Observation of unusual, highly conductive grain boundaries in high-mobility phase separated organic semiconducting blend films probed by lateral-transport conductive-AFM

Advanced Materials

Volumn 25, Issue 31, 2013, Pages 4320-4326

  Hunter, Simon ^a   Anthopoulos, Thomas D ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

Author keywords

charge transport; conductive AFM; grain boundary; organic blend semiconductors; organic transistors

Indexed keywords

BLEND FILMS; CONDUCTIVE AFM; CONDUCTIVE GRAINS; HIGH MOBILITY; HOLE TRANSPORTS; ORGANIC BLEND SEMICONDUCTORS; ORGANIC TRANSISTOR; SEMICONDUCTING BLEND;

CHARGE TRANSFER; COMPOSITE FILMS; GRAIN BOUNDARIES; HOLE MOBILITY; HYBRID MATERIALS;

CONDUCTIVE FILMS;

EID: 84882453440     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201300020     Document Type: Article

References (26)

1. G. Giri, E. Verploegen, S. C. B. Mannsfeld, S. Atahan-Evrenk, D. H. Kim, S. Y. Lee, H. A. Becerril, A. Aspuru-Guzik, M. F. Toney, Z Bao, Nature 2011, 480, 504.
2. S. K. Park, D. a. Mourey, S. Subramanian, J. E. Anthony, T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 043301.
3. J. Smith, W. Zhang, R. Sougrat, K. Zhao, R. Li, D. Cha, A. Amassian, M. Heeney, I. McCulloch, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2012, 24, 2441.
4. J. Kang, N. Shin, D. Y. Jang, V. M. Prabhu, D. Y. Yoon, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12273.
5. H. Bronstein, Z. Chen, R. S. Ashraf, W. Zhang, J. Du, J. R. Durrant, P. S. Tuladhar, K. Song, S. E. Watkins, Y. Geerts, M. M. Wienk, R. a J. Janssen, T. Anthopoulos, H. Sirringhaus, M. Heeney, I. McCulloch,. J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 3272.
6. R. Hamilton, J. Smith, S. Ogier, M. Heeney, J. E. Anthony, I. McCulloch, J. Veres, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2009, 21, 1166.
7. J. Smith, R. Hamilton, Y. Qi, A. Kahn, D. D. C. Bradley, M. Heeney, I. McCulloch, T. D. Anthopoulos, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 2330.
8. M. Lada, M. J. Starink, M. Carrasco, L. Chen, P. Miskiewicz, P. Brookes, M. Obarowska, D. C. Smith, J. Mater. Chem. 2011, 1, 11232.
9. J. Rivnay, L. H. Jimison, J. E. Northrup, M. F. Toney, R. Noriega, S. Lu, T. J. Marks, A. Facchetti, A. Salleo, Nat. Mater. 2009, 8, 952.
10. J. Chen, C. K. Tee, M. Shtein, J. Anthony, D. C. Martin, J. Appl. Phys. 2008, 103, 114513.
11. M. Weis, K. Gmucová, V. Nádaždy, E. Majková, D. Haško, D. Taguchi, T. Manaka, M. Iwamoto, Jpn. J. Appl. Phys. 2011, 50, 04DK03.
12. G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, Synt. Met. 2001, 122, 185.
13. X. Li, W. T. T. Smaal, C. Kjellander, B. van der Putten, K. Gualandris, E. C. P. Smits, J. Anthony, D. J. Broer, P. W. M. Blom, J. Genoe, G. Gelinck, Org. Electron. 2011, 12, 1319.
14. J. Smith, R. Hamilton, M. Heeney, D. M. de Leeuw, E. Cantatore, J. E. Anthony, I. McCulloch, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 253301.
15. H. Yang, T. J. Shin, M.-M. Ling, K. Cho, C. Y. Ryu, Z. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11542.
16. W.-S. Hu, Y.-T. Tao, Y.-F. Chen, C.-S. Chang, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 053304.
17. T. W. Kelley, C. D. Frisbie, J. Vacuum Sci. Technol. B 2000, 18, 632.
18. T. W. Kelley, C. D. Frisbie, J. Phys. Chem. B 2001, 105, 4538.
19. F. Martin, B. Hendriksen, A. Katan, I. Ratera, Y. Qi, B. Harteneck, J. A. Liddle, M. Salmeron, Rev. Sci. Instrum. 2011, 82, 123901.
20. B. L. M. Hendriksen, F. Martin, Y. Qi, C. Mauldin, N. Vukmirovic, J. Ren, H. Wormeester, A. J. Katan, V. Altoe, S. Aloni, J. M. J. Fréchet, L.-W. Wang, M. Salmeron, Nano Lett. 2011, 11, 4107.
21. J.-C. Bolsée, W. D. Oosterbaan, L. Lutsen, D. Vanderzande, J. Manca, Adv. Funct. Mater. 2012, 23, 862.
22. S. S. Lee, J. M. Mativetsky, M. A. Loth, J. E. Anthony, Y. Loo, ACS Nano 2012, 6, 9879.
23. C. Reese, Z. Bao, Adv. Mater. 2007, 19, 4535.
24. S. S. Lee, M. a Loth, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 5436.
25. W. H. Lee, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. Jang, J. A. Lim, D. Kwak, K. Cho, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 092105.
26. O. D. Jurchescu, S. Subramanian, R. J. Kline, S. D. Hudson, J. E. Anthony, T. N. Jackson, D. J. Gundlach, Chem. Mater. 2008, 20, 6733.