Strain effects on optoelectronic characteristics of laterally arrayed silicon nanowires on a flexible substrate

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 1 PART 3, 2011, Pages

  Choi, Jinyong ^a   Cho, Kyoungah ^a   Kim, Sanging ^a  

^a Korea University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FLEXIBLE PLASTIC SUBSTRATES; FLEXIBLE SUBSTRATE; N TYPE SILICON; OPTOELECTRONIC CHARACTERISTICS; PLASTIC SUBSTRATES; ROOM TEMPERATURE; SILICON NANOWIRES; STRAIN EFFECT;

NANOWIRES;

TENSILE STRAIN;

EID: 79955132615     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.01BH02     Document Type: Conference Paper

References (21)

1. K. N. Lee, S. W. Jung, K. S. Shin, W. H. Kim, M. H. Lee, and W. K. Seong: Small 4 (2008) 642.
2. Y. Ahn, J. Dunning, and J. Park: Nano Lett. 5 (2005) 1367.
3. Y. Cui, Z. Zhong, D. Wang, W. U. Wang, and C. M. Lieber: Nano Lett. 3 (2003) 149.
4. Y. Wang, K. K. Lew, T. T. Ho, L. Pan, S. W. Novak, E. C. Dickey, J. M. Redwing, and T. S. Mayer: Nano Lett. 5 (2005) 2139.
5. C. Yang, C. J. Barrelet, F. Capasso, and C. M. Lieber: Nano Lett. 6 (2006) 2929.
6. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, and C. M. Lieber: Science 293 (2001) 1289.
7. J. A. Rogers, Z. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone, V. R. Raju, V. Kuck, H. Katz, K. Amundson, J. Ewing, and P. Drzaic: Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 98 (2001) 4835.
8. M. J. Lee, C. P. Judge, and S. W. Wright: Solid-State Electron. 44 (2000) 1431.
9. S. W. Boettcheer, J. M. Spurgeon, M. C. Putnam, E. L. Warren, D. B. Turner-Evans, M. D. Kelzenberg, J. R. Maiolo, H. A. Atwater, and N. S. Lewis: Science 327 (2010) 185.
10. E. A. Chung, J. Koo, M. Lee, D. Y. Jeong, and S. Kim: Small 5 (2009) 1821.
11. K. H. Kim, K. Keem, D. Y. Jeong, B. Min, K. Cho, H. Kim, B. M. Moon, T. Noh, J. Park, M. Suh, and S. Kim: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 4265.
12. A. J. Baca, J. H. Ahn, Y. Sun, M. A. Meitl, E. Menard, H. S. Kim, W. M. Choi, D. H. Kim, Y. Huang, and J. A. Rogers: Angew. Chem., Int. Ed. 47 (2008) 5524.
13. S. E. Thompson, M. Armstrong, C. Auth, M. Alavi, M. Buehler, R. Chau, S. Cea, T. Ghani, G. Glass, T. Hoffman, C.-H. Jan, C. Kenyon, J. Klaus, K. Kuhn, Z. Ma, B. Mcintyre, K. Mistry, A. Murthy, B. Obradovic, R. Nagisetty, P. Nguyen, S. Sivakumar, R. Shaheed, L. Shifren, B. Tufts, S. Tyagi, M. Bohr, and Y. El-Mansy: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 1790.
14. R. Tanabe, T. Yamasaki, Y. Ashizawa, and H. Oka: J. Comput. Electron. 6 (2007) 49.
15. K. H. Hong, J. Kim, S. H. Lee, and J. K. Shin: Nano Lett. 8 (2008) 1335.
16. C. Y. Tang, L. C. Zhang, and K. Mylvaganam: presented at 5th Australasian Congr. Applied Mechanics, 2007.
17. H.-C. Yuan, G. Wang, Z. Ma, M. M. Roberts, D. E. Savage, and M. G. Lagally: Semicond. Sci. Technol. 22 (2007) S72.
18. E. Anastassakis and E. Liarokapis: J. Appl. Phys. 62 (1987) 3346.
19. S. Nakashima, T. Mitani, M. Ninomiya, and K. Matsumoto: J. Appl. Phys. 99 (2006) 053512.
20. R. Tanabe, T. Yamasaki, Y. Ashizawa, and H. Oka: J. Comput. Electron. 6 (2007) 49.
21. O. Moutanabbir, M. Reiche, A. Hahnel, W. Erfurth, U. Gosele, M. Motohashi, A. Tarun, N. Hayazawa, and S. Kawata: Nanotechnology 21 (2010) 134013