Intersubband absorption at 1.5-3.5 μm in GaN/AlN multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy on sapphire

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 244, Issue 8, 2007, Pages 2892-2905

  Liu, X Y ^a   Holmstrom P ^b,c   Janes P ^b   Thylen L ^b   Andersson, T G ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^b ROYAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^c SOPHIA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34547784042     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200675606     Document Type: Article

References (32)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, J. Cryst. Growth 189/190, 820 (1998).
3. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
4. C. Gmachl, S. V. Frolov, H. M. Ng, S.-N. G. Chu and A. Y. Cho, Electron. Lett. 37, 378 (2001).
5. J. Hamazaki, S. Matsui, H. Kunugita, K. Erna, H. Kanazawa, T. Tachibana, A. Kikuchi, and K. Kishino, Appl. Phys. Lett. 84, 1102 (2004).
6. N. Suzuki, N. Iizuka, and K. Kaneko, IEICE Trans. Electron. C 88, 342 (2005).
7. H. Uchida, P. Holmström, A. Kikuchi, and K. Kishino, IEICE Electron. Express 2, 566 (2005).
8. P. Holmström, IEEE J. Quantum Electron. 42, 810 (2006).
9. N. Iizuka and N. Suzuki, Proceedings of the Twenty-Fifth International Symposium on Compound Semiconductors, Nara, Japan, October 1998 (IOP, Bristol, 1999), pp. 663-668.
10. C. Gmachl, H. M. Ng, S.-N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 77, 3722 (2000).
11. K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana, phys. stat. sol. (a) 192, 124 (2002).
12. A. Helman, M. Tchernycheva, A. Lusson, E. Warde, F. H. Julien, K. Moumanis, G. Fishman, E. Monroy, B. Daudin, D. Dang, E. Bellet-Amalric, and D. Jalabert, Appl. Phys. Lett. 83, 5196 (2003).
13. K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana, Appl. Phys. Lett. 81, 1234 (2002).
14. H. M. Ng, C. Gmachl, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, J. Cryst. Growth 220, 432 (2000).
15. I. Friel, K. Driscoll, E. Kulenica, M. Dutta, R. Paiella, and T. D. Moustakas, J. Cryst. Growth 278, 387 (2005).
16. M. Leroux, N. Grandjean, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 60, 1496 (1999).
17. B. K. Ridley, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 94, 3972 (2003).
18. N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 81, 1803 (2002).
19. M. Tchernycheva, L. Nevou, L. Doyennette, F. H. Julien, E. Warde, F. Guillot, E. Monroy, E. Bellet-Amalric, T. Remmele, and M. Albrecht, Phys. Rev. B 73, 125347 (2006)
20. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
21. A. S. Barker, Jr. and M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
22. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992).
23. S. Shokovets, G. Gobsch, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 86, 161908 (2005).
24. F. Bernardini and V. Fiorentini, Phys. Rev. B 57, R9427 (1998).
25. W. L. Bloss, J. Appl. Phys. 66, 3639 (1989).
26. L. Hedin and B. I. Lundqvist, J. Phys. C 4, 2064 (1971).
27. T. Ando, Solid State Commun. 21, 133 (1977).
28. N. Gon, W. A. Doolittle, A. S. Brown, M. Losurdo, P. Capezzuto, and G. Bruno, J. Appl. Phys. 91, 2499 (2002).
29. S. K. Davidsson, J. F. Fälth, X. Y. Liu, H. Zirath, and T. G. Andersson, J. Appl. Phys. 98, 016109 (2005).
30. T. Aggerstam, T. G. Andersson, P. Holmström, P. Jänes, X. Y. Liu, S. Lourdudoss, and L. Thylén, Proc. Int. Conf. Quantum Sensing and Nanophotonic Devices IV, Proc. SPIE 6479, 64791E (2007).
31. B. Jogai, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2473 (1991).
32. F. Szmulowicz and M. O. Manasreh, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1341 (1992).