SCOPUS 정보 검색 플랫폼 - 논문 보기

메뉴 건너뛰기

Volumn 15, Issue 10, 2013, Pages 1874-1881

Radial growth behavior and characteristics of m-plane In 0.16Ga0.84N/GaN MQW nanowires by MOCVD

(4) Ra, Yong Ho a Navamathavan, R a Park, Ji Hyeon a Lee, Cheul Ro a

a Chonbuk National University (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84874067874 PISSN: None EISSN: 14668033 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2ce26842f Document Type: Article

Times cited : (18)

References (28)

1
- 84862295284
- T. W. Yeh Y. T. Lin B. Ahn L. S. Stewart P. D. Dapkus S. R. Nutt Appl. Phys. Lett. 2012 100 033119
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.100 , pp. 033119
- Yeh, T.W.¹ Lin, Y.T.² Ahn, B.³ Stewart, L.S.⁴ Dapkus, P.D.⁵ Nutt, S.R.⁶

2
- 33646412885
- N. Thillosen K. Sebald H. Hardtdegan R. Meijers R. Calarco S. Montanari N. Kaluza J. Gutowski H. Luth Nano Lett. 2006 6 704
- (2006) Nano Lett. , vol.6 , pp. 704
- Thillosen, N.¹ Sebald, K.² Hardtdegan, H.³ Meijers, R.⁴ Calarco, R.⁵ Montanari, S.⁶ Kaluza, N.⁷ Gutowski, J.⁸ Luth, H.⁹

3
- 84856962375
- M. M. Jolandan R. A. Bernal I. Kuljanishvili V. Parpoil H. D. Espinosa Nano Lett. 2012 12 970
- (2012) Nano Lett. , vol.12 , pp. 970
- Jolandan, M.M.¹ Bernal, R.A.² Kuljanishvili, I.³ Parpoil, V.⁴ Espinosa, H.D.⁵

4
- 34548149277
- R. Calarco R. J. Meijers R. K. Debnath T. Stoica E. Sutter H. Luth Nano Lett. 2007 7 2248
- (2007) Nano Lett. , vol.7 , pp. 2248
- Calarco, R.¹ Meijers, R.J.² Debnath, R.K.³ Stoica, T.⁴ Sutter, E.⁵ Luth, H.⁶

5
- 2942680661
- C. M. Leiber Nano Lett. 2002 2 81
- (2002) Nano Lett. , vol.2 , pp. 81
- Leiber, C.M.¹

6
- 81855187176
- J. Johansson K. A. Dick CrystEngComm 2011 13 7175
- (2011) CrystEngComm , vol.13 , pp. 7175
- Johansson, J.¹ Dick, K.A.²

7
- 84865152466
- H. M. Huang C. Y. Chang Y. S. Hsu T. C. Lu Y. P. Lan W. C. Lai Appl. Phys. Lett. 2012 101 061905
- (2012) Appl. Phys. Lett. , vol.101 , pp. 061905
- Huang, H.M.¹ Chang, C.Y.² Hsu, Y.S.³ Lu, T.C.⁴ Lan, Y.P.⁵ Lai, W.C.⁶

8
- 78149257192
- F. M. Ross Rep. Prog. Phys. 2010 73 114501
- (2010) Rep. Prog. Phys. , vol.73 , pp. 114501
- Ross, F.M.¹

9
- 79851488393
- S. D. Carnevale J. Yang P. J. Phillips M. J. Mills R. C. Myers Nano Lett. 2011 11 866
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 866
- Carnevale, S.D.¹ Yang, J.² Phillips, P.J.³ Mills, M.J.⁴ Myers, R.C.⁵

10
- 80755159128
- R. Koester J. S. Hwang D. Salomon X. Chen C. Bougerol J. P. Barnes D. L. S. Dang L. Rigutti A. D. L. Bugallo G. Jacopin M. Tchernycheva C. Durand J. Eymery Nano Lett. 2011 11 4839
- (2011) Nano Lett. , vol.11 , pp. 4839
- Koester, R.¹ Hwang, J.S.² Salomon, D.³ Chen, X.⁴ Bougerol, C.⁵ Barnes, J.P.⁶ Dang, D.L.S.⁷ Rigutti, L.⁸ Bugallo, A.D.L.⁹ Jacopin, G.¹⁰ Tchernycheva, M.¹¹ Durand, C.¹² Eymery, J.¹³

