High detectivity solar-blind high-temperature deep-ultraviolet photodetector based on multi-layered (l00) facet-oriented β-Ga 2O3 nanobelts

Small

Volumn 10, Issue 9, 2014, Pages 1848-1856

  Zou, Rujia ^a,b   Zhang, Zhenyu ^b   Liu, Qian ^a   Hu, Junqing ^a   Sang, Liwen ^c   Liao, Meiyong ^c   Zhang, Wenjun ^b  

^a DONGHUA UNIVERSITY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^c NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

facet oriented; high temperature; in situ; photodetector

Indexed keywords

ELECTRIC PROPERTIES; FABRICATION; GALLIUM; NANOBELTS; PHOTODETECTORS;

FACET-ORIENTED; HIGH SIGNAL-TO-NOISE RATIO; HIGH TEMPERATURE; HIGH-TEMPERATURE ENVIRONMENT; MULTI-LAYERED; PHOTORESPONSIVITY; SOLAR-BLIND PHOTODETECTORS; SPECTRAL SELECTIVITY;

PHOTONS;

EID: 84899857604     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201302705     Document Type: Article

References (52)

1. a) K. M. Bratlie, H. Lee, K. Komvopoulos, P. Yang, G. A. Somorjai, Nano Lett. 2007, 7, 3097
2. b) C. G. Read, E. M. P. Steinmiller, K. S. Choi, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 12040
3. c) C. H. Kuo, Y. C. Yang, S. Gwo, M. H. Huang, J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 1052
4. d) F. Zuo, K. Bozhilov, R. J. Dillon, L. Wang, P. Smith, X. Zhao, C. Bardeen, P. Y. Feng, Angew. Chem. Int. Ed. 2012, 51, 6223.
5. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897.
6. a) C. Schliehe, B. H. Juarez, M. Pelletier, S. Jander, D. Greshnykh, M. Nagel, A. Meyer, S. Foerster, A. Kornowski, C. Klinke, H. Weller, Science 2010, 329, 550
7. b) X. Xie, Y. Li, Z. Q. Liu, M. Haruta, W. Shen, Nature 2009, 458, 746.
8. H. G. Yang, G. Liu, S. Z. Qiao, C. H. Sun, Y. G. Jin, S. C. Smith, J. Zou, H. M. Cheng, G. Q. Lu, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 4078.
9. D. W. Su, M. Ford, G. X. Wang, Scientific Reports 2012, 2, 924.
10. a) L. L. Li, C. Y. Nan, Q. Peng, Y. D. Li, Chem. Eur. J. 2012, 18, 10491
11. b) R. J. Zou, K. B. Xu, T. Wang, G. J. He, Q. Liu, X. J. Liu, Z. Y. Zhang, J. Q. Hu, J. Mater. Chem. A 2013, 1, 8560
12. c) S. H. Liu, L. Han, Y. Y. Duan, S. Asahina, O. Terasaki, Y. Y. Cao, B. Liu, L. G. Ma, J. L. Zhang, S. Che, Nat. Commun. 2012, 3, 1215.
13. A. Soltani, H. A. Barkad, M. Mattalah, B. Benbakhti, J. C. De Jaeger, Y. M. Chong, Y. S. Zou, W. J. Zhang, S. T. Lee, A. BenMoussa, B. Giordanengo, J. F. Hochedez, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053501.
14. Y. Koide, M. Y. Liao, J. Alvarez, Diam. Relat. Mater. 2006, 15, 1962.
15. a) L. W. Sang, J. Q. Hu, R. J. Zou, Y. Koide, M. Y. Liao, Sci. Rep. 2013, 3, 2368
16. b) L. F. Hu, M. M. Brewster, X. J. Xu, C. C. Tang, S. Gradecak, X. S. Fang, Nano Lett. 2013, 13, 1941
17. c) X. D. Li, C. T. Gao, H. G. Duan, B. G. Lu, Y. Q. Wang, L. L. Chen, Z. X. Zhang, X. J. Pan, E. Q. Xie, Small 2013, 9, 2005.
18. a) A. Zhang, S. F. You, C. Soci, Y. S. Liu, D. L. Wang, Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 121110
19. b) J. Bae, H. Kim, X. M. Zhang, C. H. Dang, Y. Zhang, Y. J. Choi, A. Nurmikko, Z. L. Wang, Nanotechnology 2010, 21, 095502
20. c) M. Y. Li, W. A. Anderson, Solid State Electron. 2007, 51, 94.
21. P. Feng, J. Y. Zhang, Q. Wan, T. H. Wang, J. Appl. Phys. 2007, 102, 074309.
22. C. Li, Y. Bando, M. Y. Liao, Y. Koide, D. Golberg, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 161102.
