Wide bandgap III-nitride nanomembranes for optoelectronic applications

Nano Letters

Volumn 14, Issue 8, 2014, Pages 4293-4298

  Park, Sung Hyun ^a   Yuan, Ge ^a   Chen, Danti ^a   Xiong, Kanglin ^a   Song, Jie ^a   Leung, Benjamin ^a   Han, Jung ^a  

^a Yale University   (United States)

Author keywords

electrochemical etching; epitaxy; Gallium nitride; heterostructure; metalorganic chemical vapor deposition; Nanomembrane

Indexed keywords

ELECTROCHEMICAL ETCHING; EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NANOSTRUCTURES;

BLUE LIGHT EMISSIONS; CRYSTALLINE PERFECTION; FLEXIBLE APPLICATIONS; HETEROGENEOUS INTEGRATION; HETEROSTRUCTURE; NANOMEMBRANES; OPTOELECTRONIC APPLICATIONS; SINGLE-CRYSTALLINE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84906081282     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl5009629     Document Type: Article

References (37)

1. Roberts, M. M.; Klein, L. J.; Savage, D. E.; Slinker, K. A.; Friesen, M.; Celler, G.; Eriksson, M. A.; Lagally, M. G. Nat. Mater. 2006, 5 (5) 388-393
2. Park, S. I.; Xiong, Y. J.; Kim, R. H.; Elvikis, P.; Meitl, M.; Kim, D. H.; Wu, J.; Yoon, J.; Yu, C. J.; Liu, Z. J.; Huang, Y. G.; Hwang, K.; Ferreira, P.; Li, X. L.; Choquette, K.; Rogers, J. A. Science 2009, 325 (5943) 977-981
3. Rogers, J. A.; Lagally, M. G.; Nuzzo, R. G. Nature 2011, 477 (7362) 45-53
4. Cavallo, F.; Lagally, M. G. Soft Matter 2010, 6 (3) 439-455
5. Sanchez-Perez, J. R.; Boztug, C.; Chen, F.; Sudradjat, F. F.; Paskiewicz, D. M.; Jacobson, R. B.; Lagally, M. G.; Paiella, R. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2011, 108 (47) 18893-18898
6. Kiefer, A. M.; Paskiewicz, D. M.; Clausen, A. M.; Buchwald, W. R.; Soref, R. A.; Lagally, M. G. ACS Nano 2011, 5 (2) 1179-1189
7. Paskiewicz, D. M.; Savage, D. E.; Holt, M. V.; Evans, P. G.; Lagally, M. G. Sci. Rep. 2014, 4, 4218
8. Paskiewicz, D. M.; Tanto, B.; Savage, D. E.; Lagally, M. G. ACS Nano 2011, 5 (7) 5814-5822
9. Liu, J.; Usami, K.; Naesby, A.; Bagci, T.; Polzik, E. S.; Lodahl, P.; Stobbe, S. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 243102
10. Yang, W.; Yang, H.; Qin, G.; Ma, Z.; Berggren, J.; Hammar, M.; Soref, R.; Zhou, W. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 121107
11. Leite, M. S.; Warmann, E. C.; Kimball, G. M.; Burgos, S. P.; Callahan, D. M.; Atwater, H. A. Adv. Mater. 2011, 23 (33) 3801-3807
12. Scott, S. A.; Lagally, M. G. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, R75-R92
13. Sun, L.; Qin, G. X.; Seo, J. H.; Celler, G. K.; Zhou, W. D.; Ma, Z. Q. Small 2010, 6 (22) 2553-2557
14. Yang, H.; Zhao, D.; Chuwongin, S.; Seo, J.-H.; Yang, W.; Shuai, Y.; Berggren, J.; Hammar, M.; Ma, Z.; Zhou, W. Nat. Photonics 2012, 6 (9) 615-620
15. Seo, J.-H.; Oh, T.-Y.; Park, J.; Zhou, W.; Ju, B.-K.; Ma, Z. Adv. Funct. Mater. 2013, 23 (27) 3398-3403
