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RSC Advances

Volumn 4, Issue 8, 2014, Pages 4146-4154

Utilisation of janus material for controllable formation of graphene p-n junctions and superlattices

(3) Chen, Xian Fei a Zhu, Yong Fu a Jiang, Qing a

a JILIN UNIVERSITY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CONCENTRATION; CONTROLLABLE FORMATION; DEVICE APPLICATION; ELECTRON EXTRACTION; EXTERNAL ELECTRIC FIELD; FUNCTIONALIZED GRAPHENE; GRAPHENE P-N JUNCTIONS; INTRINSIC STRUCTURES;

ATOMS; CARRIER CONCENTRATION; ELECTRIC CHARGE; ELECTRON TUNNELING; MATERIALS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

GRAPHENE;

EID: 84890846967 PISSN: None EISSN: 20462069 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3ra44550j Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.