Bias polarity dependent data retention of resistive random access memory consisting of binary transition metal oxide

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 10, 2006, Pages

  Kinoshita, K ^a   Tamura, T ^a   Aoki, M ^a   Sugiyama, Y ^a   Tanaka, H ^a  

^a FUJITSU LABORATORIES LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTIVE MATERIALS; DATA PROCESSING; ELECTRIC INSULATORS; RANDOM ACCESS STORAGE; RESISTORS; SPUTTERING; THERMAL STRESS;

BIAS POLARITY DEPENDENT; BINARY TRANSITION METAL OXIDE; CONDUCTIVE FILAMENTS; DATA RETENTION;

TRANSITION METAL COMPOUNDS;

EID: 33748513895     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2339032     Document Type: Article

References (16)

1. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung, and J. T. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 587.
2. J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 7, 785 (1964).
3. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwanga, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).
4. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
5. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H.-.I. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, J. C. Park, Y. K. Cha, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2005, 769.
6. H. Satake, Semicond. Sci. Technol. 15, 471 (2000).
7. K. Kyuno, K. Kita, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 86, 063510 (2005).
8. D. J. Dumin, J. R. Maddux, R. S. Scott, and R. Subramoniam, IEEE Trans. Electron Devices 41, 1570 (1994).
9. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, S. K. Choi, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. S. Byun, I. R. Hwang, S. H. Kim, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 093509 (2005).
10. J. B. Torrance, P. Lacorre, C. Asavaroengchai, and R. M. Metzger, Physica C 182, 351 (1991).
11. M. G. Kim, S. M. Kim, E. J. Choi, S. E. Moon, J. Park, H. C. Kim, B. H. Park, M. J. Lee, S. Seo, D. H. Seo, S. E. Ahn, and I. K. Yoo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L1301 (2005).
12. K. S. Kim and N. Winograd, Surf. Sci. 43, 625 (1974).
13. S. Hofmann and J. M. Sanz, J. Trace Microprobe Tech. 1, 213 (1982).
14. H. J. Mathieu, J. B. Mathieu, D. E. MaClure, and D. J. Landolt, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1023 (1977).
15. J. Hsu, H. Lai, H. Lin, C. Chuang, and J. Huang, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2599 (2003).
16. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).