SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Volumn 22, Issue 43, 2012, Pages 22942-22948

GaN light-emitting diodes on glass substrates with enhanced electroluminescence

(15) Choi, Jun Hee a Ahn, Ho Young a Lee, Yun Sung a Park, Kyungwoo a Kim, Tae Ho a Cho, Kyung Sang a Baik, Chan Wook a Kim, Sun Il a Yoo, Hyobin b Lee, Eun Hong a Choi, Byoung Lyong a Kim, Sung Dae b Kim, Young Woon b Kim, Miyoung b Hwang, Sungwoo a

a SAMSUNG Electronics (South Korea)

b Seoul National University (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINITIES; CRYSTALLOGRAPHIC ORIENTATIONS; DEVICE FABRICATIONS; ENHANCED ELECTROLUMINESCENCES; EPITAXIAL RELATIONSHIPS; GAN CRYSTALLINITY; GAN CRYSTALS; GAN LEDS; GAN LIGHT-EMITTING DIODES; GAN PYRAMIDS; GLASS SUBSTRATES; LUMINANCE VALUE; PEAK WAVELENGTH; PYRAMID ARRAYS; SINGLE-CRYSTALLINE; SPATIALLY RESOLVED;

CRYSTALLINE MATERIALS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; MORPHOLOGY; SUBSTRATES;

ELECTROLUMINESCENCE;

EID: 84867537670 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c2jm34405j Document Type: Article

Times cited : (24)

References (30)

1
- 77953510225
- Y. J. Kim J. M. Jeon J. H. Choi S. S. Park S. I. Kim C. W. Baik M. Kim J. M. Kim G. C. Yi Nanotechnology 2010 21 265603
- (2010) Nanotechnology , vol.21 , pp. 265603
- Kim, Y.J.¹ Jeon, J.M.² Choi, J.H.³ Park, S.S.⁴ Kim, S.I.⁵ Baik, C.W.⁶ Kim, M.⁷ Kim, J.M.⁸ Yi, G.C.⁹

2
- 79953267232
- Y. J. Hong Y. J. Kim J. M. Jeon M. Kim J. H. Choi C. W. Baik S. I. Kim S. S. Park J. M. Kim G. C. Yi Nanotechnology 2011 22 205602
- (2011) Nanotechnology , vol.22 , pp. 205602
- Hong, Y.J.¹ Kim, Y.J.² Jeon, J.M.³ Kim, M.⁴ Choi, J.H.⁵ Baik, C.W.⁶ Kim, S.I.⁷ Park, S.S.⁸ Kim, J.M.⁹ Yi, G.C.¹⁰

3
- 82455209095
- J. H. Choi A. Zoulkarneev S. I. Kim C. W. Baik M. H. Yang S. S. Park H. Suh U. J. Kim H. B. Son J. S. Lee M. Kim J. M. Kim K. Kim Nat. Photonics 2011 5 763
- (2011) Nat. Photonics , vol.5 , pp. 763
- Choi, J.H.¹ Zoulkarneev, A.² Kim, S.I.³ Baik, C.W.⁴ Yang, M.H.⁵ Park, S.S.⁶ Suh, H.⁷ Kim, U.J.⁸ Son, H.B.⁹ Lee, J.S.¹⁰ Kim, M.¹¹ Kim, J.M.¹² Kim, K.¹³

4
- 77956298413
- I. H. Wildeson R. Colby D. A. Ewoldt Z. Liang D. N. Zakharov N. J. Zaluzec R. E. García E. A. Stach T. D. Sands J. Appl. Phys. 2010 108 044303
- (2010) J. Appl. Phys. , vol.108 , pp. 044303
- Wildeson, I.H.¹ Colby, R.² Ewoldt, D.A.³ Liang, Z.⁴ Zakharov, D.N.⁵ Zaluzec, N.J.⁶ García, R.E.⁷ Stach, E.A.⁸ Sands, T.D.⁹