11
- 84862274739
- K. Tateno G. Zhang H. Gotoh T. Sogawa Nano Lett. 2012 12 2888
- (2012) Nano Lett. , vol.12 , pp. 2888
- Tateno, K.¹ Zhang, G.² Gotoh, H.³ Sogawa, T.⁴

12
- 40749151146
- C. Thelander L. E. Froberg C. Rehnstedt L. Samuelson L. E. Wernersson IEEE Electron Device Lett. 2008 29 206
- (2008) IEEE Electron Device Lett. , vol.29 , pp. 206
- Thelander, C.¹ Froberg, L.E.² Rehnstedt, C.³ Samuelson, L.⁴ Wernersson, L.E.⁵

13
- 84868534069
- Y. H. Ra R. Navamathavan J. H. Cha K. Y. Song H. C. Lim J. H. Park D. W. Kim C. R. Lee Jpn. J. Appl. Phys. 2010 49 045004
- (2010) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.49 , pp. 045004
- Ra, Y.H.¹ Navamathavan, R.² Cha, J.H.³ Song, K.Y.⁴ Lim, H.C.⁵ Park, J.H.⁶ Kim, D.W.⁷ Lee, C.R.⁸

14
- 0035902938
- Y. Cui Q. Wei H. Park C. M. Leiber Science 2001 293 1289
- (2001) Science , vol.293 , pp. 1289
- Cui, Y.¹ Wei, Q.² Park, H.³ Leiber, C.M.⁴

15
- 78049406748
- Y. H. Ra R. Navamathavan J. H. Park K. Y. Song Y. M. Lee D. W. Kim B. B. Jun C. R. Lee Jpn. J. Appl. Phys. 2010 49 091003 1
- (2010) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.49 , pp. 091003-091011
- Ra, Y.H.¹ Navamathavan, R.² Park, J.H.³ Song, K.Y.⁴ Lee, Y.M.⁵ Kim, D.W.⁶ Jun, B.B.⁷ Lee, C.R.⁸

16
- 84868523728
- Y. H. Ra R. Navamathavan C. R. Lee CrystEngComm 2012 14 8208
- (2012) CrystEngComm , vol.14 , pp. 8208
- Ra, Y.H.¹ Navamathavan, R.² Lee, C.R.³

17
- 77957267580
- R. Navamathavan Y. H. Ra K. Y. Song D. W. Kim C. R. Lee Curr. Appl. Phys. 2011 11 77
- (2011) Curr. Appl. Phys. , vol.11 , pp. 77
- Navamathavan, R.¹ Ra, Y.H.² Song, K.Y.³ Kim, D.W.⁴ Lee, C.R.⁵

18
- 76649101947
- E. S. Jang Y. H. Ra Y. M. Lee S. H. Yun D. W. Kim R. Navamathavan J. S. Kim I. H. Lee C. R. Lee Jpn. J. Appl. Phys. 2009 48 091001
- (2009) Jpn. J. Appl. Phys. , vol.48 , pp. 091001
- Jang, E.S.¹ Ra, Y.H.² Lee, Y.M.³ Yun, S.H.⁴ Kim, D.W.⁵ Navamathavan, R.⁶ Kim, J.S.⁷ Lee, I.H.⁸ Lee, C.R.⁹

19
- 0000893562
- H. L. Liu C. C. Chen C. T. Chia C. C. Yeh C. H. Chen M. Y. Yu S. Keller S. P. Denbaars Chem. Phys. Lett. 2001 345 245
- (2001) Chem. Phys. Lett. , vol.345 , pp. 245
- Liu, H.L.¹ Chen, C.C.² Chia, C.T.³ Yeh, C.C.⁴ Chen, C.H.⁵ Yu, M.Y.⁶ Keller, S.⁷ Denbaars, S.P.⁸

