Confined states of individual type-II GaSb/GaAs quantum rings studied by cross-sectional scanning tunneling spectroscopy

Nano Letters

Volumn 10, Issue 10, 2010, Pages 3972-3977

  Timm, Rainer ^a,c   Eisele, Holger ^a   Lenz, Andrea ^a   Ivanova, Lena ^a   Vossebürger, Vivien ^a,d   Warming, Till ^a   Bimberg, Dieter ^a   Farrer, Ian ^b   Ritchie, David A ^b   Dähne, Mario ^a  

^a TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN   (Germany)

^b UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^c LUND UNIVERSITY   (Sweden)

^d PHILIPPS UNIVERSITY MARBURG   (Germany)

Author keywords

GaSb; quantum dots; quantum rings; scanning tunneling spectroscopy; type II band offset

Indexed keywords

BAND OFFSETS; GASB; QUANTUM DOT; QUANTUM RING; SCANNING TUNNELING SPECTROSCOPY;

ELECTRON MOBILITY; ELECTRONIC PROPERTIES; GALLIUM ALLOYS; HETEROJUNCTIONS; NANORINGS; OPTICAL WAVEGUIDES; SCANNING; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

ATOMIC SPECTROSCOPY;

EID: 77958067969     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl101831n     Document Type: Article

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