The influence of film morphology in high-mobility small-molecule: Polymer blend organic transistors

Advanced Functional Materials

Volumn 20, Issue 14, 2010, Pages 2330-2337

  Smith, Jeremy ^a   Hamilton, Richard ^a   Qi, Yabing ^b   Kahn, Antoine ^b   Bradley, Donal D C ^a   Heeney, Martin ^a   McCulloch, Iain ^a   Anthopoulos, Thomas D ^a  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^b Princeton University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BLEND FILMS; CHARGE TRANSPORT; FILM MICROSTRUCTURES; FILM MORPHOLOGY; FILM-PROCESSING CONDITIONS; GATE VOLTAGES; GOLD ELECTRODES; HIGH MOBILITY; HOLE TRANSPORTS; LARGE-GRAIN; MOLECULAR SEMICONDUCTORS; ON CURRENTS; ORGANIC ELECTRONICS; ORGANIC TRANSISTOR; POLY(TRIARYLAMINE); SAMS; SMALL MOLECULES; SOURCE AND DRAIN ELECTRODES; TEMPERATURE REGIMES; THERMALLY ACTIVATED; TRAP DENSITY;

ACTIVATION ENERGY; DRAIN CURRENT; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAIN BOUNDARIES; GRAIN SIZE AND SHAPE; HOLE MOBILITY; MICROSTRUCTURE; ORGANIC POLYMERS; SELF ASSEMBLED MONOLAYERS; WORK FUNCTION;

ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 77955411861     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201000427     Document Type: Article

References (40)

