SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 1, Issue 14, 2013, Pages 2534-2539

Temperature tolerance study of high performance electrochemically gated SnO2 nanowire field-effect transistors

(6) Nasr, Babak a,b Zhao Karger, Zhirong a Wang, Di a Kruk, Robert a Hahn, Horst a,b,c Dasgupta, Subho a

a KARLSRUHE INSTITUTE OF TECHNOLOGY (Germany)

b DARMSTADT UNIVERSITY OF TECHNOLOGY (Germany)

c KARLSRUHE INSTITUTE OF TECHNOLOGY (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIO-MEDICAL APPLIANCES; LOW VOLTAGE OPERATION; ORGANIC PHOTOVOLTAICS; SINGLE-CRYSTALLINE; TEMPERATURE TOLERANCE; TRANSISTOR CHANNELS; TRANSISTOR CHARACTERISTICS; TRANSISTOR PERFORMANCE;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

NANOWIRES;

EID: 84876925291 PISSN: 20507534 EISSN: 20507526 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c3tc00061c Document Type: Article

Times cited : (14)

References (32)

1
- 84860289329
- M. Kaltenbrunner M. S. White E. D. Głowacki T. Sekitani T. Someya N. S. Sariciftci S. Bauer Nat. Commun. 2012 3 770
- (2012) Nat. Commun. , vol.3 , pp. 770
- Kaltenbrunner, M.¹ White, M.S.² Głowacki, E.D.³ Sekitani, T.⁴ Someya, T.⁵ Sariciftci, N.S.⁶ Bauer, S.⁷

2
- 29244443429
- V. Subramanian P. C. Chang S. Member J. B. Lee S. E. Molesa S. K. Volkman IEEE Trans. Compon. Packag. Technol. 2005 28 742
- (2005) IEEE Trans. Compon. Packag. Technol. , vol.28 , pp. 742
- Subramanian, V.¹ Chang, P.C.² Member, S.³ Lee, J.B.⁴ Molesa, S.E.⁵ Volkman, S.K.⁶

3
- 77949344390
- V. Dua S. P. Surwade S. Ammu S. R. Agnihotra S. Jain K. E. Roberts S. Park R. S. Ruoff S. K. Manohar Angew. Chem., Int. Ed. 2010 49 2154
- (2010) Angew. Chem., Int. Ed. , vol.49 , pp. 2154
- Dua, V.¹ Surwade, S.P.² Ammu, S.³ Agnihotra, S.R.⁴ Jain, S.⁵ Roberts, K.E.⁶ Park, S.⁷ Ruoff, R.S.⁸ Manohar, S.K.⁹

4
- 80052225261
- D. J. Lipomi Z. Bao Energy Environ. Sci. 2011 4 3314
- (2011) Energy Environ. Sci. , vol.4 , pp. 3314
- Lipomi, D.J.¹ Bao, Z.²

5
- 77649187284
- S. Choi J. Han S. Kim D. Moon M. Jang Y. Choi IEEE Electron Device Lett. 2010 31 228
- (2010) IEEE Electron Device Lett. , vol.31 , pp. 228
- Choi, S.¹ Han, J.² Kim, S.³ Moon, D.⁴ Jang, M.⁵ Choi, Y.⁶

6
- 34249944427
- S. Ju A. Facchetti Y. Xuan J. Liu F. Ishikawa P. Ye C. Zhou T. J. Marks D. B. Janes Nat. Nanotechnol. 2007 2 378
- (2007) Nat. Nanotechnol. , vol.2 , pp. 378
- Ju, S.¹ Facchetti, A.² Xuan, Y.³ Liu, J.⁴ Ishikawa, F.⁵ Ye, P.⁶ Zhou, C.⁷ Marks, T.J.⁸ Janes, D.B.⁹

7
- 63549105009
- W. F. Zhang Z. B. He G. D. Yuan J. S. Jie L. B. Luo X. J. Zhang Z. H. Chen C. S. Lee W. J. Zhang S. T. Lee Appl. Phys. Lett. 2009 94 123103
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 123103
- Zhang, W.F.¹ He, Z.B.² Yuan, G.D.³ Jie, J.S.⁴ Luo, L.B.⁵ Zhang, X.J.⁶ Chen, Z.H.⁷ Lee, C.S.⁸ Zhang, W.J.⁹ Lee, S.T.¹⁰

8
- 73249133735
- P. Chen G. Shen H. Chen Y. Ha C. Wu S. Sukcharoenchoke Y. Fu J. Liu A. Facchetti T. J. Marks M. E. Thompson C. Zhou ACS Nano 2009 3 3383
- (2009) ACS Nano , vol.3 , pp. 3383
- Chen, P.¹ Shen, G.² Chen, H.³ Ha, Y.⁴ Wu, C.⁵ Sukcharoenchoke, S.⁶ Fu, Y.⁷ Liu, J.⁸ Facchetti, A.⁹ Marks, T.J.¹⁰ Thompson, M.E.¹¹ Zhou, C.¹²

