Bilayer graphene grown on 4H-SiC (0001) step-free mesas

Nano Letters

Volumn 12, Issue 4, 2012, Pages 1749-1756

  Nyakiti, L O ^a   Myers Ward, R L ^a   Wheeler, V D ^a   Imhoff, E A ^a   Bezares, F J ^a   Chun, H ^a   Caldwell, J D ^a   Friedman, A L ^a   Matis, B R ^a   Baldwin, J W ^a   Campbell, P M ^a   Culbertson, J C ^a   Eddy, C R ^a   Jernigan, G G ^a   Gaskill, D K ^a  

^a NAVAL RESEARCH LABORATORY   (United States)

Author keywords

Bilayer epitaxial grapheme; charge transport; lattice strain; Raman 2D mode; step free SiC mesa

Indexed keywords

BI-LAYER; BOTTOM LAYERS; ELECTRONICS TECHNOLOGY; EPITAXIAL GRAPHENE; LATTICE STRAIN; RAMAN 2D MODE; SHEET CARRIER DENSITIES; STEP BUNCHING; STEP-FREE SIC MESA; SURFACE FEATURE; TRANSPORT MEASUREMENTS;

CHARGE TRANSFER; EPITAXIAL GROWTH; GRAPHENE; SILICON CARBIDE;

SUBSTRATES;

EID: 84859708944     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl203353f     Document Type: Article

References (47)

