Characteristics of ZnO films prepared by atomic layer deposition for transparent electronic devices

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 5, 2011, Pages 4312-4316

  Lee, Doo Hyong ^a   Kim, Hee Soo ^a   Noh, Seung Jeong ^a  

^a Dankook University   (South Korea)

Author keywords

Atomic layer deposition; Crystallinity; Electrical property; Surface morphology; ZnO

Indexed keywords

AVERAGE GROWTH RATE; CRYSTALLINITIES; ELECTRICAL PROPERTY; FILM PROPERTIES; GLASS SUBSTRATES; N-TYPE CONDUCTIVITY; NANO-STRUCTURED; PROCESSING WINDOWS; STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; SUBSTRATE TEMPERATURE; THERMAL ALD; TRANSPARENT ELECTRONICS; ZNO; ZNO FILMS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; METALLIC FILMS; OPTOELECTRONIC DEVICES; SUBSTRATES; SURFACE MORPHOLOGY; ZINC OXIDE;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 84863022592     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.3697     Document Type: Conference Paper

References (30)

1. M. S. Oh, K. Lee, K. H. Lee, S. H. Cha, J. M. Choi, B. H. Lee, M. M. Sung, and S. Im, Adv. Funct. Mater. 19, 726(2009).
2. S. J. Lim, S. Kwon, and H. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 183517(2007).
3. H. C. Cheng, C. F. Chen, and C. Y. Tsay, Appl. Phys. Lett. 90, 012113(2007).
4. E. Bellingeri, D. Marre, I. Pallecchi, L. Pellegrino, and A. S. Siri, Appl. Phys. Lett. 86, 012109(2005).
5. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541(2004).
6. S. L. K. Park and Y. E. Lee, J. Mater. Sci. 39, 2195(2004).
7. R. L. Hoffman, B. J. Norris, and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733(2003).
8. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, and G. Nunes, Jr., Appl. Phys. Lett. 82, 1117(2003).
9. S. J. Lim, S. Kwon, and H. Kim, Thin Solid Films 516, 1523(2008).
10. A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys. 58, 132(1999).
11. S. Christoulakis, M. Suchea, M. Katharakis, N. Katsarakis, E. Koudoumas, and G. Kiriakidis, Rev. Adv. Mater. Sci. 10, 331(2005).
12. J. W. Seo, J. W. Park, K. S. Lim, J. H. Yang, and S. J. Kang, Appl. Phys. Lett. 93, 223505(2008).
13. X. Q. Wei, B. Y. Man, M. Liu, C. S. Xue, H. Z. Zhuang, and C. Yang, Physica B 388, 145(2007).
14. X. D. Chen, C. C. Ling, S. Fung, and C. D. Beling, Appl. Phys. Lett. 88, 132104(2006).
15. Z. Y. Xiao, Y. C. Liu, R. Mu, D. X. Zhao, and J. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 92, 052106(2008).
16. X. Li, B. Keyes, S. Asher, S. B. Zhang, S. H. Wei, and T. J. Coutts, Appl. Phys. Lett. 86, 122107(2005).
17. N. H. Nickel and F. Friedrich, Appl. Phys. Lett. 87, 211905(2005).
18. L. Dunlop, A. Kursumovic, and J. L. MacManus-Driscoll, Appl. Phys. Lett. 93, 172111(2008).
19. M. Schuisky and J. W. Elam, Appl. Phys. Lett. 81, 180(2002).
20. M. Scharrer, X. Wu, A. Yamilov, H. Cao, and R. P. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 86, 151113(2005).
21. J. Lim and C. Lee, Thin Solid Films 515, 3335(2007).
22. C. Lee, S. Y. Park, J. Lim, and H. W. Kim, Mater. Lett. 61, 2495(2007).
23. D. S. Lee, J. H. Lee, J. Luo, Y. Fu, W. I. Milne, S. Maeng, M. Y. Jung, S. H. Park, and H. C. Yoon, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 7181(2009).
24. N. K. Singh, N. Tripathi, S. Rath, and S. Annapoorni, J. Nanosci. Nanotechnol. 9, 5608(2009).
25. J. A. Kim, I. K. Kim, T. W. Kim, J. H. Moon, and J. H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 5485(2008).
26. Y. Nakano, T. Morikawa, T. Ohwaki, and Y. Taga, Appl. Phys. Lett. 88, 172103(2006).
27. F. Friedrich and N. H. Nickel, Appl. Phys. Lett. 91, 111903(2007).
28. J. Xu, R. Ott, A. S. Sabau, Z. Pan, F. Xiu, J. Liu, J. M. Erie, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 92, 151112(2008).
29. U. Ozgur, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301(2005).
30. S. J. Noh, S. K. Lee, E. H. Kim, and Y. J. Kong, Curr. Appl. Phys. 6, 171(2006).