Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 19, 2000, Pages 2701-2703

  Tanaka, Shigeyasu ^a   Kawaguchi, Yasutoshi ^a   Sawaki, Nobuhiko ^a   Hibino, Michio ^a   Hiramatsu, Kazumasa ^b  

^a NAGOYA UNIVERSITY   (Japan)

^b MIE UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001350656     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126448     Document Type: Article

References (17)

1. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
2. M. Hao, S. Mahanty, T. Sugahara, Y. Morishima, H. Takenaka, J. Wang, S. Tottori, K. Nishino, Y. Naoi, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 85, 6497 (1999).
3. T. S. Zheleva, O. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
4. Z. Mao, S. McKernan, C. B. Carter, W. Yang, and S. A. McPherson, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.13 (1999).
5. H. Marchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 2 (1999).
6. N. P. Kobayashi, J. T. Kobayashi, X. Zhang, P. D. Dapkus, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 74, 2836 (1999).
7. Y. Kawaguchi, Y. Honda, H. Matsushima, M. Yamaguchi, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L966 (1998).
8. T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 115, 634 (1991).
9. K. Hiramatsu, S. Itoh, H. Amano, I. Akasaki, N. Kuwano, T. Shiraishi, and K. Oki, J. Cryst. Growth 115, 628 (1991).
10. F. R. Chien, X. J. Ning, S. Stemmer, P. Pirouz, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 68, 2678 (1996).
11. X. H. Wu, L. M. Brown, D. Kapolnek, S. Keller, B. Keller, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 80, 3228 (1996).
12. F. A. Ponce, D. Cherns, W. T. Young, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 770 (1996).
13. W. Qian, M. Skowronski, M. D. Graef, K. Doverspike, L. B. Rowland, and D. K. Gaskill, Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995).
14. P. Vennegues, B. Beaumont, M. Vaille, and P. Gibart, J. Cryst. Growth 173, 249 (1997).
15. V. Potin, P. Vermaut, P. Ruterana, and G. Nouet, J. Electron. Mater. 27, 266 (1998).
16. K. Hirono, A. Kuramata, and T. Tanahashi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 73 (1997).
17. Z. Liliental-Weber, H. Sohn, N. Newman, and J. Washburn, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1578 (1995).