9
- 33750898646
- S. Ju D. B. Janes G. Lu A. Facchetti T. J. Marks Appl. Phys. Lett. 2006 89 193506
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 193506
- Ju, S.¹ Janes, D.B.² Lu, G.³ Facchetti, A.⁴ Marks, T.J.⁵

10
- 28144453662
- S. Ju K. Lee D. B. Janes M.-H. Yoon A. Facchetti T. J. Marks Nano Lett. 2005 5 2281
- (2005) Nano Lett. , vol.5 , pp. 2281
- Ju, S.¹ Lee, K.² Janes, D.B.³ Yoon, M.-H.⁴ Facchetti, A.⁵ Marks, T.J.⁶

11
- 83655190559
- D. Kälblein R. T. Weitz H. J. Böttcher F. Ante U. Zschieschang K. Kern H. Klauk Nano Lett. 2011 11 5309
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 5309
- Kälblein, D.¹ Weitz, R.T.² Böttcher, H.J.³ Ante, F.⁴ Zschieschang, U.⁵ Kern, K.⁶ Klauk, H.⁷

12
- 0035890534
- E. A. Katz D. Faiman S. M. Tuladhar J. M. Kroon M. M. Wienk T. Fromherz F. Padinger C. J. Brabec N. S. Sariciftci J. Appl. Phys. 2001 90 5343
- (2001) J. Appl. Phys. , vol.90 , pp. 5343
- Katz, E.A.¹ Faiman, D.² Tuladhar, S.M.³ Kroon, J.M.⁴ Wienk, M.M.⁵ Fromherz, T.⁶ Padinger, F.⁷ Brabec, C.J.⁸ Sariciftci, N.S.⁹

13
- 9544231694
- M. Shima M. Isomura K. Wakisaka K. Murata M. Tanaka Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2005 85 167
- (2005) Sol. Energy Mater. Sol. Cells , vol.85 , pp. 167
- Shima, M.¹ Isomura, M.² Wakisaka, K.³ Murata, K.⁴ Tanaka, M.⁵

14
- 49749091746
- K. Sriprapha S. Y. Myong A. Yamada M. Konagai Jpn. J. Appl. Phys. 2008 47 1496
- (2008) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.47 , pp. 1496
- Sriprapha, K.¹ Myong, S.Y.² Yamada, A.³ Konagai, M.⁴

15
- 80053485947
- B. Yang J. Cox Y. Yuan F. Guo J. Huang Appl. Phys. Lett. 2011 99 133302
- (2011) Appl. Phys. Lett. , vol.99 , pp. 133302
- Yang, B.¹ Cox, J.² Yuan, Y.³ Guo, F.⁴ Huang, J.⁵

16
- 76449083116
- K. Fukuda T. Yokota K. Kuribara T. Sekitani U. Zschieschang H. Klauk T. Someya Appl. Phys. Lett. 2010 96 053302
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.96 , pp. 053302
- Fukuda, K.¹ Yokota, T.² Kuribara, K.³ Sekitani, T.⁴ Zschieschang, U.⁵ Klauk, H.⁶ Someya, T.⁷

17
- 84859171510
- K. Kuribara H. Wang N. Uchiyama K. Fukuda T. Yokota U. Zschieschang C. Jaye D. Fischer H. Klauk T. Yamamoto K. Takimiya M. Ikeda H. Kuwabara T. Sekitani Y.-L. Loo T. Someya Nat. Commun. 2012 3 723
- (2012) Nat. Commun. , vol.3 , pp. 723
- Kuribara, K.¹ Wang, H.² Uchiyama, N.³ Fukuda, K.⁴ Yokota, T.⁵ Zschieschang, U.⁶ Jaye, C.⁷ Fischer, D.⁸ Klauk, H.⁹ Yamamoto, T.¹⁰ Takimiya, K.¹¹ Ikeda, M.¹² Kuwabara, H.¹³ Sekitani, T.¹⁴ Loo, Y.-L.¹⁵ Someya, T.¹⁶

18
- 84860331872
- 10.1002/adfm.201202500
- B. Nasr D. Wang R. Kruk H. Rösner H. Hahn S. Dasgupta Adv. Funct. Mater. 2012 10.1002/adfm.201202500
- (2012) Adv. Funct. Mater.
- Nasr, B.¹ Wang, D.² Kruk, R.³ Rösner, H.⁴ Hahn, H.⁵ Dasgupta, S.⁶