20
- 28844490106
- D. Wang C. C. Tin J. R. Williams M. Park Y. S. Park C. M. Park T. W. Kang W. C. Yang Appl. Phys. Lett. 2005 87 242105
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 242105
- Wang, D.¹ Tin, C.C.² Williams, J.R.³ Park, M.⁴ Park, Y.S.⁵ Park, C.M.⁶ Kang, T.W.⁷ Yang, W.C.⁸

21
- 33646734722
- K. A. Bertness N. A. Sanford J. M. Barker J. B. Schlager A. Roshko A. V. Davydov I. Levin J. Electron. Mater. 2006 35 576
- (2006) J. Electron. Mater. , vol.35 , pp. 576
- Bertness, K.A.¹ Sanford, N.A.² Barker, J.M.³ Schlager, J.B.⁴ Roshko, A.⁵ Davydov, A.V.⁶ Levin, I.⁷

22
- 19444385784
- J. Q. Hu Y. S. Bando J. H. Zhan F. F. Xu T. Sekiguchi D. Golberg Adv. Mater. 2004 16 1465
- (2004) Adv. Mater. , vol.16 , pp. 1465
- Hu, J.Q.¹ Bando, Y.S.² Zhan, J.H.³ Xu, F.F.⁴ Sekiguchi, T.⁵ Golberg, D.⁶

23
- 33751223885
- S. C. Hung Y. K. Su S. J. Chang Y. H. Chen Microelectron. Eng. 2006 83 2441
- (2006) Microelectron. Eng. , vol.83 , pp. 2441
- Hung, S.C.¹ Su, Y.K.² Chang, S.J.³ Chen, Y.H.⁴

24
- 0142075255
- T. Kuykendall P. Pauzauskie S. W. Lee Y. F. Zhang J. S. Goldberger P. D. Yang Nano Lett. 2003 3 1063
- (2003) Nano Lett. , vol.3 , pp. 1063
- Kuykendall, T.¹ Pauzauskie, P.² Lee, S.W.³ Zhang, Y.F.⁴ Goldberger, J.S.⁵ Yang, P.D.⁶

25
- 24144466888
- B. D. Liu Y. S. Bando C. C. Tang F. F. Xu D. Golberg Appl. Phys. Lett. 2005 87 073106
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 073106
- Liu, B.D.¹ Bando, Y.S.² Tang, C.C.³ Xu, F.F.⁴ Golberg, D.⁵

26
- 34548184429
- D. K. T. Ng M. H. Hong L. S. Tan Y. W. Zhu C. H. Sow Nanotechnology 2007 18 375707
- (2007) Nanotechnology , vol.18 , pp. 375707
- Ng, D.K.T.¹ Hong, M.H.² Tan, L.S.³ Zhu, Y.W.⁴ Sow, C.H.⁵

27
- 0037291778
- Y. T. Moon D. J. Kim J. S. Park J. T. Oh Y. S. Kim N. M. Park B. H. Kim S. J. Park J. Cryst. Growth 2003 248 494
- (2003) J. Cryst. Growth , vol.248 , pp. 494
- Moon, Y.T.¹ Kim, D.J.² Park, J.S.³ Oh, J.T.⁴ Kim, Y.S.⁵ Park, N.M.⁶ Kim, B.H.⁷ Park, S.J.⁸

28
- 0000556986
- Y. S. Lin K. J. Ma C. Hsu S. W. Feng Y. C. Cheng C. C. Liao C. C. Yang C. C. Chou C. M. Lee J. I. Chyi Appl. Phys. Lett. 2000 77 2988
- (2000) Appl. Phys. Lett. , vol.77 , pp. 2988
- Lin, Y.S.¹ Ma, K.J.² Hsu, C.³ Feng, S.W.⁴ Cheng, Y.C.⁵ Liao, C.C.⁶ Yang, C.C.⁷ Chou, C.C.⁸ Lee, C.M.⁹ Chyi, J.I.¹⁰

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.