5
- 77956014986
- H. W. Lin Y. J. Lu H. Y. Chen H. M. Lee S. Gwo Appl. Phys. Lett. 2010 97 073101
- (2010) Appl. Phys. Lett. , vol.97 , pp. 073101
- Lin, H.W.¹ Lu, Y.J.² Chen, H.Y.³ Lee, H.M.⁴ Gwo, S.⁵

6
- 57049106883
- M. Funato T. Kondou K. Hayashi S. Nishiura M. Ueda Y. Kawakami Y. Narukawa T. Mukai Appl. Phys. Express 2008 1 011106
- (2008) Appl. Phys. Express , vol.1 , pp. 011106
- Funato, M.¹ Kondou, T.² Hayashi, K.³ Nishiura, S.⁴ Ueda, M.⁵ Kawakami, Y.⁶ Narukawa, Y.⁷ Mukai, T.⁸

7
- 36749077675
- T. Kuykendall P. Ulrich S. Aloni P. Yang Nat. Mater. 2007 6 951
- (2007) Nat. Mater. , vol.6 , pp. 951
- Kuykendall, T.¹ Ulrich, P.² Aloni, S.³ Yang, P.⁴

8
- 33745615181
- M. Funato T. Kotani T. Kondou Y. Kawakami Y. Narukawa T. Mukai Appl. Phys. Lett. 2006 88 261920
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 261920
- Funato, M.¹ Kotani, T.² Kondou, T.³ Kawakami, Y.⁴ Narukawa, Y.⁵ Mukai, T.⁶

9
- 77949691072
- C. Liu P. A. Shields Q. Chen D. W. E. Allsopp W. N. Wang C. R. Bowen T.-L. Phan D. Cherns Phys. Status Solidi C 2010 7 32
- (2010) Phys. Status Solidi C , vol.7 , pp. 32
- Liu, C.¹ Shields, P.A.² Chen, Q.³ Allsopp, D.W.E.⁴ Wang, W.N.⁵ Bowen, C.R.⁶ Phan, T.-L.⁷ Cherns, D.⁸

10
- 0001350656
- S. Tanaka Y. Kawaguchi N. Sawaki M. Hibino K. Hiramatsu Appl. Phys. Lett. 2000 76 2701
- (2000) Appl. Phys. Lett. , vol.76 , pp. 2701
- Tanaka, S.¹ Kawaguchi, Y.² Sawaki, N.³ Hibino, M.⁴ Hiramatsu, K.⁵

11
- 0000705035
- D. P. Bour N. M. Nickel C. G. Van de Walle M. S. Kneissl B. S. Krusor P. Mei N. M. Johnson Appl. Phys. Lett. 2000 76 2182
- (2000) Appl. Phys. Lett. , vol.76 , pp. 2182
- Bour, D.P.¹ Nickel, N.M.² Van De Walle, C.G.³ Kneissl, M.S.⁴ Krusor, B.S.⁵ Mei, P.⁶ Johnson, N.M.⁷

12
- 76749159396
- K. L. Kavanagh Semicond. Sci. Technol. 2010 25 024006
- (2010) Semicond. Sci. Technol. , vol.25 , pp. 024006
- Kavanagh, K.L.¹

13
- 33748417557
- F. Glas Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. 2006 74 121302(R)
- (2006) Phys. Rev. B: Condens. Matter Mater. Phys. , vol.74
- Glas, F.¹

14
- 20544450530
- E. Ertekin P. A. Greaney D. C. Chrzan T. D. Sands J. Appl. Phys. 2005 97 114325
- (2005) J. Appl. Phys. , vol.97 , pp. 114325
- Ertekin, E.¹ Greaney, P.A.² Chrzan, D.C.³ Sands, T.D.⁴

15
- 0000225704
- J. S. Speck M. A. Brewer G. Beltz A. E. Romanov W. Pompe J. Appl. Phys. 1996 80 3808
- (1996) J. Appl. Phys. , vol.80 , pp. 3808
- Speck, J.S.¹ Brewer, M.A.² Beltz, G.³ Romanov, A.E.⁴ Pompe, W.⁵