19
- 84870593332
- S. Dasgupta G. Stoesser N. Schweikert R. Hahn S. Dehm R. Kruk H. Hahn Adv. Funct. Mater. 2012 22 4909
- (2012) Adv. Funct. Mater. , vol.22 , pp. 4909
- Dasgupta, S.¹ Stoesser, G.² Schweikert, N.³ Hahn, R.⁴ Dehm, S.⁵ Kruk, R.⁶ Hahn, H.⁷

20
- 0004005306
- John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 3rd edn
- S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 3rd edn, 2007
- (2007) Physics of Semiconductor Devices
- Sze, S.M.¹ Ng, K.K.²

21
- 46049100598
- S. Roddaro K. Nilsson G. Astromskas L. Samuelson L.-E. Wernersson O. Karlström A. Wacker Appl. Phys. Lett. 2008 92 253509
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 253509
- Roddaro, S.¹ Nilsson, K.² Astromskas, G.³ Samuelson, L.⁴ Wernersson, L.-E.⁵ Karlström, O.⁶ Wacker, A.⁷

22
- 58149260031
- T. Uemura R. Hirahara Y. Tominari S. Ono S. Seki J. Takeya Appl. Phys. Lett. 2008 93 263305
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 263305
- Uemura, T.¹ Hirahara, R.² Tominari, Y.³ Ono, S.⁴ Seki, S.⁵ Takeya, J.⁶

23
- 45749129017
- H. Shimotani H. Suzuki K. Ueno M. Kawasaki Y. Iwasa Appl. Phys. Lett. 2008 92 242107
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.92 , pp. 242107
- Shimotani, H.¹ Suzuki, H.² Ueno, K.³ Kawasaki, M.⁴ Iwasa, Y.⁵

24
- 77958039936
- S. Ono N. Minder Z. Chen A. Facchetti A. F. Morpurgo Appl. Phys. Lett. 2010 97 143307
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 143307
- Ono, S.¹ Minder, N.² Chen, Z.³ Facchetti, A.⁴ Morpurgo, A.F.⁵

25
- 0000255705
- P. Dzhavakhidze A. Kornyshev A. Liebsch M. Urbakh Phys. Rev. B: Condens. Matter 1992 45 9339
- (1992) Phys. Rev. B: Condens. Matter , vol.45 , pp. 9339
- Dzhavakhidze, P.¹ Kornyshev, A.² Liebsch, A.³ Urbakh, M.⁴

26
- 44949284594
- P. G. Dzhavaichidze A. A. Kornyshev A. Liebsch M. Urbakh Electrochim. Acta 1991 36 1835
- (1991) Electrochim. Acta , vol.36 , pp. 1835
- Dzhavaichidze, P.G.¹ Kornyshev, A.A.² Liebsch, A.³ Urbakh, M.⁴

27
- 77955172007
- K. Hoshino J. F. Wager S. Member IEEE Electron Device Lett. 2010 31 818
- (2010) IEEE Electron Device Lett. , vol.31 , pp. 818
- Hoshino, K.¹ Wager, J.F.² Member, S.³

28
- 59649098932
- K. Takechi M. Nakata T. Eguchi H. Yamaguchi S. Kaneko Jpn. J. Appl. Phys. 2009 48 011301
- (2009) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.48 , pp. 011301
- Takechi, K.¹ Nakata, M.² Eguchi, T.³ Yamaguchi, H.⁴ Kaneko, S.⁵

29
- 0037701677
- R. Tanaka M. Sakurai H. Sekiguchi M. Inoue Electrochim. Acta 2003 48 2311
- (2003) Electrochim. Acta , vol.48 , pp. 2311
- Tanaka, R.¹ Sakurai, M.² Sekiguchi, H.³ Inoue, M.⁴

30
- 0036901449
- Y. Kato K. Suwa S. Yokoyama T. Yabe H. Ikuta Solid State Ionics 2002 153 155
- (2002) Solid State Ionics , vol.153 , pp. 155
- Kato, Y.¹ Suwa, K.² Yokoyama, S.³ Yabe, T.⁴ Ikuta, H.⁵

31
- 0026896140
- O. Bohnke C. Rousselt P. A. Gillet C. Truche J. Electrochem. Soc. 1992 139 1862
- (1992) J. Electrochem. Soc. , vol.139 , pp. 1862
- Bohnke, O.¹ Rousselt, C.² Gillet, P.A.³ Truche, C.⁴

32
- 0036470763
- J. E. Dominguez X. Q. Pan L. Fu P. A. Van Rompay Z. Zhang J. A. Nees P. P. Pronko J. Appl. Phys. 2002 91 1060
- (2002) J. Appl. Phys. , vol.91 , pp. 1060
- Dominguez, J.E.¹ Pan, X.Q.² Fu, L.³ Van Rompay, P.A.⁴ Zhang, Z.⁵ Nees, J.A.⁶ Pronko, P.P.⁷

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.