16. Wang, Z. L.; Song, J. Science 2006, 312 (5771) 242-246
17. Lee, K. J.; Lee, J.; Hwang, H.; Reitmeier, Z. J.; Davis, R. F.; Rogers, J. A.; Nuzzo, R. G. Small 2005, 1 (12) 1164-1168
18. Kim, H.-s.; Brueckner, E.; Song, J.; Li, Y.; Kim, S.; Lu, C.; Sulkin, J.; Choquette, K.; Huang, Y.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A. 2011, 108 (25) 10072-10077
19. Zhang, Y.; Ryu, S.-W.; Yerino, C.; Leung, B.; Sun, Q.; Song, Q.; Cao, H.; Han, J. Phys. Status Solidi B 2010, 247 (7) 1713-1716
20. Zhang, Y.; Sun, Q.; Leung, B.; Simon, J.; Lee, M. L.; Han, J. Nanotechnology 2011, 22 (4) 045603
21. Chen, D.; Han, J. Appl. Phys. Lett. 2012, 101 (22) 221104
22. Chen, D.; Xiao, H.; Han, J. J. Appl. Phys. 2012, 112, 064303
23. ElAfandy, R. T.; Majid, M. A.; Ng, T. K.; Zhao, L.; Cha, D.; Ooi, B. S. Adv. Funct. Mater. 2013, 10.1002/adfm.201303001
24. Paskiewicz, D. M.; Scott, S. A.; Savage, D. E.; Celler, G. K.; Lagally, M. G. ACS Nano 2011, 5 (7) 5532-5542
25. Paskiewicz, D. M.; Tanto, B.; Savage, D. E.; Lagally, M. G. ACS Nano 2011, 5 (7) 5814-5822
26. Meitl, M. A.; Zhu, Z.-T.; Kumar, V.; Lee, K. J.; Feng, X.; Huang, Y. Y.; Adesida, I.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Nat. Mater. 2006, 5 (1) 33-38
27. Follstaedt, D. M.; Missert, N. A.; Koleske, D. D.; Mitchell, C. C.; Cross, K. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 83 (23) 4797-4799
28. Zhang, Y.; Qian, S.; Han, J. Conductivity Based on Selective Etch for GaN Devices and Applications Thereof. U. S. Patent 20130011656 A1, Jan 10, 2013.
29. Saarinen, K.; Laine, T.; Kuisma, S.; Nissila, J.; Hautojarvi, P.; Dobrzynski, L.; Baranowski, J. M.; Pakula, K.; Stepniewski, R.; Wojdak, M.; Wysmolek, A.; Suski, T.; Leszczynski, M.; Grzegory, I.; Porowski, S. Phys. Rev. Lett. 1997, 79 (16) 3030-3033
30. Kasap, S. O.; Capper, P. Springer handbook of electronic and photonic materials; Springer: New York, 2006; pp 778-786.
31. Hearne, S.; Chason, E.; Han, J.; Floro, J. A.; Figiel, J.; Hunter, J.; Amano, H.; Tsong, I. S. T. Appl. Phys. Lett. 1999, 74 (3) 356-358
32. Kisielowski, C.; Krüger, J.; Ruvimov, S.; Suski, T.; Ager, J. W.; Jones, E.; Liliental-Weber, Z.; Rubin, M.; Weber, E. R.; Bremser, M. D.; Davis, R. F. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1996, 54 (24) 17745-17753
33. Perlin, P.; Jauberthiecarillon, C.; Itie, J. P.; San Miguel, A.; Grzegory, I.; Polian, A. Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 1992, 45 (1) 83-89
34. Azuhata, T.; Sota, T.; Suzuki, K.; Nakamura, S. J. Phys.: Condens. Matter 1995, 7 (10) L129-L133
35. Hiramatsu, K.; Detchprohm, T.; Akasaki, I. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 1528-1533
36. Kozawa, T.; Kachi, T.; Kano, H.; Nagase, H.; Koide, N.; Manabe, K. J. Appl. Phys. 1995, 77 (9) 4389-4392
37. Chichibu, S.; Azuhata, T.; Sota, T.; Nakamura, S. Appl. Phys. Lett. 1996, 69 (27) 4188-4190