23. C. J. Collins, U. Chowdhury, M. M. Wong, B. Yang, A. L. Beck, R. D. Dupuis, J. C. Campbell, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3754.
24. T. Takagi, H. Tanaka, S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2003, 4, L401.
25. a) M. W. Chen, J. R. D. Retamal, C. Y. Chen, J. H. He, IEEE Electr. Device L. 2012, 33, 411
26. b) D. S. Tsai, C. A. Lin, W. C. Lien, H. C. Chang, Y. L. Wang, J. H. He, ACS Nano 2011, 5, 7748.
27. L. Li, P. S. Lee, C. Y. Yan, T. Y. Zhai, X. S. Fang, M. Y. Liao, Y. Koide, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2010, 22, 5145.
28. a) L. W. Sang, M. Y. Liao, Y. Koide, M. Sumiya, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 031115
29. b) Y. Q. Wang, S. Alur, Y. Sharma, F. Tong, R. Thapa, P. Gartland, T. Issacs-Smith, C. Ahyi, J. Williams, M. Park, M. Johnson, T. Paskova, E. A. Preble, K. R. Evans, Semicond. Sci. Technol. 2011, 26, 022002.
30. a) Y. Huang, Z. L. Wang, Q. Wang, C. Z. Gu, C. C. Tang, Y. Bando, D. Golberg, J. Phys. Chem. C 2009, 113, 1980
31. b) S. P. Arnold, M. Prokes, F. K. Perkins, M. E. Zaghloul, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103102
32. c) R. J. Zou, Z. Y. Zhang, Q. W. Tian, G. X. Ma, G. S. Song, Z. G. Chen, J. Q. Hu, Small 2011, 7, 3377.
33. P. Feng, J. Y. Zhang, Q. H. Li, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 153107.
34. P. Feng, X. Y. Xue, Y. G. Liu, Q. Wan, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 112114.
35. Y. B. Li, T. Tokizono, M. Y. Liao, M. Zhong, Y. Koide, I. Yamada, J. J. Delaunay, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3972.
36. L. Li, E. Auer, M. Y. Liao, X. S. Fang, T. Y. Zhai, U. K. Gautam, A. Lugstein, Y. Koide, Y. Bando, D. Golberg, Nanoscale 2011, 3, 1120.
37. Z. R. Dai, Z. W. Pan, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 2002, 106, 902.
38. a) R. J. Zou, Z. Y. Zhang, Q. Liu, K. B. Xu, A. J. Lu, J. Q. Hu, Q. Li, Y. Bando, D. Golberg, Adv. Mater. 2013, 25, 2693
39. b) R. J. Zou, Z. Y. Zhang, K. B. Xu, L. Jiang, Q. W. Tian, Y. G. Sun, Z. G. Chen, J. Q. Hu, Carbon 2012, 50, 4965.
40. a) X. D. Bai, D. Golberg, Y. Bando, C. Y. Zhi, C. C. Tang, M. Mitome, K. Kurashima, Nano Lett. 2007, 7, 632
41. b) Z. L. Wang, Adv. Mater. 2012, 24, 4632.
42. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.
43. a) T. Ueda, Z. H. An, K. Hirakawa, S. Komiyama, J. Appl. Phys. 2008, 103, 093109
44. b) X. P. Chen, H. L. Zhu, J. F. Cai, Z. Y. Wu, J. Appl. Phys. 2007, 102, 024505.
45. T. Y. Zhai, X. S. Fang, M. Y. Liao, X. J. Xu, H. B. Zeng, B. Yoshio, D. Golberg, Sensors 2009, 9, 6504.
46. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang, Nano Lett. 2007, 7, 1003.
47. a) T. Y. Zhai, Y. Ma, L. Li, X. S. Fang, M. Y. Liao, Y. Koide, J. N. Yao, Y. Bando, D. Golberg, J. Mater. Chem. 2010, 20, 6630
48. b) X. S. Fang, Y. Bando, M. Y. Liao, U. K. Gautam, C. Y. Zhi, B. Dierre, B. D. Liu, T. Y. Zhai, T. Sekiguchi, Y. Koide, D. Golberg, Adv. Mater. 2009, 21, 2034.
49. J. S. Jie, W. J. Zhang, Y. Jiang, X. M. Meng, Y. Q. Li, S. T. Lee, Nano Lett. 2006, 6, 1887.
50. W. T. Hsieh, Y. K. Fang, K. H. Wu, W. J. Lee, J. J. Ho, C. W. Ho, IEEE Trans. Electron Devices 2001, 48, 801.
51. A. Vijayakumar, R. M. Todi, K. B. Sundaram, IEEE Electron Device Lett. 2007, 28, 713.
52. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.