16
- 0033722151
- S. K. Mathis A. E. Romanov L. F. Chen G. E. Beltz W. Pompe J. S. Speck Phys. Status Solidi A 2000 179 125
- (2000) Phys. Status Solidi A , vol.179 , pp. 125
- Mathis, S.K.¹ Romanov, A.E.² Chen, L.F.³ Beltz, G.E.⁴ Pompe, W.⁵ Speck, J.S.⁶

17
- 85010812746
- J. Neugebauer C. G. Van de Walle Appl. Phys. Lett. 1996 69 503
- (1996) Appl. Phys. Lett. , vol.69 , pp. 503
- Neugebauer, J.¹ Van De Walle, C.G.²

18
- 0000058033
- J. Elsner R. Jones M. I. Heggie P. K. Sitch M. Haugk Th. Frauenheim S. Öberg P. R. Briddon Phys. Rev. B: Condens. Matter 1998 58 12571
- (1998) Phys. Rev. B: Condens. Matter , vol.58 , pp. 12571
- Elsner, J.¹ Jones, R.² Heggie, M.I.³ Sitch, P.K.⁴ Haugk, M.⁵ Frauenheim, Th.⁶ Öberg, S.⁷ Briddon, P.R.⁸

19
- 35949008079
- E. R. Glaser T. A. Kennedy K. Doverspike L. B. Rowland D. K. Gaskill J. A. Freitas, Jr M. Asif Khan D. T. Olson J. N. Kuznia D. K. Wickenden Phys. Rev. B: Condens. Matter 1995 51 13326
- (1995) Phys. Rev. B: Condens. Matter , vol.51 , pp. 13326
- Glaser, E.R.¹ Kennedy, T.A.² Doverspike, K.³ Rowland, L.B.⁴ Gaskill, D.K.⁵ Freitas Jr., J.A.⁶ Asif Khan, M.⁷ Olson, D.T.⁸ Kuznia, J.N.⁹ Wickenden, D.K.¹⁰

20
- 28144437037
- F. Qian S. Gradečak Y. Li C. Y. Wen C. M. Lieber Nano Lett. 2005 5 2287
- (2005) Nano Lett. , vol.5 , pp. 2287
- Qian, F.¹ Gradečak, S.² Li, Y.³ Wen, C.Y.⁴ Lieber, C.M.⁵

21
- 84055176840
- S. Y. Bae D. H. Kim D. S. Lee S. J. Lee J. H. Baek Electrochem. Solid-State Lett. 2012 15 H47
- (2012) Electrochem. Solid-State Lett. , vol.15 , pp. 47
- Bae, S.Y.¹ Kim, D.H.² Lee, D.S.³ Lee, S.J.⁴ Baek, J.H.⁵

22
- 79951752948
- T. Wunderer M. Feneberg F. Lipski J. Wang R. A. R. Leute S. Schwaiger K. Thonke A. Chuvilin U. Kaiser S. Metzner F. Bertram J. Christen G. J. Beirne M. Jetter P. Michler L. Schade C. Vierheilig U. T. Schwarz A. D. Dräger A. Hangleiter F. Scholz Phys. Status Solidi B 2011 248 549
- (2011) Phys. Status Solidi B , vol.248 , pp. 549
- Wunderer, T.¹ Feneberg, M.² Lipski, F.³ Wang, J.⁴ Leute, R.A.R.⁵ Schwaiger, S.⁶ Thonke, K.⁷ Chuvilin, A.⁸ Kaiser, U.⁹ Metzner, S.¹⁰ Bertram, F.¹¹ Christen, J.¹² Beirne, G.J.¹³ Jetter, M.¹⁴ Michler, P.¹⁵ Schade, L.¹⁶ Vierheilig, C.¹⁷ Schwarz, U.T.¹⁸ Dräger, A.D.¹⁹ Hangleiter, A.²⁰ Scholz, F.²¹ more..

