Effect of organic buffer layer in the electrical properties of amorphous-indium gallium zinc oxide thin film transistor

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 7, 2012, Pages 5644-5647

  Wang, Jian Xun ^a   Hyung, Gun Woo ^b   Li, Zhao Hui ^a   Son, Sung Yong ^a   Kwon, Sang Jik ^a   Kim, Young Kwan ^b   Cho, Eou Sik ^a  

^a Gachon University   (South Korea)

^b Hong Ik University   (South Korea)

Author keywords

Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide; Gate Dielectric; Organic Buffer Layer; Thin Film Transistors

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; OFF-STATE CURRENT; ON/OFF CURRENT RATIO; SUBTHRESHOLD SLOPE; ZINC OXIDE THIN FILMS;

AMORPHOUS SEMICONDUCTORS; BUFFER LAYERS; GATE DIELECTRICS; THIN FILM TRANSISTORS;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 84865137035     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.6323     Document Type: Article

References (17)

1. Y. Kikuchi, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, Masahiro, and H. Hosono, Thin Solid Films 518, 3017 (2010).
2. H. Godo, D. Kawae, S. Yoshitomi, T. Sasaki, S. Ito, H. Ohara, H. Kishida, M. Takahashi, A. Miyanaga, and S. Yamazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 03cb04 (2010).
3. Y. J. Cho, H. Kim, K. Y. Park, J. Lee, S. M. Bobade, F. C. Wu, and D. K. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 787 (2011).
4. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirao, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
5. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
6. S.Y Park, S. H. Bang, S. J. Lee, J. H. Park, Y. B. Ko, and H. T. Jeon, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 6029 (2011).
7. J. F. Wager, D. A. Keszler, and R. E. Presley, Transparent Electronics, Springer, New York (2008).
8. M. A. Quevedo-Lopez, W. T. Wondmagegn, H. N. Alshareef, R. Ramirez-Bon, and B. E. Gnade, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 5532 (2011).
9. W. K. Hong, S. Song, D. K. Hwang, S. S. Kwon, G. Jo, S. J. Park, and T. Lee, Appl. Surf. Sci. 254, 7559 (2008).
10. J. Wang, E. Polizzi, A. Ghosh, S. Datta, and M. Lundstrom, Appl. Phys. Lett. 87, 043101 (2005).
11. A. Svizhenko, P. W. Leu, and K. Cho, Phys. Rev. B 75, 125417 (2007).
12. J. Wang, X. Yan, Y. Xu, J. Zhang, and D. Yan, Appl. Phys. Lett. 85, 5424 (2004).
13. S. Yang, C. S. Hwang, J. I. Lee, S. M. Yoon, M. K. Ryu, K. I. Cho, S. H. K. Park, S. H. Kim, C. E. Park, and J. Jang, Appl. Phys. Lett. 98, 103515 (2011).
14. Y. H. Zhao, G. F. Dong, L. D. Wang, and Y. Qiu, Chin. Phys. Lett. 24, 1664 (2007).
15. J. H. Noh, C. S. Kim, S. Y. Ryu, and S. J. Jo, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 4096 (2007).
16. N. Lifshitz and S. Luryi, Appl. Phys. Lett. 64, 2114 (1994).
17. J. W. Choi, J. H. Cheon, J. H. Oh, J. Jang, S. C. Kim, J. S. Ahn, C. A. K. Williams, and J. G. Couillard, Electrochem. Solid-State Lett. 13, J85 (2010).