Substrate engineering by hexagonal boron nitride/sio2 for hysteresis-free graphene FETs and large-scale graphene p-n junctions

Chemistry - An Asian Journal

Volumn 8, Issue 10, 2013, Pages 2446-2452

  Xu, Hua ^a,b   Wu, Juanxia ^a   Chen, Yabin ^a   Zhang, Haoli ^b   Zhang, Jin ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

^b LANZHOU UNIVERSITY   (China)

Author keywords

Boron nitride; field effect transistors; graphene; hysteresis; substrate engineering

Indexed keywords

ELECTROSTATIC DOPING; GRAPHENE FIELD-EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE P-N JUNCTIONS; HEXAGONAL BORON NITRIDE; HEXAGONAL BORON NITRIDE (H-BN); PHOTO DETECTOR ARRAY; POTENTIAL DIFFERENCE; SUBSTRATE ENGINEERING;

BORON NITRIDE; CHARGE TRAPPING; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; HYSTERESIS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

SUBSTRATES;

EID: 84884671760     PISSN: 18614728     EISSN: 1861471X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/asia.201300505     Document Type: Article

References (34)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666-669.
2. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183-191.
3. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. v. Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2010, 10, 1149-1153.
4. S. Ryu, L. Liu, S. Berciaud, Y. J. Yu, H. T. Liu, P. Kim, G. W. Flynn, L. E. Brus, Nano Lett. 2010, 10, 4944-4951.
5. Z. H. Liu, A. A. Bol, W. Haensch, Nano Lett. 2011, 11, 523-528.
6. J. H. Chen, C. Jang, S. Adam, M. S. Fuhrer, E. D. Williams, M. Ishigami, Nat. Phys. 2008, 4, 377-381.
7. T. Lohmann, K. v. Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2009, 9, 1973-1979.
8. H. Xu, L. M. Xie, H. L. Zhang, J. Zhang, ACS Nano 2011, 5, 8338-8344
9. H. Xu, Y. B. Chen, W. G. Xu, H. L. Zhang, J. Kong, M. S. Dresselhaus, J. Zhang, Small 2011, 7, 2945-2952.
10. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, R. Martel, Nano Lett. 2011, 11, 132-137.
11. H. Xu, Y. B. Chen, H. L. Zhang, J. Zhang, Small 2012, 8, 2833-2840.
12. H. Wang, Y. Wu, C. Cong, J. Shang, T. Yu, ACS Nano 2010, 4, 7221-7228.
13. X. Du, I. Skachko, A. Barker, E. Y. Andrei, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 491-495.
14. Z. G. Cheng, Q. Y. Zhou, C. X. Wang, Q. Li, C. Wang, Y. Fang, Nano Lett. 2011, 11, 767-771.
15. H. m. Wang, Y. H. Wu, C. X. Cong, J. Z. Shang, T. Yu, ACS Nano 2010, 4, 7221-7228.
16. J. Xue, J. Sanchez-Yamagishi, D. Bulmash, P. Jacquod, A. Deshpande, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, B. J. LeRoy, Nat. Mater. 2011, 10, 282-285.
17. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, A. S. Mayorov, N. M. R. Peres, A. H. C. Neto, J. Leist, A. K. Geim, L. A. Ponomarenko, K. S. Novoselov, Nano Lett. 2012, 12, 1707-1710.
18. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722-726.
19. L. Britnell, R. V. Gorbachev, R. Jalil, B. D. Belle, F. Schedin, A. Mishchenko, T. Georgiou, M. I. Katsnelson, L. Eaves, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. Leist, A. K. Geim, K. S. Novoselov, L. A. Ponomarenko, Science 2012, 335, 947-950.
20. K. K. Kim, A. Hsu, X. Jia, S. M. Kim, Y. Shi, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, ACS Nano 2012, 6, 8583-8590.
21. J. Zhou, L. Wang, R. Qin, J. X. Zheng, W. N. Mei, P. A. Dowben, S. Nagase, Z. X. Gao, J. Lu, J. Phys. Chem. C 2011, 115, 25273-25280
22. A. Ramasubramaniam, D. Naveh, E. Towe, Nano Lett. 2011, 11, 1070-1075.
23. T. Mueller, F. Xia, P. Avouris, Nat. Photonics 2010, 4, 297-301.
24. N. M. Gabor, J. C. W. Song, Q. Ma, N. L. Nair, T. Taychatanapat, K. Watanabe, T. Taniguchi, L. S. Levitov, P. Jarillo-Herrero, Science 2011, 334, 648-652.
25. W. G. Zhu, H. Chen, K. H. Bevan, Z. Y. Zhang, ACS Nano 2011, 5, 3707-3713.
26. R. V. Gorbachev, A. S. Mayorov, A. K. Savchenko, D. W. Horsell, F. Guinea, Nano Lett. 2008, 8, 1995-1999.
27. G. Rao, M. Freitag, H. Y. Chiu, R. S. Sundaram, P. Avouris, ACS Nano 2011, 5, 5848-5854.
28. H. C. Cheng, R. J. Shiue, C. C. Tsai, W. H. Wang, Y. T. Chen, ACS Nano 2011, 5, 2051-2059.
29. J. Baltazar, H. Sojoudi, S. A. Paniagua, J. Kowalik, S. R. Marder, L. M. Tolbert, S. Graham, C. L. Henderson, J. Phys. Chem. C 2012, 116, 19095-19103.
30. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurthy, A. K. Geim, A. C. Ferrari, A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 210-215.
31. S. Pisana, M. Lazzeri, C. Casiraghi, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, F. Mauri, Nat. Mater. 2007, 6, 198-201.
32. J. Yan, Y. B. Zhang, P. Kim, A. Pinczuk, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 166802.
33. X. S. Li, W. W. Cai, J. An, S. Kim, J. Nah, D. X. Yang, R. Piner, A. Velamakanni, I. Jung, E. Tutuc, S. K. Banerjee, L. Colombo, R. S. Ruoff, Science 2009, 324, 1312-1314
34. K. K. Kim, A. Hsu, X. Jia, S. M. Kim, Y. Shi, M. Hofmann, D. Nezich, J. F. Rodriguez-Nieva, M. Dresselhaus, T. Palacios, J. Kong, Nano Lett. 2012, 12, 161-166.