Improvement of resistive switching uniformity by introducing a thin NbOx interface layer

ECS Solid State Letters

Volumn 1, Issue 5, 2012, Pages

  Liu, Xinjun ^a   Sadaf, Sharif Md ^a   Kim, Seonghyun ^a   Biju, Kuyyadi P ^b   Cao, Xun ^c   Son, Myungwoo ^a   Choudhury, Sakeb Hasan ^a   Jung, Gun Young ^a   Hwang, Hyunsang ^d  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Government College Kodenchery   (India)

^c SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS   (China)

^d Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BOTTOM ELECTRODES; FILAMENTARY CONDUCTION; INSULATOR-METAL PHASE; INTERFACE LAYER; RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM); RESISTIVE SWITCHING;

PLATINUM; SWITCHING SYSTEMS;

NIOBIUM OXIDE;

EID: 84880554101     PISSN: 21628742     EISSN: 21628750     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.004205ssl     Document Type: Article

References (20)

1. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mater., 21, 2632 (2009).
2. M. J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. B. Kim, C. J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. I. Chung, I. K. Yoo, and K. Kim, Nat. Mater., 10, 625 (2011).
3. J. J. Yang, F. Miao, M. D. Pickett, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, C. N. Lau, and R. S. Williams, Nanotechnology, 21, 215201 (2009).
4. M. J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. X. Yin, S. E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, and Y. Park, Adv. Funct. Mater., 19, 1587 (2009).
5. W. C. Chien, M. H. Lee, F. M. Lee, Y. Y. Lin, H. L. Lung, K. Y. Hsieh, and C. Y. Lu, IEEE IEDM Tech. Dig. (2011) pp. 725-728.
6. W. C. Chien, Y. R. Chen, Y. C. Chen, A. T. H. Chuang, F. M. Lee, Y. Y. Lin, E. K. Lai, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, and C. Y. Lu, IEEE IEDM Tech. Dig. (2010) pp. 440-443.
7. W. C. Chien, Y. C. Chen, E. K. Lai, Y. D. Yao, P. Lin, S. F. Horng, J. Gong, T. H. Chou, H. M. Lin, M. N. Chang, Y. H. Shih, K. Y. Hsieh, R. Liu, and C. Y. Lu, IEEE Electron Device Lett., 31, 126 (2010).
8. S. Kim, K. P. Biju, M. Jo, S. Jung, J. Park, J. Lee, W. Lee, J. Shin, S. Park, and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett., 32, 671 (2011).
9. Y. Ogimoto, Y. Tamai, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett., 90, 143515 (2007).
10. H. B. Lv, H. J. Wan, and T. A. Tang, IEEE Electron Device Lett., 31, 978 (2010).
11. W. Lian, H. Lv, Q. Liu, S. Long, W. Wang, Y. Wang, Y. Li, S. Zhang, Y. Dai, J. Chen, and M. Liu, IEEE Electron Device Lett., 32, 1053 (2011).
12. J. M. Gallego and C. B. Thomas, Solid State Commun., 43, 547 (1982).
13. K. P. Biju, X. Liu, S. Kim, M. Siddik, J. Shin, J. Lee, and H. Hwang, Curr. Appl. Phys., 11, e62 (2011).
14. X. Liu, S. M. Sadaf, M. Son, J. Park, J. Shin, W. Lee, K. Seo, D. Lee, and H. Hwang, IEEE Electron Device Lett., 33, 236 (2012).
15. Y. E. Syu, T. C. Chang, T. M. Tsai, G. W. Chang, K. C. Chang, Y. H. Tai, M. J. Tsai, Y. L. Wang, and S. M. Sze, Appl. Phys. Lett., 100, 022904 (2012).
16. S. M. Sadaf, X. Liu, M. Son, S. Park, S. H. Choudhury, M. Siddik, J. Shin, and H. Hwang, Phys. Status Solidi (a), 209, 1179 (2012).
17. M. D. Pickett and R. S. Williams, Nanotechnology, 23, 215202 (2012).
18. F. A. Chudnovskii, L. L. Odynets, A. L. Pergament, and G. B. Stefanovich, J. Solid State Chem., 122, 95 (1996).
19. X. Liu, S.M. Sadaf, M. Son, J. Shin, J. Park, J. Lee, S. Park, and H. Hwang, Nanotechnology, 22, 475702 (2011).
20. D. S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, and R. Waser, J. Appl. Phys., 104, 123716 (2008).