AlGaN metal-semiconductor-metal photodetectors with low-temperature AlN cap layer and recessed electrodes

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Chen, Chin Hsiang ^a   Chang, Shoou Jinn ^b   Wu, Ming Hsien ^b   Tsai, Sung Yi ^a   Chien, Hsiu Ju ^a  

^a CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN; ALN; ALN LAYERS; CAP LAYERS; LOW TEMPERATURES; METAL SEMICONDUCTOR METAL PHOTODETECTOR; PHOTOCONDUCTIVE GAINS; RECESSED ELECTRODES; RESPONSIVITY; SOLAR-BLIND; ULTRA-VIOLET;

ELECTRODES; ELECTROMAGNETIC INDUCTION; HETEROJUNCTIONS; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; METALS; OPTOELECTRONIC DEVICES;

PHOTODETECTORS;

EID: 77952731346     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DG05     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Mukai, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4056.
2. E. F. Schubert and J. K. Kim: Science 308 (2005) 1274.
3. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren: J. Appl. Phys. 86 (1999) 1.
4. Y. K. Su, S. J. Chang, C. H. Chen, J. F. Chen, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, and J. M. Tsai: IEEE Sens. J. 2 (2002) 366.
5. M. Hanzaz, A. Bouhdada, P. Gibart, and F. Omnès: J. Appl. Phys. 92 (2002) 13.
6. M. Razeghi and A. Rogalski: J. Appl. Phys. 79 (1996) 7433.
7. Y. Z. Chiou: Semicond. Sci. Technol. 24 (2009) 055004.
8. G. Parish, S. Keller, P. Kozodoy, J. A. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. B. Fleischer, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 247.
9. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2334.
10. T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, C. S. Chang, Y. C. Lin, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. S. Chen, and C. F. Shen: J. Cryst. Growth 283 (2005) 68.
11. C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen: IEEE Photonics Technol. Lett. 13 (2001) 848.
12. W. Y. Weng, S. J. Chang, W. C. Lai, T. J. Hsueh, S. C. Shei, X. F. Zeng, S. L. Wu, and S. C. Hung: IEEE Photonics Technol. Lett. 21 (2009) 504.
13. P. C. Chang: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 051112.
14. S. J. Chang, C. L. Yu, C. H. Chen, P. C. Chang, and K. C. Huang: J. Vac. Sci. Technol. A 24 (2006) 637.
15. C. L. Yu, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Chen, P. C. Chang, P. C. Chen, M. H. Wu, H. C. Chen, and K. C. Su: IEEE Photonics Technol. Lett. 17 (2005) 875.
16. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu, and Y. H. Liaw: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 130.
17. C. H. Chen: Opt. Rev. 16 (2009) 371.
18. C. H. Chen: Proc. SPIE 7216 (2009) 72162H.
19. P. C. Chang, K. T. Lam, C. H. Chen, S. J. Chang, C. L. Yu, and C. H. Liu: IET Optoelectron. 2 (2008) 55.
20. Y. D. Jhou, S. J. Chang, Y. K. Su, C. H. Chen, H. C. Lee, C. H. Liu, and Y. Y. Lee: IET Optoelectron. 2 (2008) 42.
21. J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell: J. Appl. Phys. 83 (1998) 6148.