Self-aligned inversion-channel In0.53Ga0.47As Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with In-situ Deposited Al2O3/Y2O3 as gate dielectrics

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 11, 2011, Pages

  Chang, Pen ^a   Chiu, Han Chin ^a   Lin, Tsung Da ^a   Huang, Mao Lin ^a   Wen Hsin Chang, ^a   Wu, Shao Yun ^a   Wu, Kang Hua ^a   Hong, Minghwei ^b   Kwo, Jueinai ^a,b  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTANCE METHOD; FIELD-EFFECT MOBILITIES; GATE LENGTH; IN-SITU; INTERFACIAL BONDING; INTERFACIAL DENSITY; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; SELF-ALIGNED; SMOOTH INTERFACE; SUBTHRESHOLD SWING;

DIELECTRIC DEVICES; DIELECTRIC MATERIALS; DRAIN CURRENT; MONOLAYERS; MOSFET DEVICES; SEMICONDUCTING INDIUM; VANADIUM; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GATE DIELECTRICS;

EID: 81055136663     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.114202     Document Type: Article

References (20)

1. T. D. Lin, H. C. Chiu, P. Chang, L. T. Tung, C. P. Chen, M. Hong, J. Kwo, W. Tsai, and Y. C. Wang: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 033516.
2. Y. Q. Wu, M. Xu, R. S. Wang, O. Koybasi, and P. D. Ye: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 323.
3. R. J. W. Hill, D. A. J. Moran, X. Li, H. Zhou, D. Macintyre, S. Thoms, A. Asenov, P. Zurcher, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, R. Droopad, M. Passlack, and I. G. Thayne: IEEE Electron Device Lett. 28 (2007) 1080.
4. M. Radosavljevic, B. Chu-Kung, S. Corcoran, G. Dewey, M. K. Hudait, J. M. Fastenau, J. Kavalieros, W. K. Liu, D. Lubyshev, M. Metz, K. Millard, N. Mukherjee, W. Rachmady, U. Shah, and R. Chau: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 319.
5. H. Zhao, Y.-T. Chen, J. H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 102101.
6. S. M. Sze and K. K. Ng: Physics of Semiconductor Devices (Wiley, Hoboken, NJ, 2007) 3rd ed., p. 314.
7. D. Lin, G. Brammertz, S. Sioncke, C. Fleischmann, A. Delabie, K. Martens, H. Bender, T. Conard, W. H. Tseng, J. C. Lin, W. E. Wang, K. Temst, A. Vatomme, J. Mitard, M. Caymax, M. Meuris, M. Heyns, and T. Hoffmann: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 327.
8. H.-C. Chin, X. Liu, X. Gong, and Y.-C. Yeo: IEEE Trans. Electron Devices 57 (2010) 973.
9. M. Hong, Z. H. Lu, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, J. J. Krajewski, K. C. Hsieh, L. J. Chou, and K. Y. Cheng: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 312.
10. P. Chang, W. C. Lee, T. D. Lin, C. H. Hsu, J. Kwo, and M. Hong: J. Cryst. Growth 323 (2011) 511.
11. K. Martens, C. O. Chui, G. Brammertz, B. D. Jaeger, D. Kuzum, M. Meuris, M. M. Heyns, T. Krishnamohan, K. Saraswat, H. E. Maes, and G. Groeseneken: IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 547.
12. L. Lin and J. Robertson: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 082903.
13. N. Goel, D. Heh, S. Koveshnikov, I. Ok, S. Oktyabrsky, V. Tokranov, R. Kambhampatic, M. Yakimov, Y. Sun, P. Pianetta, C. K. Gaspe, M. B. Santos, J. Lee, S. Datta, P. Majhi, and W. Tsai: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 363.
14. J. Huang, N. Goel, H. Zhao, C. Y. Kang, K. S. Min, G. Bersuker, S. Oktyabrsky, C. K. Gaspe, M. B. Santos, P. Majhi, P. D. Kirsch, H.-H. Tseng, J. C. Lee, and R. Jammy: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 335.
15. H. Ishii, N. Miyata, Y. Urabe, T. Itatani, T. Yasuda, H. Yamada, N. Fukuhara, M. Hata, M. Deura, M. Sugiyama, M. Takenaka, and S. Takagi: Appl. Phys. Express 2 (2009) 121101.
16. J. Lin, S. Lee, H.-J. Oh, W. Yang, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and D. Z. Chi: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 401.
17. H. J. Oh, J. Q. Lin, S. Suleiman, G. Q. Lo, D. L. Kwong, D. Z. Chi, and S. J. Lee: IEDM Tech. Dig., 2009, p. 339.
18. Y.-T. Chen, H. Zhao, Y. Wang, F. Xue, F. Zhou, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 103506.
19. Y.-T. Chen, H. Zhao. J. H. Yum, Y. Wang, F. Xue, F. Zhou, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 013501.
20. H. C. Chiu, P. Chang, M. L. Huang, T. D. Lin, Y. H. Chang, J. C. Huang, S. Z. Chen, J. Kwo, W. Tsai, and M. Hong: 67th Device Res. Conf. Dig., 2009, p. 83.