Low-voltage-driven bottom-gate amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors with high dielectric constant oxide/polymer double-layer dielectric

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 7 A, 2007, Pages 4096-4098

  Noh, Joo Hyon ^a   Kim, Chang Su ^a   Ryu, Seung Yoon ^a   Jo, Sung Jin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

A IGZO; Amorphous transparent TFT; Inorganic organic gate dielectric

Indexed keywords

GATE DIELECTRICS; HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS; INDIUM COMPOUNDS; THIN FILM TRANSISTORS;

AMORPHOUS TRANSPARENT TFT; INORGANIC-ORGANIC GATE DIELECTRIC;

AMORPHOUS MATERIALS;

EID: 34547838348     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.4096     Document Type: Article

References (18)

1. J. I. Song, J. S. Park, H. W. Kim. Y. W. Heo, J. H. Lee, and J. J. Kim: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 022106.
2. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
3. T. Iwasaki, N. Itagaki, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 928 (2006) GG10-04.
4. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wage, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler: J. Appl. Phys. 97 (2005) 064505.
5. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. C. Paine: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 062103.
6. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, and D. A. Keszler: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 013503.
7. W. B. Jackson, R. L. Hoffman, and G. S. Herman: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 193503.
8. D. Hong and J. F. Wager: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) L25.
9. W. B. Jackson, G. S. Herman, R. L. Hoffman, C. Taussig, S. Braymen, F. Jeffery, and J. Hauschildt: J. Non-Cryst. Solids 352 (2006) 1753.
10. R. E. Presley, D. Hong, H. Q. Chiang, C. M. Hung, R. L. Hoffman, and J. F. Wager: Solid-State Electron. 50 (2006) 500.
11. K. T. Kang, M. W. Lim, H. G. Kim, I. D. Kim, and J. M. Hong: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 043502.
12. K. M. Lee, J. H. Kim, S. Im, C. S. Kim, and H. K. Baik: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 133507.
13. C. S. Kim: private communication.
14. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
15. C. S. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, W. J. Kim, H. K. Baik, S. J. Lee, D. K. Hwang, and S. Im: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 243515.
16. Y. Jang, D. H. Kim, Y. D. Park, J. H. Cho, M. Hwang, and K. Cho: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 152105.
17. L. Wang, M. H. Yoon, G. Lu, Y. Yang, A. Facchetti, and T. J. Marks: Nat. Mater. 5 (2006) 893.
18. C. S. Kim, S. J. Jo, S. W. Lee, W. J. Kim, H. K. Baik, and S. J. Lee: to be published in Adv. Funct. Mater.