Heteroepitaxial growth of GaP/ZnS nanocable with superior optoelectronic response

Nano Letters

Volumn 13, Issue 5, 2013, Pages 1941-1947

  Hu, Linfeng ^a   Brewster, Megan M ^c   Xu, Xiaojie ^a   Tang, Chengchun ^b   Gradečak, Silvija ^c   Fang, Xiaosheng ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

^b HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^c Massachusetts Institute of Technology   (United States)

Author keywords

GaP ZnS; heteroepitaxial growth; nanocable; optoelectronic response

Indexed keywords

ATOMIC CONFIGURATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHODS; COAXIAL NANOCABLES; CORE SHELL STRUCTURE; GAP/ZNS; NANOCABLES; OPTOELECTRONIC PROPERTIES; OPTOELECTRONIC RESPONSE;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS;

ZINC SULFIDE;

EID: 84877262757     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl3046552     Document Type: Article

References (28)

1. Lieber, C. M. MRS Bull. 2011, 36, 1052-1063
2. Cui, Y.; Wei, Q.; Park, H.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289-1292
3. Wang, J. F.; Gudiksen, M. S.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1455-1457
4. Law, M.; Greene, L. E.; Johnson, J. C.; Saykally, R.; Yang, P. D. Nat. Mater. 2005, 4, 455-459
5. Wang, X. D.; Song, J. H.; Liu, J.; Wang, Z. L. Science 2007, 316, 102-105
6. Fang, X. S.; Bando, Y.; Liao, M. Y.; Gautam, U. K.; Zhi, C. Y.; Dierre, B.; Liu, B. D.; Zhai, T. Y.; Sekiguchi, T.; Koide, Y.; Golberg, D. Adv. Mater. 2009, 21, 2034-2039
7. Fang, X. S.; Bando, Y.; Liao, M. Y.; Zhai, T. Y.; Gautam, U. K.; Li, L.; Koide, Y.; Golberg, D. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 500-508
8. Likovich, E. M.; Jaramillo, R.; Russel, K. J.; Ramanathan, S.; Narayanamurti, V. Adv. Mater. 2011, 23, 4521-4525
9. Tian, B. Z.; Xie, P.; Kempa, T. J.; Bell, D. C.; Lieber, C. M. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 824-829
10. Tian, B. Z.; Zheng, X. L.; Kempa, T. J.; Fang, Y.; Yu, N. F.; Yu, G. H.; Huang, J. L.; Lieber, C. M. Nature 2007, 449, 885-890
11. Hu, L. F.; Liao, M. Y.; Xiang, H. J.; Gong, X. G.; Zhang, L. D.; Fang, X. S. Adv. Mater. 2012, 24, 2305-2309
12. Yan, J.; Fang, X. S.; Zhang, L. D.; Bando, Y.; Gautam, U. K.; Dierre, B.; Sekiguchi, T.; Golberg, D. Nano Lett. 2008, 11, 5316-5321
13. Qian, F.; Brewster, M.; Lim, S. K.; Ling, Y. C.; Greene, C.; Laboutin, O.; Johnson, J. W.; Gradečak, S.; Cao, Y.; Li, Y. Nano Lett. 2012, 12, 3344-3350
14. Lim, S. K.; Crawford, S.; Haberfehlner, G.; Gradečak, S. Nano Lett. 2013, 13, 331-336
15. Wei, D. C.; Liu, Y. Q.; Cao, L. C.; Zhang, H. L.; Huang, L. P.; Yu, G. Chem. Mater. 2010, 22, 288-293
16. Levinshtein, M.; Rumyantsev, S.; Shur, M. Handbook Series on Semiconductor Parameters; World Scientific: London, 1996; Vol. 1, pp 104-124.
17. Kuang, Q.; Jiang, Z.-Y.; Xie, Z.-X.; Lin, S.-C.; Lin, Z.-W.; Xie, S.-Y.; Huang, R.-B.; Zheng, L.-S. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11777-11784
18. Addamiano, A.; Dell, P. A. J. Phys. Chem. 1957, 61, 1020-1021
19. Tang, C. C.; Fan, S. S.; Chapelle, M. L.; Dang, H. Y.; Li, P. Adv. Mater. 2000, 12, 1346-1348
20. Weert, M. H. M.; Helman, A.; Einden, W. V. D.; Algra, R. E.; Verheijen, M. A.; Borgstrǒm, M. T.; Immink, G.; Kelly, J. J.; Kouwenhoven, L. P.; Bakkers, E. P. A. M. J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 4578-4579
21. Lin, P. A.; Liang, D.; Reeves, S.; Gao, X. P. A.; Sankaran, R. M. Nano Lett. 2012, 12, 315-320
22. Bertóti, I.; Farkas-Jahnke, M.; Lendvay, N. J. Mater. Sci. 1969, 4, 699-703
23. Jiang, Y.; Meng, X. M.; Liu, J.; Xie, Z. Y.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Mater. 2003, 15, 323-327
24. Lin, H. W.; Liu, H. B.; Qian, X. M.; Lai, S.-W.; Li, Y. J.; Chen, N.; Ouyang, C.; Che, C.-M.; Li, Y. L. Inorg. Chem. 2011, 50, 7749-7753
25. Han, Y. G.; Fan, C. C.; Wu, G.; Chen, H.-Z.; Wang, M. J. Phys. Chem. C 2011, 115, 13438-13445
26. Landis, G. A.; Loferski, J. J.; Beaulieu, R.; Sekula-Moisé; Vernon, S. M.; Spitzer, M. B.; Keavney, C. J. IEEE Trans. Dev. 1990, 37, 372-381
27. Lo, S. S.; Mirkovic, T.; Chuang, C.-H.; Burda, C.; Scholes, G. D. Adv. Mater. 2011, 23, 180-197
28. Amos, F. F.; Morin, S. A.; Streifer, J. A.; Hamers, R, J.; Jin, S. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14396-14302