Optimization of precursor pulse time in improving bulk trapping characteristics of atomic-layer-deposition HfO 2 gate oxides

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 8, 2006, Pages

  Akbar, Mohammad S ^a   Lee, Jack C ^a   Moumen, Naim ^b,c   Peterson, Jeff ^b  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

^b SEMATECH   (United States)

^c IBM   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC-LAYER-DEPOSITION; PRECURSOR PULSE; PULSE TIME;

DEPOSITION; GATES (TRANSISTOR); OPTIMIZATION; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY;

OXIDES;

EID: 33644529735     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2178403     Document Type: Article

References (18)

1. S. J. Lee and D. L. Kwong, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 427 (2004).
2. S. J. Lee and D. L. Kwong, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 7256 (2003).
3. Q. Fang, J. Y. Zhang, Z. M. Wang, J. X. Wu, B. J. O'Sullivan, R. K. Hurley, T. L. Leedham, H. Davies, M. A. Audier, C. Jimenez, J. P. Senateur, and I. W. Boyd, Thin Solid Films 427, 391 (2003).
4. K. Yamamoto, S. Hayashi, M. Niwa, M. Asai, S. Horii, and H. Miya, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1835 (2003).
5. K. Forsgren, A. Harsta, J. Aarik, A. Aidla, J. Westlinder, and J. Olsson, J. Electrochem. Soc. 149, F139 (2002).
6. H. Y. Yu, M. F. Li, and D. L. Kwong, Thin Solid Films 462, 110 (2004).
7. S. J. Ding, H. Hu, C. X. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, B. J. Cho, D. S. H. Chan, M. B. Yu, A. Y. Du, A. Chin, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 25, 681 (2004).
8. K. J. Choi, J. H. Kim, and S. G. Yoon, J. Electrochem. Soc. 151, G262 (2004).
9. D. Triyoso, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, N. V. Edwards, R. Gregory, D. Werho, J. Kulik, G. Tam, E. Irwin, X. D. Wang, L. B. La, C. Hobbs, R. Garcia, J. Baker, B. E. White, and P. Tobin, J. Electrochem. Soc. 151, F220 (2004).
10. E. P. Gusev, C. D'Emic, S. Zafar, and A. Kumar, Microelectron. Eng. 72, 273 (2004).
11. T. Lee, J. Ahn, J. Oh, Y. Kim, Y. B. Kim, D. K. Choi, and J. Jung, J. Korean Phys. Soc. 42, 272 (2003).
12. J. W. Lee, C. H. Han, J. S. Park, and J. W. Park, J. Electrochem. Soc. 148, G95 (2001).
13. D. G. Park, K. Y. Lim, H. J. Cho, T. H. Cha, I. S. Yeo, J. S. Roh, and J. W. Park, Appl. Phys. Lett. 80, 2514 (2002).
14. D. J. Park, H. J. Cho, K. W. Lim, T. H. Cha, I. S. Yeo, and J. W. Park, J. Electrochem. Soc. 148, F189 (2001).
15. J. W. Lee, C. H. Han, J. S. Park, and J. W. Park, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 2810 (2001).
16. M. S. Akbar, N. Moumen, J. Barnett, B. H. Lee, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett. 26, 163 (2005).
17. G. Bersuker, J. Gutt, N. Chaudhary, N. Moumen, B. H. Lee, J. Barnett, S. Gopalan, J. Peterson, H.-J. Li, P. M. Zeitzoff, G. A. Brown, Y. Kim, C. D. Young, J. H. Sim, P. Lysaght, M. Garderner, R. W. Murto, and H. R. Huff, IEEE Int. Rel. Phys. Symp. 479 (2004).
18. C. D. Young, Y. Zhao, M. Pendley, B. H. Lee, K. Matthews, J. H. Sim, R. Choi, G. Bersuker, and G. Brown, Solid State Dev. Mater. 216 (2004).