Band alignment tailoring of InAs1- xSbx/GaAs quantum dots: Control of type i to type II transition

Nano Letters

Volumn 10, Issue 8, 2010, Pages 3052-3056

  He, J ^a   Reyner, C J ^a   Liang, B L ^a   Nunna, K ^a   Huffaker, D L ^a   Pavarelli, N ^b   Gradkowski, K ^b   Ochalski, T J ^b   Huyet, G ^b   Dorogan, V G ^c   Mazur, Yu I ^c   Salamo, G J ^c  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b UNIVERSITY COLLEGE CORK   (Ireland)

^c UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

band alignment; optical properties; Quantum dot

Indexed keywords

ALLOY COMPOSITIONS; BAND ALIGNMENT; BAND ALIGNMENTS; BEAM FLUXES; CONDUCTION BAND OFFSET; DEVICE APPLICATION; GAAS; GAAS(1 0 0); INAS; P-MODEL; QUANTUM DOT; SELF ASSEMBLED QUANTUM DOTS; STRAIN-DEPENDENT; TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE; TYPE II;

ALIGNMENT; CONDUCTION BANDS; CRYSTAL GROWTH; ELECTRON MOBILITY; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM ARSENIDE; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; OPTICAL WAVEGUIDES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

OPTICAL PROPERTIES;

EID: 77955576791     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl102237n     Document Type: Article

References (31)

1. Bayer, M.; Hawrylak, P.; Hinzer, K.; Fafard, S.; Korkusinski, M.; Wasilewski, Z. R.; Stern, O.; Forchel, A. Science. 2001, 291, 45
2. He, J.; Krenner, H. J.; Pryor, C.; Zhang, J. P.; Wu, Y.; Allen, D. G.; Morris, C. M.; Sherwin, M. S.; Petroff, P. M. Nano Lett. 2007, 7 (3) 802
3. Eisele, H.; Lenz, A.; Heitz, R.; Timm, R.; Dähne, M.; Temko, Y.; Suzuki, T.; Jacobi, K. J. Appl. Phys. 2008, 104, 124301
4. Marquez, H.; Geelhaar, L.; Jacob, K. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2309
5. Eisele, H.; Flebbe, O.; Kalka, T.; Preinesberger, C.; Heinrichsdorff, F.; Krost, A.; Bimberg, D.; Dahne-Prietsch, M. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 106
6. Heitz, R.; Guffarth, R.; Potschke, K.; Schliwa, A.; Bimberg, D.; Zakharov, N. D.; Werner, P. Phys. Rev. B 2005, 71, 045325
7. Toda, Y.; Moriwaki, O.; Nishioka, M.; Arakawa, Y. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 4114
8. Garcia, J. M.; MedeirosRibeiro, G.; Schmidt, K.; Ngo, T.; Feng, J. L.; Lorke, A.; Kotthaus, J.; Petroff, P. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2014
9. Suraprapapich, S.; Panyakeow, S.; Tu, C. W. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 183112
10. Li, S. S.; Xia, J. B. Appl. Phys. Lett. 2005, 87 043102
11. He, J.; Notzel, R.; Offermans, P.; Koenrad, P. M.; Gong, Q.; Hamhuis, G. J.; Eijkemans, T. J.; Wolter, J. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 2771
12. Nishi, K.; Saito, Sugou, H. S. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 1111
13. Huffaker, D. L.; Park, G.; Zou, Z.; Shchekin, O. B.; Deppe, D. G. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2564
14. Raghavan, S.; Rotella, P.; Stintz, A. B.; Fuchs, Krishna, S.; Morath, C.; Cardimona, D. A.; Kennerly, S. W. Appl. Phys. Lett. 2002, 91, 1369
15. Lu, X. J.; Vaillancourt, J.; Meisner, M. J.; Stintz, A. J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 5878
16. Tsatsul'nikov, A. F.; Ledentsov, N. N.; Maksimov, M. V.; Mel'tser, B. Y.; Volovik, B. V.; Krestnikov, I. L.; Sakharov, A.; Bert, N. A.; Kop'ev, P. S.; Alferov, Zh. I.; Bimberg, D. Semiconductor 1997, 31, 55
17. Ueta, A.; Gozu, S.; Akahane, K.; Yamamota, N.; Ohtani, N. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44 L696
18. Weinhardt, L.; Bär, M.; Pookpanratana, S.; Morkel, M.; Niesen, T. P.; Karg, F.; Ramanathan, K.; Contreras, M. A.; Noufi, R.; Umbach, E.; Heske, C. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 182102
19. Morkel, M.; Weinhardt, L.; Lohmüller, B.; Heske, C.; Umbach, E.; Riedl, W.; Zweigart, S.; Karg, F. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 4484
20. Liu, H. F.; Xiang, N.; Chua, S. J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 71905
21. Chen, Y. H.; Ye, X. L.; Wang, Z. G. Nanoscale Res. Lett. 2006, 1, 32
22. Steinshnider, J.; Harper, J.; Weimer, M.; Lin, C. H.; Pei, S. S.; Chow, D. H. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 4562
23. Pitts, O. J.; Watkins, S. P.; Wang, C. X.; Fink, V.; Kavanagh, K. L. J. Cryst. Growth 1995, 150, 858
24. Marquez, H.; Geelhaar, L.; Jacob, K. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2309
25. Tatebayashi, J.; Liang, B. L.; Laghumavarapu, R. B.; Bussian, D. A.; Htoon, H.; Klimov, V.; Balakrishnan, G.; Dawson, L. R.; Huffaker, D. L. Nanotechnology 2008, 19, 295704
26. Kawazu, T.; Mano, T.; Noda, T.; Sakaki, H. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 081911
27. Hayne, M.; Maes, J.; Bersier, S.; Moshchalkov, V. V.; Schliwa, A.; Muller-Kirsch, L.; Kapteyn, C.; Heitz, R.; Bimberg, D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 4355
28. Gradkowski, K.; Pavarelli, N.; Ochalski, T. J.; Williams, D. P.; Tatebayashi, J.; Huyet, G. P.; O'Reilly, E.; Huffaker, D. L. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 061102
29. Liao, Y. A.; Hsu, W. T.; Lee, M. C.; Chiu, P. C.; Chyi, J. I.; Chang, W. H. Phys. Status Solidi 2009, C 6, 1449
30. Vurgaftman, I. J.; Meyer, R.; Ram-Mohan, L. R. J. Appl. Phys. 2001, 89, 5815
31. Andreev, A. D.; Downes, J. R.; Faux, D. A.; O'Reilly, E. P. J. Appl. Phys. 1999, 86, 297