High-power semiconductor disk laser based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 10, 2008, Pages

  Germann, T D ^a   Strittmatter, A ^a   Pohl, J ^a   Pohl, U W ^a   Bimberg, D ^a   Rautiainen, J ^b   Guina, M ^b   Okhotnikov, O G ^b  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b TAMPERE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Finland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MONOLAYERS; OPTICAL PUMPING; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

HIGH-POWER APPLICATIONS; RESONANT PERIODIC GAIN;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 40849097939     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2898165     Document Type: Article

References (18)

1. A. C. Tropper, H. D. Foreman, A. Garnache, K. G. Wilcox, and S. H. Hoogland, J. Phys. D JPAPBE 0022-3727 10.1088/0022-3727/37/9/R01 37, R75 (2004).
2. J. Lee, S. Lee, T. Kim, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2404615 89, 241107 (2006).
3. J. E. Hastie, S. Calvez, M. D. Dawson, T. Leinonen, A. Laakso, J. Lyytikäinen, and M. Pessa, Opt. Express OPEXFF 1094-4087 10.1364/OPEX.13.000077 13, 77 (2005).
4. A. Härkönen, J. Rautiainen, M. Guina, J. Konttinen, P. Tuomisto, L. Orsila, M. Pessa, and O. G. Okhotnikov, Opt. Express OPEXFF 1094-4087 10.1364/OE.15.003224 15, 3224 (2007).
5. J. Rautiainen, A. Härkönen, P. Tuomisto, J. Konttinen, L. Orsila, M. Guina, and O. G. Okhotnikov, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20071654 43, 980 (2007).
6. D. Bimberg and N. N. Ledentsov, J. Phys.: Condens. Matter JCOMEL 0953-8984 10.1088/0953-8984/15/24/201 15, R1063 (2003).
7. I. L. Krestnikov, M. Straßburg, M. Caesar, A. Hoffmann, U. W. Pohl, D. Bimberg, N. N. Ledentsov, P. S. Kopev, Zh. I. Alferov, D. Litvinov, A. Rosenauer, and D. Gerthsen, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.60. 8695 60, 8695 (1999).
8. Z. Xu, D. Birkedal, M. Juhl, and J. Hvam, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1806564 85, 3259 (2004).
9. M. Asada, Y. Miyamoto, and Y. Suematsu, IEEE J. Quantum Electron. IEJQA7 0018-9197 10.1109/JQE.1986.1073149 QE-22, 1915 (1986).
10. F. Hopfer, A. Mutig, M. Kuntz, G. Fiol, D. Bimberg, N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, S. S. Mikhrin, D. L. Livshits, I. L. Krestnikov, A. R. Kovsh, N. D. Zakharov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2358114 89, 141106 (2006).
11. F. Hopfer, A. Mutig, G. Fiol, M. Kuntz, V. A. Shchukin, V. A. Haisler, T. Warming, E. Stock, S. S. Mikhrin, I. L. Krestnikov, D. A. Livshits, A. R. Kovsh, C. Bornholdt, A. Lenz, H. Eisele, M. Dähne, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. IJSQEN 1077-260X 10.1109/JSTQE.2007.905133 13, 1302 (2007).
12. R. L. Sellin, I. Kaiander, D. Ouyang, T. Kettler, U. W. Pohl, D. Bimberg, N. D. Zakharov, and P. Werner, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1544641 82, 841 (2003).
13. V. Bressler-Hill, A. Lorke, S. Varma, P. M. Petroff, K. Pond, and W. H. Weinberg, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.50.8479 50, 8479 (1994).
14. V. A. Shchukin, D. Bimberg, V. G. Malyshkin, and N. N. Ledentsov, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.57.12262 57, 12262 (1998).
15. T. Kita, N. Tamura, O. Wada, M. Sugawara, Y. Nakata, H. Ebe, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2206126 88, 211106 (2006).
16. T. D. Germann, A. Strittmatter, T. Kettler, K. Posilovic, U. W. Pohl, and D. Bimberg, J. Cryst. Growth JCRGAE 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.081 298, 591 (2007).
17. S. Adachi, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.336070 58, R1 (1985).
18. A. Härkönen, S. Suomalainen, E. Saarinen, L. Orsila, R. Koskinen, O. G. Okhotnikov, S. Calvez, and M. Dawson, Electron. Lett. ELLEAK 0013-5194 10.1049/el:20060462 42, 693 (2006).