Atomic Structure of buried InAs sub-monolayer depositions in GaAs

Applied Physics Express

Volumn 3, Issue 10, 2010, Pages

  Lenz, Andrea ^a   Eisele, Holger ^a   Becker, Jonas ^a   Ivanova, Lena ^a   Lenz, Ernst ^a   Luckert, Franziska ^a   Pötschke, Konstantin ^a   Strittmatter, André ^a   Pohl, Udo W ^a   Bimberg, Dieter ^a   Dähne, Mario ^a  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC STRUCTURE; CROSS-SECTIONAL SCANNING TUNNELING MICROSCOPIES; DEPOSITION LAYERS; GAAS; GROWTH DIRECTIONS; GROWTH MECHANISMS; HIGH DENSITY; INAS; RICH STRUCTURE; SEGREGATION COEFFICIENTS; SPACER THICKNESS; SUBMONOLAYER DEPOSITION;

ELECTRON ENERGY LEVELS; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM ARSENIDE; INDIUM ARSENIDE; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEGREGATION (METALLOGRAPHY); SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING INDIUM; SINGLE CRYSTALS;

MONOLAYERS;

EID: 78549258107     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.3.105602     Document Type: Article

References (22)

1. S. S. Mikhrin, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, I. P. Soshnikov, D. A. Livshits, I. S. Tarasov, D. A. Bedarev, B. V. Volovik, M. V. Maximov, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, and Zh. I. Alferov: Semicond. Sci. Technol. 15 (2000) 1061.
2. F. Hopfer, A. Mutig, G. Fiol, M. Kuntz, V. A. Shchukin, V. A. Haisler, T. Warming, E. Stock, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, D. A. Livshits, A. R. Kovsh, C. Bornholdt, A. Lenz, H. Eisele, M. Dähne, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 13 (2007) 1302.
3. T. D. Germann, A. Strittmatter, J. Pohl, U. W. Pohl, D. Bimberg, J. Rautiainen, M. Guina, and O. G. Okhotnikov: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 101123.
4. J. Grabowski, C. Prohl, B. Höpfner, M. Dähne, and H. Eisele: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 233118.
5. H. Eisele, B. Höpfner, C. Prohl, J. Grabowski, and M. Dähne: Surf. Sci. 604 (2010) 283.
6. R. M. Feenstra: Semicond. Sci. Technol. 9 (1994) 2157.
7. A. Lenz, H. Eisele, R. Timm, L. Ivanova, R. L. Sellin, H.-Y. Liu, M. Hopkinson, U. W. Pohl, D. Bimberg, and M. Dähne: Phys. Status Solidi B 246 (2009) 717.
8. A. Lenz, R. Timm, H. Eisele, C. Hennig, S. K. Becker, R. L. Sellin, U. W. Pohl, D. Bimberg, and M. Dähne: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 5150.
9. R. M. Feenstra: Physica B 273-274 (1999) 796.
10. R. M. Feenstra, J. A. Stroscio, J. Tersoff, and A. P. Fein: Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 1192.
11. V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P. M. Petroff, K. Pond, and W. H. Weinberg: Phys. Rev. B 50 (1994) 8479.
12. S. Tsukamoto, G. Bell, and Y. Arakawa: Microelectron. J. 37 (2006) 1498.
13. T. J. Krzyzewski, P. B. Joyce, G. R. Bell, and T. S. Jones: Surf. Sci. 517 (2002) 8.
14. Z. Xu, D. Birkedal, J. M. Hvam, Z. Zhao, Y. Liu, K. Yang, A. Kanjilal, and J. Sadowski: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3859.
15. S. Tsukamoto, T. Honma, G. R. Bell, A. Ishii, and Y. Arakawa: Small 2 (2006) 386.
16. G. Springholz, M. Pinczolits, P. Mayer, V. Holy, G. Bauer, H. H. Kang, and L. Salamanca-Riba: Phys. Rev. Lett. 84 (2000) 4669.
17. Q. Xie, A. Madhukar, P. Chen, and N. P. Kobayashi: Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 2542.
18. K. Muraki, S. Fukatsu, and Y. Shiraki: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 557.
19. D. Litvinov, D. Gerthsen, A. Rosenauer, M. Schowalter, T. Passow, P. Feinäugle, and M. Hetterich: Phys. Rev. B 74 (2006) 165306.
20. U. W. Pohl, K. Pötschke, A. Schliwa, F. Guffarth, D. Bimberg, N. D. Zakharov, P. Werner, M. B. Lifshits, V. A. Shchukin, and D. E. Jesson: Phys. Rev. B 72 (2005) 245332.
21. L. H. Li, G. Patriarche, M. Rossetti, and A. Fiore: J. Appl. Phys. 102 (2007) 033502.
22. T. Kita, N. Tamura, O. Wada, M. Sugawara, Y. Nakata, H. Ebe, and Y. Arakawa: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 211106.