Removal of surface states and recovery of band-edge emission in InAs nanowires through surface passivation

Nano Letters

Volumn 12, Issue 7, 2012, Pages 3378-3384

  Sun, M H ^a   Joyce, H J ^b   Gao, Q ^b   Tan, H H ^b   Jagadish, C ^b   Ning, C Z ^a  

^a Arizona State University   (United States)

^b AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

Author keywords

InAs nanowire; octadecylthiol; photoluminescence; surface passivation

Indexed keywords

BAND EDGE; BAND-EDGE EMISSIONS; INAS; MICROPHOTOLUMINESCENCE; NEAR-SURFACE; OCTADECYLTHIOL; OPTICAL AND ELECTRONIC PROPERTIES; ORGANIC SULFIDES; RECOMBINATION MECHANISMS; SEMICONDUCTOR NANOWIRE; SURFACE PASSIVATION; SURFACE STATE DENSITY; SURFACE-TO-VOLUME RATIO; WURTZITES; ZINC-BLENDE;

ELECTRONIC PROPERTIES; INDIUM ARSENIDE; LASER RADIATION; NANOWIRES; PASSIVATION; PHOTOLUMINESCENCE; RECOVERY; SURFACE DEFECTS; ZINC SULFIDE;

SURFACE STATES;

EID: 84863856504     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl300015w     Document Type: Article

References (43)

1. Song, S.; Hong, W.; Lee, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 263109
2. Moon, T.; Jeong, M.; Oh, B.; Ham, M.; Jeun, M.; Lee, W.; Myoung, J. Nanotechnology 2006, 17, 2116
3. Shi, L.; Xu, Y.; Hark, S.; Liu, Y.; Wang, S.; Peng, L.; Wong, K.; Li, Q. Nano Lett. 2007, 7, 3559
4. Garnett, E. C.; Yang, P. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 9224
5. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 15466
6. Vugt, L. K.; Veen, S. J.; Bakkers, E. P. A. M.; Roest, A. L.; Vanmaekelbergh, D. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 12357
7. Moreira, M. D.; Venezuela, P.; Schmidt, T. M. Nanotechnology 2008, 19, 065203
8. Van Tilburg, J. W.; Algra, R. E.; Immink, W. G.; Verheijen, M.; Bakkers; Kouwenhoven, L. P. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25, 024011
9. Bessolov, V. N.; Lebedev, M. V. Semiconductors 1998, 32, 1141
10. Sandroff, C. J.; Nottenburg, R. N.; Bischoff, J. C.; Bhat, R. Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 33
11. Hwang, K. C.; Li, S. S.; Park, C.; Anderson, T. J. J. Appl. Phys. 1990, 67, 6571
12. Carpenter, M. S.; Melloch, M. R.; Lundstrom, M. S.; Tobin, S. P. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 2157
13. Tamanuki, T.; Koyama, F.; Iga, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, 499
14. DeChiaro, L. F.; Sandroff, C. J. IEEE Trans. Electron Devices 1992, 39, 561
15. Petrovykh, D. Y.; Long, J. P.; Whitman, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 242105
16. Baum, T.; Ye, S.; Uosaki, K. Langmuir 1999, 15, 8577
17. Hang, Q.; Wang, F.; Carpenter, P. D.; Zemlyanov, D.; Zakharov, D.; Stach, E. A.; Buhro, W. E.; Janes, D. B. Nano Lett. 2008, 8, 49-55
18. Budz, H. A.; Biesinger, M. C.; LaPierrea, R. R. J. Vac. Sci. Technol., B 2009, 27, 632
19. Knoben, W.; Brongersma, S. H.; Crego-Calama, M. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 18331
20. Nakagawa, O. S.; Ashok, S; Sheen, C. W.; Märtensson, J.; Allara, D. L. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, 3759
21. Sun, M. H.; Leong, E. S. P.; Chin, A. H.; Ning, C. Z.; Cirlin, G. E.; Samsonenko, Y. B.; Dubrovskii, V. G.; Chuang, L.; Chang-Hasnain, C. Nanotechnology 2010, 21, 335705
22. Dayeh, S. A. Semicond. Sci. Technol. 2010, 25, 024004
23. Ko, H.; Takei, K.; Kapadia, R.; Chuang, S.; Fang, H.; Leu, P. W.; Ganapathi, K.; Plis, E.; Kim, H. S.; Chen, S.; Madsen, M.; Ford, A. C.; Chueh, Y.; Krishna, S.; Salahuddin, S.; Javey, A. Nature 2010, 468 (7321) 286-289
24. Petrovykh, D. Y.; Smith, J. C.; Clark, T. D.; Stine, R. L.; Baker, A.; Whitman, L. J. Langmuir 2009, 25, 12185
25. Joyce, H. J.; Wong-Leung, J.; Gao, Q.; Tan, H. H.; Jagadish, C. Nano Lett. 2010, 10, 908
26. Lacroix, Y.; Tran, C. A.; Watkins., S. P.; Thewalt, M. L. W. J. Appl. Phys. 1996, 80, 6416
27. Grober, R. D.; Drew, H. D.; Chyi, J. I.; Kalem, S; Morkoc, H. J. Appl. Phys. 1989, 65, 4079
28. Gladkov, P.; Nohavica, D.; Sourek, Z.; Litvinchunk, A. P.; Iliev, M. N. Semicond. Sci. Technol. 2006, 21, 544
29. Shalish, I.; Temkin, H.; Narayanamurti, V. Phys. Rev. B 2004, 69, 245401
30. Alen, R. E.; Humphreys, T. J.; Dow, J. D.; Sankey, O. F. J. Vac. Sci. Technol., B 1984, 2, 449
31. Spicer, W. E.; Chye, P. W.; Skeath, P. R.; Su, C. Y.; Lindau, I. J. Vac. Sci. Technol. 1979, 16, 1422
32. Fang, Z. M.; Ma, K. Y.; Jaw, D. H.; Cohen, R. M.; Stringfellow, G. B. J. Appl. Phys. 1990, 67, 7034
33. Bao, J.; Bell, D. C.; Federico, C.; Erdman, N.; Wei, D.; Froberg, L.; Martensson, T.; Samuelson, L. Adv. Mater. 2009, 21, 3654
34. Spindt, C. J.; Spicer, W. E. App. Phys. Lett. 1989, 55, 1653
35. Ohno, T.; Shiraishi, K. Phys. Rev. B 1990, 42, 11194
36. Ohno, T. Phys. Rev. B 1991, 44, 6306
37. Geelhaar, L.; Bartynski, R. A.; Ren, F.; Schnoes, M.; Buckley, D. N. J. Appl. Phys. 1996, 80, 3076
38. McGuiness, C. L.; Shaporenko, A. C.; Mars, K.; Uppili, S.; Zharnikov, M.; Allara, D. L. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 5231
39. Petrovykh, D. Y.; Sullivan, J. M.; Whitman, L. J. Surf. Interface Anal. 2005, 37, 989
40. Han, I. K.; Kim, E. K.; Lee, J. I.; Kim, S. H.; Kang, K. N.; Kim, Y.; Lim, H.; Park, H. L. J. Appl. Phys. 1997, 81, 6986
41. Lester, S. D.; Kim, T. S.; Streetman, B. G. J. Appl. Phys. 1987, 62, 2950
42. Moison, J. M.; Bensoussan, M. Rev. Phys. Appl. 1987, 22, 293
43. Galicka, M.; Bukała, M.; Buczko, R.; Kacman, P. J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 454226