23
- 0038443006
- H. M. Kim T. W. Kang K. S. Chung Adv. Mater. 2003 15 567
- (2003) Adv. Mater. , vol.15 , pp. 567
- Kim, H.M.¹ Kang, T.W.² Chung, K.S.³

24
- 65949113611
- H. W. Seo L. W. Tu Y. T. Lin C. Y. Ho Q. Y. Chen L. Yuan D. P. Norman N. J. Ho Appl. Phys. Lett. 2009 94 201907
- (2009) Appl. Phys. Lett. , vol.94 , pp. 201907
- Seo, H.W.¹ Tu, L.W.² Lin, Y.T.³ Ho, C.Y.⁴ Chen, Q.Y.⁵ Yuan, L.⁶ Norman, D.P.⁷ Ho, N.J.⁸

25
- 33746621744
- T. Wunderer P. Brückner B. Neubert F. Scholz M. Feneberg F. Lipski M. Schirra K. Thonke Appl. Phys. Lett. 2006 89 041121
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.89 , pp. 041121
- Wunderer, T.¹ Brückner, P.² Neubert, B.³ Scholz, F.⁴ Feneberg, M.⁵ Lipski, F.⁶ Schirra, M.⁷ Thonke, K.⁸

26
- 51749101915
- B. Damilano A. Dussaigne J. Brault T. Huault F. Natali P. Demolon P. De Mierry S. Chenot J. Massies Appl. Phys. Lett. 2008 93 101117
- (2008) Appl. Phys. Lett. , vol.93 , pp. 101117
- Damilano, B.¹ Dussaigne, A.² Brault, J.³ Huault, T.⁴ Natali, F.⁵ Demolon, P.⁶ De Mierry, P.⁷ Chenot, S.⁸ Massies, J.⁹

27
- 42949138022
- P. Roussel Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. 2007 6797 679703
- (2007) Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. , vol.6797 , pp. 679703
- Roussel, P.¹

28
- 67650438362
- D. Y. Kim J. H. Choi A. R. Zoulkarneev M. H. Yang I. T. Han H. J. Kim S. I. Kim C. W. Baik J. H. Park J. B. Yoo J. M. Kim IEEE Electron Device Lett. 2009 30 709
- (2009) IEEE Electron Device Lett. , vol.30 , pp. 709
- Kim, D.Y.¹ Choi, J.H.² Zoulkarneev, A.R.³ Yang, M.H.⁴ Han, I.T.⁵ Kim, H.J.⁶ Kim, S.I.⁷ Baik, C.W.⁸ Park, J.H.⁹ Yoo, J.B.¹⁰ Kim, J.M.¹¹

29
- 79953774717
- J. H. Choi A. Zoulkarneev T. Y. Noh Y. G. Lee S. I. Kim S. S. Park C. W. Baik B. L. Choi M. Kim G. C. Yi J. M. Kim J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct.-Process., Meas., Phenom. 2011 29 021016
- (2011) J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct.-Process., Meas., Phenom. , vol.29 , pp. 021016
- Choi, J.H.¹ Zoulkarneev, A.² Noh, T.Y.³ Lee, Y.G.⁴ Kim, S.I.⁵ Park, S.S.⁶ Baik, C.W.⁷ Choi, B.L.⁸ Kim, M.⁹ Yi, G.C.¹⁰ Kim, J.M.¹¹

30
- 84860472659
- J. H. Choi H. Y. Ahn Y. S. Lee Y. T. Ryu K. S. Cho S. I Kim C. W. Baik T. H. Kim E. H. Lee H. Yoo K. Kim M. Kim J. M. Koim Cryst. Growth Des. 2012 12 2472
- (2012) Cryst. Growth Des. , vol.12 , pp. 2472
- Choi, J.H.¹ Ahn, H.Y.² Lee, Y.S.³ Ryu, Y.T.⁴ Cho, K.S.⁵ Kim, S.I.⁶ Baik, C.W.⁷ Kim, T.H.⁸ Lee, E.H.⁹ Yoo, H.¹⁰ Kim, K.¹¹ Kim, M.¹² Koim, J.M.¹³

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.