Design and fabrication of aln/gan heterostructures for intersubband technology

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 1 PART 2, 2012, Pages

  Ive, Tommy ^a   Berland, Kristian ^a   Stattin, Martin ^a   Fälth, Fredrik ^a   Hyldgaard, Per ^a   Larsson, Anders ^a   Andersson, Thorvald G ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM NITRIDE; FABRICATION; GALLIUM NITRIDE; III-V SEMICONDUCTORS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; QUANTUM CASCADE LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SURFACE MORPHOLOGY;

ALN/GAN; EFFECTIVE MASS APPROXIMATION; GROUP III NITRIDES; INTER-SUBBAND; INTERSUBBAND TRANSITIONS; MULTIPLE QUANTUM-WELL STRUCTURES; STRUCTURAL QUALITIES;

STRUCTURAL DESIGN;

EID: 84857214525     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.01AG07     Document Type: Article

References (20)

1. X. Y. Liu, P. Holmström, P. Jänes, L. Thylén, and T. G. Andersson: Phys. Status Solidi B 244 (2007) 2892.
2. T. Aggerstam, T. G. Andersson, P. Holmström, P. Jänes, X. Y. Liu, S. Lourdudoss, and L. Thylén: Proc. SPIE 6479 (2007) 64791E.
3. C. Gmachl and H. M. Ng: Electron. Lett. 39 (2003) 567.
4. T. G. Andersson, X. Y. Liu, T. Aggerstam, P. Holmström, S. Lourdudoss, L. Thylén, Y. L. Chen, C. H. Hsieh, and I. Lo: Microelectron. J. 40 (2009) 360.
5. H. Sodabanlu, J.-S. Yang, M. Sugiyama, Y. Shimogaki, and Y. Nakano: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 161908.
6. H. Machhadani, M. Tchernycheva, S. Sakr, L. Rigutti, R. Colombelli, E. Warde, C. Mietze, D. J. As, and F. H. Julien: Phys. Rev. B 83 (2011) 075313.
7. P. Holmström: IEEE J. Quantum Electron. 42 (2006) 810.
8. C. Gmachl, H. M. Ng, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3722.
9. P. K. Kandaswamy, F. Guillot, E. Bellet-Amalric, E. Monroy, L. Nevou, M. Tchernycheva, A. Michon, F. H. Julien, E. Baumann, F. R. Giorgetta, D. Hofstetter, T. Remmele, M. Albrecht, S. Birner, and L. S. Dang: J. Appl. Phys. 104 (2008) 093501.
10. J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, and A. Y. Cho: Science 264 (1994) 553.
11. J. Faist, C. Gmachl, F. Capasso, C. Sirtori, D. L. Sivco, J. N. Baillargeon, and A. Y. Cho: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2670.
12. G. Dehlinger, L. Diehl, U. Gennser, H. Sigg, J. Faist, K. Ensslin, D. Grützmacher, and E. Müller: Science 290 (2000) 2277.
13. M. Beck, D. Hofstetter, T. Aellen, J. Faist, U. Oesterle, M. Ilegems, E. Gini, and H. Melchior: Science 295 (2002) 301.
14. G. Scamarcio, F. Capasso, C. Sirtori, J. Faist, A. L. Hutchinson, D. L. Sivco, and A. Y. Cho: Science 276 (1997) 773.
15. A. Ishida, Y. Inoue, H. Nagasawa, N. Sone, K. Ishino, J. J. Kim, H. Makino, T. Yao, H. Kan, and H. Fujiyasu: Physica E 21 (2004) 765.
16. T. Ive, O. Brandt, H. Kostial, K. J. Friedland, L. Däweritz, and K. H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 024106.
17. K. Berland, M. Stattin, R. Farivar, D. M. S. Sultan, P. Hyldgaard, A. Larsson, S. M. Wang, and T. G. Andersson: Appl. Phys. Lett. 97 (2010) 043507.
18. F. Capasso: private communication.
19. T. Ive, O. Brandt, H. Kostial, T. Hesjedal, M. Ramsteiner, and K. H. Ploog: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1970.
20. M. Stattin, K. Berland, P. Hyldgaard, A. Larsson, and T. G. Andersson: Phys. Status Solidi C 8 (2011) 2357.