Impact of Bi deficiencies on ferroelectric resistive switching characteristics observed at p-type schottky-like Pt/Bi 1-δFeO 3 interfaces

Advanced Functional Materials

Volumn 22, Issue 5, 2012, Pages 1040-1047

  Tsurumaki, Atsushi ^a   Yamada, Hiroyuki ^a   Sawa, Akihito ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

ferroelectrics; memory; metal oxides; resistive switching

Indexed keywords

DATA RETENTION; DISPLACEMENT CURRENTS; FORMING PROCESS; HOLE CARRIERS; IV CHARACTERISTICS; METAL OXIDES; NEGATIVE CURRENTS; NON-VOLATILE MEMORIES; P TYPE SEMICONDUCTOR; P-TYPE; POLARIZATION REVERSALS; RESISTIVE SWITCHING; REVERSE BIAS; ROOM TEMPERATURE; SWITCHING PROCESS; SWITCHING SPEED;

DATA STORAGE EQUIPMENT; FERROELECTRIC MATERIALS; FERROELECTRICITY; IRON OXIDES; SWITCHING SYSTEMS;

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS;

EID: 84857885207     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201102883     Document Type: Article

References (38)

1. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
2. A. Sawa, Mater. Today 2008, 11, 28.
3. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot, Adv. Mater. 2009, 21, 2632.
4. S. Q. Liu, N. J. Wu, A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749.
5. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 139.
6. Y. Watanabe, J. G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck, S. J. Wind, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3738.
7. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4073.
8. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 1962, 33, 2669.
9. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung, J. T. Moon, IEDM Tech. Dig. 2004, 587.
10. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, S. Tiedke, J. Appl. Phys. 2005, 98, 033715.
11. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 103509.
12. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
13. L. Esaki, R. B. Laibowitz, P. J. Stiles, IBM. Tech. Discl. Bull. 1971, 13, 2161.
14. P. W. M. Blom, R. M. Wolf, J. F. M. Cillessen, M. P. C. M. Krijin, Phys. Rev. Lett. 1994, 73, 2107.
15. A. Schmehl, F. Lichtenberg, H. Bielefeldt, J. Mannhart, D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3077.
16. R. Meyer, J. R. Contreras, A. Petraru, H. Kohlstedt, Int. Ferroelectrics 2004, 64, 77.
17. P. Maksymovych, S. Jesse, P. Yu, R. Ramesh, A. P. Baddorf, S. V. Kalinin, Science 2009, 324, 1421.
18. V. Garcia, S. Fusil, K. Bouzehouane, S. Enouz-Vedrenne, N. D. Mathur, A. Barthélémy, M. Bibes, Nature 2009, 460, 81.
19. A. Gruverman, D. Wu, H. Lu, Y. Wang, H. W. Jang, C. M. Folkman, M. Y. Zhuravlev, D. Felker, M. Rzchowski, C.-B. Eom, E. Y. Tsymbal, Nano Lett. 2009, 9, 3539.
20. L. Pintilie, V. Stancu, L. Trupina, I. Pintilie, Phys. Rev. B 2010, 82, 085319.
21. M. Y. Zhuravlev, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, Phys. Rev. Lett. 2005, 94, 246802.
22. R. Meyer, R. Waser, J. Appl. Phys. 2006, 100, 051611.
23. A. Q. Jiang, C. Wang, K. J. Jin, X. B. Liu, J. F. Scott, C. S. Hwang, T. A. Tang, H. B. Lu, G. Z. Yang, Adv. Mater. 2011, 23, 1277.
24. T. Choi, S. Lee, Y. J. Choi, V. Kiryukhin, S.-W. Cheong, Science 2009, 324, 63.
25. C. Wang, K.-J. Jin, Z.-T. Xu, L. Wang, C. Ge, H.-B. Lu, H.-Z. Guo, M. He, G.-Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192901.
26. J. Lee, M. Jo. D.-J. Seong, J. Shin, H. Hwang, Microelectron. Eng. 2011, 88, 1113.
27. H. Béa, M. Bibes, A. Barthélémy, K. Bouzehouane, E. Jacquet, A. Khodan, J.-P. Contour, S. Fusil, F. Wyczisk, A. Forget, D. Lebeugle, D. Colson, M. Viret, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 072508.
28. L. You, N. T. Chua, K. Yao, L. Chen, J. Wang, Phys. Rev. B 2009, 80, 024105.
29. J. Wang, J. B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S. B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D. G. Schlom, U. V. Waghmare, N. A. Spaldin, K. M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh, Science 2003, 299, 1719.
30. J. W. Park, S. H. Beak, P. Wu, B. Winchester, C. T. Nelson, X. Q. Pan, L. Q. Chen, T. Tybell, C. B. Eom, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 212904.
31. M. Ben-Chorin, F. Möller, F. Koch, J. Appl. Phys. 1995, 77, 4482.
32. D.-H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148.
33. D. S. Jeong, H. Schroeder, R. Waser, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 082909.
34. S. J. Clark, J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 132903.
35. C. B. Eom, R. B. V. Dover, J. M. Phillips, D. J. Werder, J. H. Marshall, C. H. Chen, R. J. Cava, R. M. Fleming, D. K. Fork, Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2570.
36. T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, H. Takasu, Appl. Phys. Lett. 1994, 65, 1522.
37. J. F. M. Cillessen, M. W. J. Prins, R. M. Wolf, J. Appl. Phys. 1997, 81, 2777.
38. Z. Zhong, Y. Sugiyama, H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 2008, 47, 6448.