Effect of the annealing ambient on the electrical characteristics of the amorphous InGaZnO thin film transistors

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 7, 2012, Pages 5625-5630

  Huang, Yu Chih ^a   Yang, Po Yu ^a   Huang, Hau Yuan ^b   Wang, Shui Jinn ^b   Cheng, Huang Chung ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Annealing; Gate Bias Voltage Stress; Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO); Thin Film Transistor (TFT)

Indexed keywords

AMBIENT GAS; AMORPHOUS INGAZNO; CHEMICAL BONDING STATE; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; GATE BIAS VOLTAGE; INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES; NITROGEN AMBIENT; ON/OFF CURRENT RATIO; OXYGEN AMBIENT; SUBTHRESHOLD SLOPE; THERMAL-ANNEALING; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); TRANSFER CHARACTERISTICS;

AMORPHOUS SEMICONDUCTORS; ANNEALING; CHEMICAL BONDS; PHOTOELECTRONS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84865114715     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.6307     Document Type: Article

References (32)

1. P. G. LeComber, W. E. Spear, and A. Ghaith, Electron. Lett. 15, 179 (1979).
2. T. L. Credelle, Int. Display Res. Conf. 208 (1988).
3. W. E. Howard, J. SID 3, 127 (1995).
4. A. Nathan, S. Member, G. R. Chaji, and S. J. Ashtiani, Journal of Display Technology 1, 2 (2005).
5. C. W. Kim, Y. B. Park, D. G. Kim, H. S. Kong, and S. S. Kim, Proc. 1st Int. Display Manufacturing Conf. (2000).
6. J. J. Lih, C. F. Sung, C. H. Li, T. H. Hsiao, H. H. Lee, SID 03 Digest 18, 1504 (2003).
7. C. R. Kagan and P. Andry, Thin-Film Transistors 139 (2003).
8. H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, J. S. Park, and H. J. Kim, Thin Solid Films 517, 6349 (2009).
9. K. Nomura, A. Takag, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Jap. J. Appl. Phys. 45, 4303 (2006).
10. W. Lim, S. Kim, Y. L. Wang, J. W. Lee, D. P. Norton, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenkoc, J. Electrochem. Soc. 155, H383 (2008).
11. R. Navamathavan, J. H. Lim, D. K. Hwang, B. H. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, H. S. Kim, S. J. Park, and J. H. Jang, J. Korean Phys. Soc. 48, 271 (2006).
12. H. Hosono, M. Yasukawa, and H. Kawazoe, J. Non-Cryst. Solids 203, 334 (1996).
13. H. Hosono, N. Kikuchi, N. Ueda, and H. Kawazoe, J. Non-Cryst. Solids 200, 165 (1996).
14. H. Hideo, Non-Cryst. Solids 352, 851 (2006).
15. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
16. S. I. Kim, J. S. Park, C. J. Kim, J. C. Park, I. Song, and Y. S. Park, J. Electrochem. Soc. 156, H184 (2009).
17. C. H. Wu, H. H. Hsieh, C. W. Chien, and C. C. Wu, Journal of Display Technology 5, 12 (2009).
18. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
19. M. Kim, J. H. Jeong, H. J. Lee, T. K. Ahn, H. S. Shin, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 212114 (2007).
20. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007).
21. J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, J. Song, and C. S. Hwang, Electrochemical and Solid-State Letters 11, H157 (2008).
22. D. Y. Cho, J. Song, Y. C. Shin, C. S. Hwang, W. S. Choi, and J. K. Jeongc, Electro Chem. Solid ST 12, H208 (2009).
23. S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Chen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen, and W. C. Wub, Solid-State Electronics 54, 1497 (2010).
24. G. H. Kim, H. S. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, and H. J. Kim, Thin Solid Films 517, 4007 (2009).
25. G. H. Kim, W. H.Jeong, and H. J. Kim, Phys. Status Solidi A, 207, 1677 (2010).
26. C. Y. Kagan and P. W. E. Andry, Thin Film Transistors, Dekker, New York (2003), p. 87.
27. J. K. Jeong, J. H. Jeong, H. W. Yang, J. S. Park, Y. G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 113505 (2007).
28. D. Y. Cho1, J. Song, K. D. Na1, C. S. Hwang1, J. H. Jeong, J. K. Jeong, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett. 94, 112112 (2009).
29. J. H. Schon and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 74, 2 (1999).
30. P. C. Yang, P. S. Kuo, and S. C. Lee, IEEE T Electron Dev. 55, 8 (2008).
31. M. C. Chen, T. C. Chang, C. T. Tsai, S. Y. Huang, S. C. Chen, C. W. Hu, S. M. Sze, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 96, 262110 (2010).
32. K. Hoshino, D. Hong, H. Q. Chiang, and J. F. Wager, IEEE T Electron. Dev. 55, 8 (2008).