Investigating the mechanism of hysteresis effect in graphene electrical field device fabricated on SiO2 substrates using raman spectroscopy

Small

Volumn 8, Issue 18, 2012, Pages 2833-2840

  Xu, Hua ^a   Chen, Yabin ^b   Zhang, Jin ^b   Zhang, Haoli ^a  

^a LANZHOU UNIVERSITY   (China)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

electrochemical doping; graphene field effect transistors; H2O O2 redox couple; hysteresis effects; Raman spectroscopy

Indexed keywords

CHARGE-TRANSFER MECHANISM; DYNAMIC EQUILIBRIA; ELECTRICAL FIELD; ELECTROCHEMICAL DOPING; HYSTERESIS BEHAVIOR; HYSTERESIS EFFECT; IN-SITU RAMAN SPECTROSCOPY; REDOX COUPLE; SILANOL GROUPS;

CHARGE TRANSFER; DYNAMICS; ELECTRIC FIELD EFFECTS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; HYDROGEN; HYDROGEN BONDS; HYSTERESIS; INTERFACES (MATERIALS); RAMAN SCATTERING; RAMAN SPECTROSCOPY; SUBSTRATES;

GRAPHENE;

EID: 84866417159     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201102468     Document Type: Article

References (39)

1. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
2. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 183.
3. G. Eda, G. Fanchini, M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 270.
4. F. Schedin, A. K. Geim, S. V. Morozov, E. W. Hill, P. Blake, M. I. Katsnelson, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2007, 6, 652.
5. D. A. Dikin, S. Stankovich, E. J. Zimney, R. D. Piner, G. H. B. Dommett, G. Evmenenko, S. T. Nguyen, R. S. Ruoff, Nature 2007, 448, 457.
6. P. V. Kamat, J. Phys. Chem. Lett. 2010, 1, 520.
7. C. Stampfer, E. Schurtenberger, F. Molitor, J. G. ttinger, T. Ihn, K. Ensslin, Nano Lett. 2008, 8, 2378.
8. T. Lohmann, K. v. Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2009, 9, 1973.
9. H. Xu, Y. B. Chen, W. G. Xu, H. L. Zhang, J. Kong, M. S. Dresselhaus, J. Zhang, Small 2011, 7, 2945.
10. X. Q. Zhang, S. H. Wan, J. B. Pu, L. P. Wang, X. Q. Liu, J. Mater. Chem. 2011, 21, 12251.
11. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, Hagen Klauk, K. v. Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2010, 10, 1149.
12. H. Wang, Y. H. Wu, C. X. Cong, Jing Zhi Shang, T. Yu, ACS Nano 2010, 4, 7221.
13. M. Muoth, T. Helbling, L. Durrer, S. W. Lee, C. Roman, C. Hierold, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 589.
14. Z. G. Cheng, Q. Y. Zhou, C. X. Wang, Q. Li, C. Wang, Y. Fang, Nano Lett. 2011, 11, 767.
15. S. A. McGill, S. G. Rao, P. Manandhar, P. Xiong, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 163123.
16. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, Q. Wang, Y. M. Li, H. J. Dai, Nano Lett. 2003, 3, 193.
17. J. S. Lee, S. Ryu, K. Yoo, I. S. Choi, W. S. Yun, J. Kim, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12504.
18. A. Vijayaraghavan, S. Kar, C. Soldano, S. Talapatra, O. Nalamasu, P. M. Ajayan, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 162108.
19. P. Joshi, H. E. Romero, A. T. Neal, V. K. Toutam, S. A. Tadigadapa, J. Phys.: Condens. Matter 2010, 22, 334214.
20. S. Ryu, L. Liu, S. Berciaud, Y. J. Yu, H. Liu, P. Kim, G. W. Flynn, L. E. Brus, Nano Lett. 2010, 10, 4944.
21. P. L. Levesque, S. S. Sabri, C. M. Aguirre, J. Guillemette, M. Siaj, P. Desjardins, T. Szkopek, R. Martel, Nano Lett. 2011, 132.
22. Z. h. Liu, A. A. Bol, W. Haensch, Nano Lett. 2011, 11, 523.
23. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722.
24. A. Das, S. Pisana, B. Chakraborty, S. Piscanec, S. K. Saha, U. V. Waghmare, K. S. Novoselov, H. R. Krishnamurity, A. K. Geim, A. C. Ferrari, A. K. Sood, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 210.
25. J. Yan, Y. B. Zhang, P. Kim, A. Pinczuk, Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 166802.
26. S. Pisana, M. Lazzeri, C. Casiraghi, K. S. Novoselov, A. K. Geim, A. C. Ferrari, F. Mauri, Nat. Mater. 2007, 6, 198.
27. H. Xu, L. M. Xie, H. L. Zhang, J. Zhang, ACS Nano 2011, 5, 5338.
28. S. Yuan, Q. Zhang, Y. You, Z.-X. Shen, D. Shimamoto, M. Endo, Nano Lett. 2009, 9, 383.
29. B. Huard, N. Stander, J. A. Sulpizio, D. Goldhaber-Gordon, Phys. Rev. B 2008, 78, 121402(R).
30. D. B. Farmer, R. Golizadeh-Mojarad, V. Perebeinos, Y. M. Lin, G. S. Tulevski, J. C. Tsang, P. Avouris, Nano Lett. 2009, 9, 388.
31. C. C. Chen, W. Bao, J. Theiss, C. Dames, C. N. Lau, S. B. Cronin, Nano Lett. 2009, 9, 4172.
32. O. Leenaerts, B. Partoens, F. M. Peeters, Phys. Rev. B 2009, 79, 235440.
33. S. Berciaud, S. Ryu, L. E. Brus, T. F. Heinz, Nano Lett. 2009, 9, 346.
34. A. Verdaguer, C. Weis, G. Oncins, G. Ketteler, H. Bluhm, M. Salmeron, Langmuir 2007, 23, 9699.
35. J. Xue, J. Sanchez-Yamagishi, D. Bulmash, P. Jacquod, A. Deshpande, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, B. J. LeRoy, Nano Lett. 2011, 11
36. V. Chakrapani, J. C. Angus, A. B. Anderson, S. D. Wolter, B. R. Stoner, G. U. Sumanasekera, Science 2007, 318, 1424.
37. H. Pinto, R. Jones, J. P. Goss, P. R. Briddon, Phys. Status Solidi A 2010, 207, 2131.
38. J. O. M. Bockris, S. U. M. Khan, Surface Electrochemistry: A Molecular Level Approach. New York, 1993, p 496-500.
39. A. J. Bard, L. R. Faulkner, Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications, 2nd ed. John Wiley & Sons: New York, 2001, p 833-836.