1. Berger, C.; Song, Z.; Li, T.; Li, X.; Ogbazghi, A. Y.; Feng, R.; Dai, Z.; Marchenkov, A. N.; Conrad, E. H.; First, P. N.; De Heer, W. A. J. Phys. Chem. B 2004, 108 (52) 19912-19916
2. De Heer, W. A.; Berger, C.; Wu, X.; P. First, N.; Conrad, E. H.; Li, X.; Lia, T.; Sprinkle, M.; Hass, J.; Sadowski, M. L.; Potemski, M.; Martinez, G. Solid State Commun. 2007, 143 (1-2) 92-100
3. Moon, J S.; Curtis, D.; Bui, S.; Hu, M.; Gaskill, D. K.; J Tedesco, L.; Asbeck, P.; Jernigan, G. G.; VanMil, B. L.; Myers-Ward, R. L.; Eddy, C. R., Jr.; Campbell, P. M.; Weng, X. IEEE Electron Device Lett. 2010, 31 (4) 260-262
4. Robinson, A J.; Hollander, M.; LaBella, M., III.; Trumbull, K. A.; Cavalero, R.; Snyder, W. D. Nano Lett. 2011, 11 (9) 3875-3880
5. Rutter, G. M.; Guisinger, N. P.; Crain, J. N.; First, P. N.; Stroscio, J. A. Phys. Rev. B 2010, 81 (24) 245408
6. Seyller, T.; Emtsev, K. V.; Gao, K.; Speck, F.; Ley, L.; Tadich, A.; Broekman, L.; Riley, J. D.; Leckey, R. C. G.; Rader, O.; Varykhalov, A.; A Shikin, M. Surf. Sci. 2006, 600 (18) 3906-3911
7. Emtsev, K. V.; Bostwick, A.; Horn, K.; Jobst, J.; Kellogg, G. L.; Ley, L.; McChesney, J. L.; Ohta, T.; Reshanov, S. A.; Röhrl, J.; Rotenberg, E.; Schmid, A. K.; Waldmann, D.; Weber, H. B.; Seyller, T. Nat. Mater. Lett. 2009, 8, 203-207
8. VanMil, B. L.; Myers-Ward, R. L.; Tedesco, J. L.; Eddy, C. R., Jr.; Jernigan, G. G.; Culbertson, J. C.; Campbell, P. M.; McCrate, J. M.; Kitt, S. A.; Gaskill, D. K. Mater. Sci. Forum 2009, 615-617, 211
9. Tedesco, J. L.; VanMil, B. L.; Myers-Ward, R. L.; Culbertson, J. C.; Jernigan, G. G.; Campbell, P. M; McCrate, J. M.; Kitt, S. A.; Eddy, C. R., Jr.; Gaskill, D. K. ECS Trans. 2009, 19, 137
10. Robinson, J. A.; Wetherington, M.; Tedesco, J. L.; Campbell, P. M.; Weng, X.; Stitt, J.; Fanton, M. A.; Frantz, E.; Snyder, D.; Vanmil, B. L.; Jernigan, G. G.; Myers-Ward, R. L.; Eddy, C. R., Jr.; Gaskill, D. K. Nano Lett. 2009, 9 (8) 2873-2876
11. Ohta, T.; Bostwick, A.; Seyller, Th.; Horn, K.; Rotenberg, E. Science 2006, 313 (5789) 951-954
12. Bolen, M. L.; Harrison, S. E.; Biedermann, L. B.; Capano, M. A. Phys. Rev. B 2009, 80, 115433
13. Orlita, M.; Faugeras, C.; Plochocka, P.; Neugebauer, P.; Martinez, G.; Maude, D. K.; Barra, A.-L.; Sprinkle, M.; Berger, C.; De Heer, W. A.; Potemski, M. Phys. Rev. Lett. 2008, 101 (26) 267601
14. Lin, Y.-M.; Farmer, D. B.; Jenkins, K. A.; Wu, Y.; Tedesco, J. L.; Myers-Ward, R. L.; Eddy, C. R.; Gaskill, D. K.; Dimitrakopoulos, C.; Avouris, P. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1343-1345
15. Kong, H. S.; Glass, J. T.; Davis, R. F. J. Appl. Phys. 1988, 64 (5) 2672-2679
16. Ohtani, N.; Katsuno, M.; Aigo, T.; Fujimoto, T.; Tsuge, H.; Yashiro, H.; Kanaya, M. J. Cryst. Growth 2000, 210 (4) 613-622
17. Yakes, M. K.; Gunlycke, D.; Tedesco, J. L.; Campbell, P. M.; Myers-Ward, R. L.; Eddy, C. R. D., Jr.; Gaskill, K.; Sheehan, P. E.; Laracuente, A. R. Nano Lett. 2010, 10 (5) 1559-1562
18. Zhang, Y.; Tang, T. T.; Girit, C.; Hao, Z.; Martin, M. C.; Zettl, A.; Crommie, M. F.; Shen, Y. R.; Wang, F. Nature 2009, 459, 820-823
19. Eduardo, V.; Castro, E, V.; Novoselov, K. S.; Morozov, S. V.; Peres, N. M. R.; Lopes dos Santos, J. M. B.; Nilsson, J.; Guinea, F.; Geim, A. K.; Castro Neto, A. H. Phys. Rev. Lett. 2007, 99, 216802-216804
20. Lu, C. L.; Chang, C. P.; Huang, Y. C.; Chen, R. B.; Lin, M. L. Phys. Rev. B 2006, 73, 144427
