Scaling of coplanar homojunction amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 52, Issue 3 PART 2, 2013, Pages

  Baek, Gwanghyeon ^a   Abe, Katsumi ^b,c   Kumomi, Hideya ^b,c   Kanicki, Jerzy ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

^b CANON INC   (Japan)

^c TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUSINGAZNO (A-IGZO); CHANNEL LENGTH; COPLANAR HOMOJUNCTION; IN-GA-ZN-O; OFF-CURRENT; SUBTHRESHOLD; SWITCHING CHARACTERISTICS; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS);

DISPLAY DEVICES; GALLIUM; THRESHOLD VOLTAGE; ZINC;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84877259998     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.7567/JJAP.52.03BB05     Document Type: Article

References (25)

1. A. Ban, A. Murai, T. Kawaguchi, A. Fujisawa, and M. Onoue: Sharp Tech. J. 3 (2001) 10.
2. N. Lustig and J. Kanicki: J. Appl. Phys. 65 (1989) 3951.
3. M. J. Powell: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 2753.
4. J. Lee, D. Kim, D. Yang, S. Hong, K. Yoon, P. Hong, C. Jeong, H. Park, S. Y. Kim, S. K. Lim, S. S. Kim, K. Son, T. Kim, J. Kwon, and S. Lee: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 625.
5. N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai, and T. Sasaoka: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 479.
6. J. K. Jeong, J. H. Jeong, J. H. Choi, J. S. Im, S. H. Kim, H. W. Yang, K. N. Kang, K. S. Kim, T. K. Ahn, H.-J. Chung, M. Kim, B. S. Gu, J.-S. Park, Y.-G. Mo, H. D. Kim, and H. K. Chung: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 1.
7. H.-N. Lee, J. Kyung, S. K. Kang, D. Y. Kim, M.-C. Sung, S.-J. Kim, C. N. Kim, H. G. Kim, and S.-t. Kim: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 38 (2007) 1826.
8. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
9. H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, and M. Sano: J. Disp. Technol. 5 (2009) 531.
10. T. Kamiya, K. Nomura, and H. Hosono: Sci. Technol. Adv. Mater. 11 (2010) 044305.
11. W. F. Aerts, S. Verlaak, and P. Heremans: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 2124.
12. R. A. Street, X. D. Wu, R. Weisfield, S. Ready, R. Apte, M. Ngyuen, W. B. Jackson, and P. Nylen: J. Non-Cryst. Solids 198-200 (1996) 1151.
13. K. S. Karim, A. Nathan, J. A. Rowlands, and S. O. Kasap: IEE Proc. - Circuits Devices Syst. 150 (2003) 267.
14. S. Jeon, S. Park, I. Song, J.-H. Hur, J. Park, H. Kim, S. Kim, S. Kim, H. Yin, U. I. Chung, E. Lee, and C. Kim: ACS Appl. Mater. Interfaces 3 (2011) 1.
15. A. Sato, M. Shimada, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 518 (2009) 1309.
16. U. Mishra and J. Singh: Semiconductor Device Physics and Design (Springer, Dordrecht, 2008).
17. Y. Uchida and M. Matsumura: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 2940.
18. S. Luan and G. W. Neudeck: J. Appl. Phys. 72 (1992) 766.
19. C.-D. Kim and M. Matsumura: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 2172.
20. J. G. J. Chern, P. Chang, R. F. Motta, and N. Godinho: IEEE Electron Device Lett. 1 (1980) 170.
21. N. Morosawa, Y. Ohshima, M. Morooka, T. Arai, and T. Sasaoka: J. Soc. Inf. Disp. 20 (2012) 47.
22. D. L. Critchlow: Proc. IEEE 87 (1999) 659.
23. G. Baek, K. Abe, A. Kuo, H. Kumomi, and J. Kanicki: IEEE Trans. Electron Devices 58 (2011) 4344.
24. H.-H. Hsieh, T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, and C.-C. Wu: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 133503.
25. S. Jeon, G. Ko, J. Chang, S. Hwang, and J. Myoung: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 42 (2011) 1308.