Int. Ed. 2011, 50, 10153.
8. a) X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312
9. b) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666
10. c) Z. Liu, L. Song, S. Z. Zhao, J. Q. Huang, L. L. Ma, J. N. Zhang, J. Lou, P. M. Ajayan, Nano Lett. 2011, 11, 2032.
11. a) B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147
12. b) A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang, T. Li, J. Kim, C.-Y. Chim, G. Galli, F. Wang, Nano Lett. 2010, 10, 1271
13. c) G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla, Nano Lett. 2011.
14. R. R. Nair, W. Ren, R. Jalil, I. Riaz, V. G. Kravets, L. Britnell, P. Blake, F. Schedin, A. S. Mayorov, S. Yuan, M. I. Katsnelson, H.-M. Cheng, W. Strupinski, L. G. Bulusheva, A. V. Okotrub, I. V. Grigorieva, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, A. K. Geim, Small 2010, 6, 2773.
15. J. N. Coleman, M. Lotya, A. O'Neill, S. D. Bergin, P. J. King, U. Khan, K. Young, A. Gaucher, S. De, R. J. Smith, I. V. Shvets, S. K. Arora, G. Stanton, H. Y. Kim, K. Lee, G. T. Kim, G. S. Duesberg, T. Hallam, J. J. Boland, J. J. Wang, J. F. Donegan, J. C. Grunlan, G. Moriarty, A. Shmeliov, R. J. Nicholls, J. M. Perkins, E. M. Grieveson, K. Theuwissen, D. W. McComb, P. D. Nellist, V. Nicolosi, Science 2011, 331, 568.
16. a) W. X. Chen, L. Ma, H. Li, Y. F. Zheng, Z. D. Xu, Mater. Lett. 2008, 62, 797
17. b) Y. T. Qian, Y. Y. Peng, Z. Y. Meng, C. Zhong, J. Lu, W. C. Yu, Y. B. Jia, Chem. Lett. 2001, 772
18. c) T. Z. Zou, J. P. Tu, H. D. Huang, D. M. Lai, L. L. Zhang, D. N. He, Adv Eng Mater 2006, 8, 289.
19. H. Li, Z. Yin, Q. He, H. Li, X. Huang, G. Lu, D. W. H. Fam, A. I. Y. Tok, Q. Zhang, H. Zhang, Small 2012, 8, 63.
20. C. Reza-San Germán, P. Santiago, J. A. Ascencio, U. Pal, M. Pérez-Alvarez, L. Rendõn, D. Mendoza, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 17488.
21. P. Y. Huang, C. S. Ruiz-Vargas, A. M. van der Zande, W. S. Whitney, M. P. Levendorf, J. W. Kevek, S. Garg, J. S. Alden, C. J. Hustedt, Y. Zhu, J. Park, P. L. McEuen, D. A. Muller, Nature 2011, 469, 389.
22. C. Lee, H. Yan, L. E. Brus, T. F. Heinz, J. Hone, S. Ryu, ACS Nano 2010, 4, 2695.
23. a) S. Jiménez Sandoval, D. Yang, R. F. Frindt, J. C. Irwin, Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1991, 44, 3955
24. b) J. L. Verble, T. J. Wieting, Phys. Rev. Lett. 1970, 25, 362
25. c) R. A. Bromley, Philosophical Magazine 1971, 23, 1417.
26. S. Ghatak, A. N. Pal, A. Ghosh, ACS Nano 2011, 5, 7707.
27. S. Bae, H. Kim, Y. Lee, X. Xu, J.-S. Park, Y. Zheng, J. Balakrishnan, T. Lei, H. Ri Kim, Y. I. Song, Y.-J. Kim, K. S. Kim, B. Ozyilmaz, J.-H. Ahn, B. H. Hong, S. Iijima, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 574.
28. K. S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T. J. Booth, V. V. Khotkevich, S. V. Morozov, A. K. Geim, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2005, 102, 10451.
29. A. Ayari, E. Cobas, O. Ogundadegbe, M. S. Fuhrer, J. Appl. Phys. 2007, 101.
30. N. J. Tao, F. Chen, J. L. Xia, D. K. Ferry, Nano Lett. 2009, 9, 2571.
31. a) A. M. Maja Remskar, Marko Virsek, Matjaz Godec, Matthias Krause, Andreas Kolitsch, Amol Singh, A. Seabaugh, Nanoscale Res. Lett. 2011, 6, 26
32. b) X. L. Li, Y. D. Li, Chem. Eur. J. 2003, 9, 2726
33. c) F. L. Deepak, A. Mayoral, M. J. Yacaman, Mater. Chem. Phys. 2009, 118, 392
34. d) H. A. Therese, N. Zink, U. Kolb, W. Tremel, Solid State Sci. 2006, 8, 1133
35. e) F. Deepak, A. Mayoral, M. Yacaman, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 2009, 96, 861
36. f) M. Viršek, M. Krause, A. Kolitsch, A. Mrzel, I. Iskra, S. o. D. škapin, M. Remškar, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 6458.
37. N. H. Turner, A. M. Single, Surf. Interface Anal. 1990, 15, 215.
38. a) X.-R. Yu, F. Liu, Z.-Y. Wang, Y. Chen, J. Electron Spec. Relat. Phenom. 1990, 50, 159
39. b) J. R. Lince, D. J. Carre, P. D. Fleischauer, Langmuir 1986, 2, 805.
40. a) I. Alstrup, I. Chorkendorff, R. Candia, B. S. Clausen, H. Topse, J. Catal. 1982, 77, 397
41. b) G. Seifert, J. Finster, H. Müller, Chem. Phys. Lett. 1980, 75, 373.