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Volumn 12, Issue 10, 2010, Pages 3152-3156

InGaN-based 405 nm near-ultraviolet light emitting diodes on pillar patterned sapphire substrates

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EID: 77957697372     PISSN: 14668033     EISSN: 14668033     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c001607a     Document Type: Article
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References (20)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.