1. a) F. Eder, H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2673.
2. b) G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. v. Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. v. d. Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. v. Rens, D. M. D. Leeuw, Nat. Mater. 2004, 3, 106.
3. T. Ohe, M. Kuribayashi, R. Yasuda, A. Tsuboi, K. Nomoto, K. Satori, M. Itabashi, J. Kasahara, Appl. Php. Lett. 2008, 93, 053303.
4. a) W. H. Lee, J. A. Lim, D. Kwak, J. H. Cho, H. S. Lee, H. H. Choi, K. Cho, Adv. Mater. 2009, 21, 4243.
5. b) J. Kang, N. Shin, D. Y. Jang, V. M. Prabhu, D. Y. Yoon, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12273.
6. M.-B. Madec, D. Crouch, G. R. Llorente, T. J. Whittle, M. Geogheganc, S. G. Yeates J. Mater. Chem. 2008, 18, 3230.
7. J. Smith, R. Hamilton, I. McCulloch, N. Stingelin-Stutzmann, M. Heeney, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, J. Mater. Chem. 2010, 20, 2562.
8. a) S. Subramanian, S. K. Park, S. R. Parkin, V. Podzorov, T. N. Jackson, J. E. Anthony, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 2706.
9. b) O. D. Jurchescu, D. A. Mourey, S. Subramanian, S. R. Parkin, B. M. Vogel, J. E. Anthony, T. N. Jackson, D. J. Gundlach, Phys. Rev. B 2009, 80, 085201.
10. J. Smith, R. Hamilton, I. McCulloch, M. Heeney, J. E. Anthony, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Synth. Met. 2009, 159, 2365.
11. R. Hamilton, J. Smith, S. Ogier, M. Heeney, J. E. Anthony, I. McCulloch, D. D. C. Bradley, J. Veres, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2009, 21, 1166.
12. J. Smith, R. Hamilton, M. Heeney, D. M. de Leeuw, E. Cantatore, J. E. Anthony, I. McCulloch, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 253301.
13. a) R. L. Headrick, S. Wo, F. Sansoz, J. E. Anthony, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 063302.
14. b) V. C. Sundar, J. Zaumseil, V. Podzorov, E. Menard, R. L. Willett, T. Someya, M. E. Gershenson, J. A. Rogers, Science 2004, 303, 1644.
15. J. Y. Lee, S. Roth, Y. W. Park, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 252106.
16. J. Rivnay, L H. Jimison, J. E. Northrup, M. F. Toney, R. Noriega, S. Lu, T. J. Marks, A. Facchetti, A. Salleo, Nat. Mater. 2009, 8, 952.
17. a) G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, Adv. Mater. 2000, 12, 1046.
18. b) L. H. Jimison, M. F.Toney, I. McCulloch, M. Heeney, A. Salleo, Adv. Mater. 2009, 21, 1568.
19. c) C. Wang, L. H. Jimison, L Goris, I. McCulloch, M. Heeney, A. Ziegler, A. Salleo, Adv. Mater. 2010, 22, 697.
20. a) J. A. Lim, H. S. Lee, W. H. Lee, K. Cho, Adv. Funct. Mater. 2008, 19, 1515.
21. b) W. H. Lee, J. A. Lim, D. H. Kim, J. H. Cho, Y. jang, Y. H. Kim, J. I. Han, K. Cho, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 560.
22. c) C. W. Sele, B. K. C. Kjellander, B. Niesen, M.J. Thornton, J. B. P. H.v. d. Putten, K. Myny, H.J. Wondergem, A. Moser, R. Resel, A. J. J. M. v. Breemen, N. v. Aerle, P. Heremans, J. E. Anthony, G. H. Gelinck, Adv. Mater. 2009, 21, 4926.
23. d) K. C. Dickey, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, Adv. Mater. 2006, 18, 1721.
24. e) S. S. Lee, C. S. Kim, E. D. Gomez, B. Purushothaman, M. F. Toney, C. Wang, A. Hexemer, J. E. Anthony, Y.-L. Loo, Adv. Mater. 2009, 21, 3605.
25. Y.-H. Kim, Y. U. Lee, J.-I. Han, S.-M. Han, M.-K. Hanb, J. Eletrochem. Soc. 2007, 154, H995.
26. D. J. Gundlach, J. E. Royer, S. K. Park, S. Subramanian, O. D. Jurchescu, B. H. Hamadani, A. J. Moad, R. J. Kline, L. C. Teague, O. Kirillov, C. A. Richter, J. G. Kushmerik, L. J. Richter, S. R. Parkin, T. N. Jackson, J. E. Anthony, Nat. Mater. 2008, 7, 216.
27. J.-P. Hong, A.-Y. Park, S. Lee, J. Kang, N. Shin, D. Y. Yoon, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 143311.
28. G. Horowitz, M. E. Hajlaoui, R. Hajlaoui J. Appl. Phys. 2000, 87, 4456.
29. L. Torsi, A. Dodabalapur, L. J. Rothberg, A. W. P. Fung, H. E. Katz, Phys. Rev. B 1998, 57, 2271.
30. R. A. Street, J. E. Northrup, A. Salleo, Phys. Rev. B 2005, 71, 165202.
31. R. Bourguiga, G. Horowitz, F. Garnier, R. Hajlaoui, S. Jemai, H. Bouchriha, Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2002, 19, 117.
32. S. Verlaak, V. Arkhipov, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 745.
33. W. B. Jackson, Phys. Rev. B 1988, 38, 3595.
34. E. J. Meijer, G. H. Gelinck, E. van Veenendaal, B.-H. Huisman, D. M. de Leeuw, T. M. Klapwijk, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4576.
35. V. Podzorov, E. Menard, A. Borissov, V. Kiryukhin, J. A. Rogers, M. E. Gershenson, Phys. Rev. Lett. 2004, 93, 086602.
36. S. M. Sze, in Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Wiley Eastern Limited, New Delhi, India 1981, Ch. 6.
37. D. M. de Leeuw, G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, E. van Veenendaal, E. Cantatore, B. H. Huisman, Eletron Devices Meeting IEDM '02. Digest. International, 2002, 293.
38. V. Vinciguerra, M. L. Rosa, D. Nicolosi, G. Sicurella, L. Occhipinti, Org. Electron. 2009, 10, 1074.
39. B. H. Hamadani, D. Natelson, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 443.
40. C. I. Wu, Y. Hirose, H. Sirringhaus, A. Kahn, Chem. Phys. Lett. 1997, 272, 43.