Channel shortening phenomenon due to redox reaction in a lateral direction on In-Ga-Zn-O thin film transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 3 PART 2, 2012, Pages

  Kitakado, Hidehito ^a   Katoh, Sumio ^a  

^a SHARP CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; CARRIER DISTRIBUTIONS; CHANNEL LENGTH; CHANNEL SHORTENING; DIFFUSION EQUATIONS; EFFECTIVE CHANNEL LENGTH; EXTERNAL RESISTANCE; GATE VOLTAGES; HYDROGEN DIFFUSION; IN-GA-ZN-O; LATERAL DIRECTIONS; PERFORMANCE PARAMETERS; REDUCTION REACTION; SOURCE AND DRAIN ELECTRODES; THIN FILM TRANSISTORS (TFT);

ACTIVATION ENERGY; DIFFUSION; GALLIUM; PARTIAL DIFFERENTIAL EQUATIONS; REDOX REACTIONS; THIN FILM TRANSISTORS;

ZINC;

EID: 84858983141     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.03CB02     Document Type: Article

References (21)

1. H. Hosono: J. Non-Cryst. Solids 352 (2006) 851.
2. D. P. Gosain and T. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 03B018.
3. D. Kang, H. Lim, C. Kim, I. Song, J. Park, and Y. Park: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 192101.
4. J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y. G. Mo, and H. D. Kim: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 072104.
5. K. H. Lee, J. S. Jung, K. S. Son, J. S. Park, T. S. Kim, R. Choi, J. K. Jeong, J. Y. Kwon, B. Koo, and S. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 232106.
6. J. Jeong, Y. Hong, J. K. Jeong, J. S. Park, and Y. G. Mo: J. Disp. Technol. 5 (2009) 495.
7. H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, and M. Sano: J. Disp. Technol. 5 (2009) 531.
8. K. Im, M. G. Kim, H. Yang, H. H. Park, C. G. Choi, Y. G. Mo, and H. D. Kim: IMID/IDMC/Asia Display 2010 Dig., 2010, p. 171.
9. J. S. Heo, J. Kim, S. Choi, K. S. Park, C. D. Kim, Y. K. Hwang, I. J. Chung, S. T. Meyers, J. T. Anderson, B. C. Clark, M. Greer, K. Jiang, A. Grenville, and D. A. Keszler: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 41 (2010) 241.
10. K. Akimoto, S. Murakami, D. Kawae, R. Watanabe, J. Sakata, A. Miyanaga, T. Serikawa, and S. Yamazaki: AM-FPD'10, 2010, p. 141.
11. J. S. Park, T. S. Kim, K. S. Son, E. Lee, J. S. Jung, K. H. Lee, W. J. Maeng, H. S. Kim, E. S. Kim, K. B. Park, J. Y. Kwon, M. K. Ryu, and S. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 162105.
12. G. J. Hu, C. Chang, and Y. T. Chia: IEEE Trans. Electron Devices 34 (1987) 2469.
13. S. Luan and G. W. Neudeck: J. Appl. Phys. 72 (1992) 766.
14. T. C. Fung, C. S. Chuang, C. Chen, K. Abe, R. Cottle, M. Townsend, H. Kumomi, and J. Kanicki: J. Appl. Phys. 106 (2009) 084511.
15. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono: Thin Solid Films 486 (2005) 38.
16. T. Arai, N. Morosawa, K. Tokunaga, Y. Terai, E. Fukumoto, T. Fujimori, T. Nakayama, T. Yamaguchi, and T. Sasaoka: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 41 (2010) 1033.
17. H. Kumomi, S. Yaginuma, H. Omura, A. Goyal, A. Sato, M. Watanabe, M. Shimada, N. Kaji, K. Takahashi, M. Ofuji, T. Watanabe, N. Itagaki, H. Shimizu, K. Abe, Y. Tateishi, H. Yabuta, T. Iwasaki, R. Hayashi, T. Aiba, and M. Sano: Int. Symp. TAOS, 2010.
18. N. H. Nickel: Superlattices Microstruct. 42 (2007) 3.
19. K. Matsumoto, Y. Adachi, T. Ohgaki, I. Sakaguchi, N. Ohashi, and H. Haneda: J. Ceram. Soc. Jpn. 117 (2009) 666.
20. K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 192107.
21. T. Yamaha, S. Hirade, and F. Masuoka: IEICE Tech. Rep. SDM97-181 (1998) [in Japanese].