21. McCann, E. Phys. Rev. B 2006, 74, 161403
22. Neudeck, P. G.; Trunek, A. J.; Spry, D. J.; Powell, J. A.; Du, H.; Skowronski, M.; Huang, X. R.; Dudley, M. Chem. Vap. Deposition 2006, 12 (8-9) 531-540
23. Neudeck, P. G.; Du, H.; Skowroronski, M.; Spry, D. J.; Trunek, A. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 6139-6149
24. Myers-Ward, R. L.; Nyakiti, L. O.; Hite, J. K.; Glembocki, O. J.; Bezares, F. J.; Caldwell, J. D.; Imhoff, G. A.; Hobart, K. D.; Culbertson, J. C.; Picard, Y. N.; Wheeler, V. D.; Eddy, C. R., Jr.; Gaskill, D. K. Mater. Sci. Forum 2011, 679-680, 119
25. Chen, Y.; Kimoto, T.; Takeuchi, Y.; Matsunami, H. J. Cryst. Growth 2003, 254, 115-122
26. Wu, P.; Yoganathan, M.; Zwieback, I. J. Cryst. Growth 2008, 310, 1804-1809
27. Emtsev, K. V.; Bostwick, A.; Horn, K.; Jobst, J.; Kellog, G. L.; Ley, L.; McChesney, J. L.; Ohta, T.; Reshanov, S. A.; Rohrl, J.; Rotenberg, E.; Schmid, A. K.; Waldman, D.; Weber, H. B.; Seyller, T. Nat. Mater. 2009, 8 (3) 203
28. Twigg, M. E.; Picard, Y. N. J. Appl. Phys. 2009, 105, 093520
29. Robinson, J.; Weng, X.; Trumbull, K.; Cavalero, R.; Wetherington, M.; Frantz, E.; LaBella, M.; Hughes, Z.; Fanton, M.; Snyder, D ACS Nano 2010, 4 (1) 153-158
30. Mohiuddin, T.; Lombardo, A.; Nair, R.; Bonetti, A.; Savini, G.; Jalil, R.; Bonini, N.; Basko, D.; Galiotis, C; Marzari, N.; Novoselov, K. S.; Geim, A.; Ferrari, A. Phys. Rev. B 2009, 79 (20) 205433
31. Calizo, I.; Balandin, A.; Bao, W.; Miao, F.; Lau, C. Nano Lett. 2007, 7 (9) 2645-2649
32. Eddy, C. R., Jr.; Gaskill, D. K. Science 2009, 324 (5933) 1398-1400
33. Ferrari, A. C.; Meyer, J. C.; Scardaci, V.; Casiraghi, C.; Lazzeri, M.; Mauri, F.; Piscanec, S.; Jiang, D.; Novoselov, K. S.; Roth, S.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2006, 97 (18) 187401
34. Siegel, D. A.; Zhou, S. Y.; Gabaly, F.; El.; Schmid, A. K.; McCarty, K. F.; Lanzara, A. Phys. Rev. B 2009, 80 (24) 241407(R)
35. Robinson, J. A.; Puls, C. P.; Staley, N. E.; Stitt, J. P.; Fanton, M. A.; Emtsev, K. V.; Seyller, T.; Liu, Y. Nano Lett. 2009, 9 (3) 964-968
36. Röhrl, J.; Hundhausen, M.; Emtsev, K. V.; Seyller, Th.; Graupner, R.; Ley, L. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (20) 201918
37. Lespade, P.; Marchand, A.; Couzi, M.; Cruege, F. Carbon 1984, 22, 375
38. Ferrari, A; Robertson, J. Phys. Rev. B 2000, 61, 14095
39. Malard, L. M.; Pimenta, M. A.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. S. Phys. Rep. 2009, 473, 51-87
40. Graf, D.; Molitor, F.; Ensslin, K.; Stampfer, C.; Jungen, A.; Hierold, C.; Wirtz, L. Nano Lett. 2007, 7 (2) 238-242
41. Das Sarma, S.; Adam, S.; Hwang, E. H.; Rossi, E. Rev. Mod. Phys. 2011, 83, 407-470
42. Ohta, T.; Bartelt, N. C.; Nie, S.; Thürmer, K.; Kellogg, G. L. Phys. Rev. B 2010, 81, 121411(R)
43. Malard, M.; Pimenta, M.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. Phys. Rep. 2009, 473, 51-87
44. Ni, Z.; Yu, T.; Lu, Y.; Wang, Y.; Feng, Y.; Shen, Z. ACS Nano 2008, 2 (11) 2301-2305
45. Hass, J.; Varchon, F.; Millan-Otoya, J. E.; Sprinkle, M.; Sharma, N.; De Heer, W.; Berger, A. C.; First, P. N.; Magaud, L.; Conrad, E. H. Phy. Rev. Lett. 2008, 100 (12) 125504
46. Krishnan, K. S.; Ganguli, N. Nature 1939, 144, 667-667
47. Zhu, W.; Perebeinos, V.; Freitag, M.; Avouris, P. Phys. Rev. 2009, B 80, 235402