Improving chemical vapor deposition graphene conductivity using molybdenum trioxide: An in-situ field effect transistor study

Applied Physics Letters

Volumn 103, Issue 26, 2013, Pages

  Han, Cheng ^a,b   Lin, Jiadan ^b   Xiang, Du ^b   Wang, Chaocheng ^a   Wang, Li ^a   Chen, Wei ^b,c  

^a NANCHANG UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^c National University of Singapore   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION GRAPHENE; CHEMICAL VAPOR DEPOSITIONS (CVD); FIELD EFFECTS; FLEXIBLE ELECTRODES; MOLYBDENUM TRIOXIDE; SURFACE FUNCTIONALIZATION; SURFACE TRANSFER; TRANSISTOR CHARACTERIZATIONS;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FLEXIBLE ELECTRONICS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLYBDENUM OXIDE; NANOBELTS; VAPORS;

GRAPHENE;

EID: 84891622126     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4860418     Document Type: Article

References (34)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004). 10.1126/science.1102896
2. J. R. Williams, L. DiCarlo, and C. M. Marcus, Science 317, 638 (2007). 10.1126/science.1144657
3. B. Özyilmaz, P. Jarillo-Herrero, D. Efetov, D. A. Abanin, L. S. Levitov, and P. Kim, Phys. Rev. Lett. 99, 166804 (2007). 10.1103/PhysRevLett.99. 166804
4. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 5, 487 (2010). 10.1038/nnano.2010.89
5. R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres, and A. K. Geim, Science 320, 1308 (2008). 10.1126/science.1156965
6. F. H. L. Koppens, D. E. Chang, and F. J. García de Abajo, Nano Lett. 11, 3370 (2011). 10.1021/nl201771h
7. H. Yan, T. Low, W. Zhu, Y. Wu, M. Freitag, X. Li, F. Guinea, P. Avouris, and F. Xia, Nat. Photonics 7, 394 (2013). 10.1038/nphoton.2013.57
8. C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science 321, 385 (2008). 10.1126/science.1157996
9. H. Park, J. A. Rowehl, K. K. Kim, V. Bulovic, and J. Kong, Nanotechnology 21, 505204 (2010). 10.1088/0957-4484/21/50/505204
10. K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, J. Röhrl, E. Rotenberg, A. K. Schmid, D. Waldmann, H. B. Weber, and T. Seyller, Nature Mater. 8, 203 (2009). 10.1038/nmat2382
11. Y. M. Lin, C. Dimitrakopoulos, K. A. Jenkins, D. B. Farmer, H. Y. Chiu, A. Grill, and P. Avouris, Science 327, 662 (2010). 10.1126/science.1184289
12. X. Li, W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, and R. S. Ruoff, Science 324, 1312 (2009). 10.1126/science.1171245
13. D. Wei and Y. Liu, Adv. Mater. 22, 3225 (2010). 10.1002/adma.200904144
14. N. Petrone, C. R. Dean, I. Meric, A. M. van der Zande, P. Y. Huang, L. Wang, D. Muller, K. L. Shepard, and J. Hone, Nano Lett. 12, 2751 (2012). 10.1021/nl204481s
15. Y. Pan, H. Zhang, D. Shi, J. Sun, S. Du, F. Liu, and H. Gao, Adv. Mater. 21, 2777 (2009). 10.1002/adma.200800761
16. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei1, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, and J. Hone, Nat. Nanotechnol. 5, 722 (2010). 10.1038/nnano.2010.172
17. A. S. Mayorov, R. V. Gorbachev, S. V. Morozov, L. Britnell, R. Jalil, L. A. Ponomarenko, P. Blake, K. S. Novoselov, K. Watanabe, T. Taniguchi, and A. K. Geim, Nano Lett. 11, 2396 (2011). 10.1021/nl200758b
18. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, and K. S. Novoselov, Nature Mater. 6, 652 (2007). 10.1038/nmat1967
19. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, and R. Martel, Nano Lett. 11, 132 (2011). 10.1021/nl103015w
20. I. Gierz, C. Riedl, U. Starke, C. R. Ast, and K. Kern, Nano Lett. 8, 4603 (2008). 10.1021/nl802996s
21. K. Pi, K. M. McCreary, W. Bao, W. Han, Y. F. Chiang, Y. Li, S. W. Tsai, C. N. Lau, and R. K. Kawakami, Phys. Rev. B 80, 075406 (2009). 10.1103/PhysRevB.80.075406
22. W. Chen, S. Chen, D. C. Qi, X. Y. Gao, and A. T. S. Wee, J. Am. Chem. Soc. 129, 10418 (2007). 10.1021/ja071658g
23. C. Coletti, C. Riedl, D. S. Lee, B. Krauss, L. Patthey, K. von Klitzing, J. H. Smet, and U. Starke, Phys. Rev. B 81, 235401 (2010). 10.1103/PhysRevB.81. 235401
24. X. Dong, D. Fu, W. Fang, Y. Shi, P. Chen, and L. J. Li, Small 5, 1422 (2009). 10.1002/smll.200801711
25. X. Wang, J. Xu, W. Xie, and J. Du, J. Phys. Chem. C 115, 7596 (2011). 10.1021/jp200386z
26. D. B. Farmer, R. Golizadeh-Mojarad, V. Perebeinos, Y. Lin, G. S. Tulevski, J. C. Tsang, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 388 (2009). 10.1021/nl803214a
27. H. Mao, Y. Lu, J. Lin, S. Zhong, A. T. S. Wee, and W. Chen, Prog. Surf. Sci. 88, 132 (2013). 10.1016/j.progsurf.2013.02.001
28. Z. Chen, I. Santoso, R. Wang, L. Xie, H. Mao, H. Huang, Y. Wang, X. Gao, Z. Chen, D. Ma, A. T. S. Wee, and W. Chen, Appl. Phys. Lett. 96, 213104 (2010). 10.1063/1.3441263
29. L. Xie, X. Wang, H. Mao, R. Wang, M. Ding, Y. Wang, B. Özyilmaz, K. P. Loh, A. T. S. Wee, Ariando, and W. Chen, Appl. Phys. Lett. 99, 012112 (2011). 10.1063/1.3609318
30. M. Kröger, S. Hamwi, J. Meyer, T. Riedl, W. Kowalsky, and A. Kahn, Org. Electron. 10, 932 (2009). 10.1016/j.orgel.2009.05.007
31. M. Kröger, S. Hamwi, J. Meyer, T. Riedl, W. Kowalsky, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 95, 123301 (2009). 10.1063/1.3231928
32. Y. Zhao, J. Chen, W. Chen, and D. Ma, J. Appl. Phys. 111, 043716 (2012). 10.1063/1.3687933
33. M. C. Gwinner, R. D. Pietro, Y. Vaynzof, K. J. Greenberg, P. K. H. Ho, R. H. Friend, and H. Sirringhaus, Adv. Funct. Mater. 21, 1432 (2011). 10.1002/adfm.201002696
34. J. Zhong, H. Mao, R. Wang, J. Lin, Y. Zhao, J. Zhang, D. Ma, and W. Chen, Org. Electron. 13, 2793 (2012). 10.1016/j.orgel.2012.07.048