Defect-Free <110> zinc-blende structured InAs nanowires catalyzed by palladium

Nano Letters

Volumn 12, Issue 11, 2012, Pages 5744-5749

  Xu, Hongyi ^a   Wang, Yong ^a   Guo, Yanan ^a   Liao, Zhiming ^a   Gao, Qiang ^b   Tan, H Hoe ^b   Jagadish, Chennupati ^b   Zou, Jin ^a  

^a UNIVERSITY OF QUEENSLAND   (Australia)

^b AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

Author keywords

defect free; Epitaxial growth; InAs nanowires; MOCVD; Pd catalysts

Indexed keywords

CHEMICAL CHARACTERIZATION; DEFECT-FREE; GAAS; INAS; NANOWIRE GROWTH; PALLADIUM CATALYST; PD CATALYST; SIDE WALLS; ZINC-BLENDE;

DEFECTS; ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXIAL GROWTH; INDIUM ARSENIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PALLADIUM; ZINC;

NANOWIRES;

INDIUM; INDIUM ARSENIDE; METAL; NANOWIRE; ORGANOARSENIC DERIVATIVE; PALLADIUM; ZINC;

ARTICLE; CATALYSIS; CHEMISTRY; MATERIALS TESTING; METHODOLOGY; PARTICLE SIZE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR; SURFACE PROPERTY; TEMPERATURE;

ARSENICALS; CATALYSIS; INDIUM; MATERIALS TESTING; METALS; MICROSCOPY, ELECTRON, SCANNING; NANOWIRES; PALLADIUM; PARTICLE SIZE; SEMICONDUCTORS; SURFACE PROPERTIES; TEMPERATURE; ZINC;

EID: 84869183849     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl303028u     Document Type: Article

References (38)

1. Kang, J. H.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Choi, D. Y.; Guo, Y.; Xu, H.; Zou, J.; Fickenscher, M. A.; Smith, L. M.; Jackson, H. E.; Yarrison-Rice, J. M. Nanotechnology 2010, 21
2. Thelander, C.; Caroff, P.; Plissard, S.; Dey, A. W.; Dick, K. A. Nano Lett. 2011, 11, 2424-2429
3. Schroer, M. D.; Petta, J. R. Nano Lett. 2010, 10, 1618-1622
4. Tchernycheva, M.; Harmand, J. C.; Patriarche, G.; Travers, L.; Cirlin, G. E. Nanotechnology 2006, 17, 4025-4030
5. Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Kim, Y.; Zhang, X.; Guo, Y. N.; Zou, J. Nano Lett. 2007, 7, 921-926
6. Xu, H.; Wang, Y.; Guo, Y.; Liao, Z.; Gao, Q.; Jiang, N.; Tan, H. H.; Jagadish, C.; Zou, J. Cryst. Growth Des. 2012, 12, 2018-2022
7. Nguyen, P.; Ng, H. T.; Meyyappan, M. Adv. Mater. 2005, 17, 1773-1777
8. Heun, S.; Radha, B.; Ercolani, D.; Kulkarni, G. U.; Rossi, F.; Grillo, V.; Salviati, G.; Beltram, F.; Sorba, L. Cryst. Growth Des. 2010, 10, 4197-4202
9. Heun, S.; Radha, B.; Ercolani, D.; Kulkarni, G. U.; Rossi, F.; Grillo, V.; Salviati, G.; Beltram, F.; Sorba, L. Small 2010, 6, 1935-1941
10. Chou, Y.-C.; Wen, C.-Y.; Reuter, M. C.; Su, D.; Stach, E. A.; Ross, F. M. ACS Nano 2012, 6, 6407-6415
11. Cui, Y.; Wei, Q. Q.; Park, H. K.; Lieber, C. M. Science 2001, 293, 1289-1292
12. Offermans, P.; Crego-Calama, M.; Brongersma, S. H. Nano Lett. 2010, 10, 2412-2415
13. Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H. Q.; Wu, Y. Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. D. Science 2001, 292, 1897-1899
14. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K. H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294, 1313-1317
15. Joyce, H. J.; Wong-Leung, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nano Lett. 2010, 10, 908-915
16. Caroff, P.; Dick, K. A.; Johansson, J.; Messing, M. E.; Deppert, K.; Samuelson, L. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 50-55
17. Lin, P. A.; Liang, D.; Reeves, S.; Gao, X. P. A.; Sankaran, R. M. Nano Lett. 2012, 12, 315-320
18. Wagner, R. S.; Ellis, W. C. Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89-90
19. Okamoto, H. J. Phase Equilib. 2003, 24, 481-481
20. Zhang, X.; Zou, J.; Paladugu, M.; Guo, Y. A.; Wang, Y.; Kim, Y.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Small 2009, 5, 366-369
21. Schmidt, V.; Senz, S.; Gosele, U. Nano Lett. 2005, 5, 931-935
22. Song, M. S.; Jung, J. H.; Kim, Y.; Wang, Y.; Zou, J.; Joyce, H. J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nanotechnology 2008, 19
23. Wu, Z. H.; Mei, X.; Kim, D.; Blumin, M.; Ruda, H. E.; Liu, J. Q.; Kavanagh, K. L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3368-3370
24. Vila, A.; Cornet, A.; Morante, J. R. Mater. Lett. 1997, 31, 339-344
25. Chadi, D. J. Phys. Rev. B 1984, 29, 785-792
26. Jin, L.; Wang, J. B.; Cao, G. Y.; Xu, Z. L.; Jia, S. F.; Choy, W. C. H.; Leung, Y. P.; Yuk, T. I. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 4903-4907
27. Narayanan, V.; Mahajan, S.; Sukidi, N.; Bachmann, K. J.; Woods, V.; Dietz, N. Philos. Mag. A 2000, 80, 555-572
28. Zou, J.; Paladugu, M.; Wang, H.; Auchterlonie, G. J.; Guo, Y. N.; Kim, Y.; Gao, Q.; Joyce, H. J.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Small 2007, 3, 389-393
29. Chen, Y. W.; Wang, W. G.; Zhou, S. H. Mater. Lett. 2011, 65, 2649-2651
30. Oyelaran, O.; Novet, T.; Johnson, C. D.; Johnson, D. C. J. Am. Chem. Soc. 1996, 118, 2422-2426
31. Sra, A. K.; Schaak, R. E. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 6667-6672
32. Knight, J. R.; Rhys, D. W. J. Less-Common Met. 1959, 1, 292-303
33. Persson, A. I.; Larsson, M. W.; Stenstrom, S.; Ohlsson, B. J.; Samuelson, L.; Wallenberg, L. R. Nat. Mater. 2004, 3, 677-681
34. Dick, K. A.; Caroff, P.; Bolinsson, J.; Messing, M. E.; Johansson, J.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25, 024009
35. Mandl, B.; Stangl, J.; Hilner, E.; Zakharov, A. A.; Hillerich, K.; Dey, A. W.; Samuelson, L.; Bauer, G.; Deppert, K.; Mikkelsen, A. Nano Lett. 2010, 10, 4443-4449
36. Wang, N.; Cai, Y.; Zhang, R. Q. Mater. Sci. Eng., R 2008, 60, 1-51
37. Bjork, M. T.; Ohlsson, B. J.; Sass, T.; Persson, A. I.; Thelander, C.; Magnusson, M. H.; Deppert, K.; Wallenberg, L. R.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 1058-1060
38. Krishnamachari, U.; Borgstrom, M.; Ohlsson, B. J.; Panev, N.; Samuelson, L.; Seifert, W.; Larsson, M. W.; Wallenberg, L. R. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2077-2079